下代旗艦高通驍龍835亮相 三星10nm助攻
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[來自IT168]
【IT168 資訊】近段時間有傳言表示高通驍龍的下代旗艦晶片將更名，現在這一消息已經被高通確定，下代旗艦新片將命名為驍龍835，取代目前驍龍821/820，成為頂級移動處理器。
並且將延續與三星的代工合作，採用三星的10nm FinFET工藝打造，功耗將會有所降低。
高通公司產品管理高級副總裁Keith Kressin和三星代工營銷高級副總裁Ben Suh對外展示了高通驍龍Snapdragon 835晶片，它是第一款利用三星10nm技術製造的手機晶片，其中內建數百萬電晶體。
今年10月三星宣布在業界實現了10nm FinFET工藝的量產。
三星表示10nm FinFET工藝與上一代14nm
FinFET工藝相比能夠減少30%的晶片尺寸，性能提升27%或功耗下降40%。
這意味著高通835可以在更小的封裝中提供更多性能和功能，同時手機製造商可以在更薄的手機上使用高通驍龍Snapdragon 835處理器，節省的額外空間可以提供更大電池或其他零組件。
高通表示，該晶片已經開始批量生產，明年上半年正式商用，首批搭載10nm製程驍龍835晶片的手機很可能在明年二月的世界移動通信大會(World World Congress)上首次亮相，不過目前並沒有更多關於驍龍835的配置參數。
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