高通驍龍835發布 採用三星10納米工藝
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【手機中國 新聞】11月17日，美國高通公司宣布與三星電子合作推出全新的旗艦處理器——驍龍835。
該處理器採用三星10納米FinFET製程工藝，並由三星電子代工。
高通驍龍835旗艦處理器發布
今年10月，三星率先在業界實現10納米FinFET工藝的量產。
與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以減少高達30%的晶片尺寸，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。
通過採用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器具有更小的晶片尺寸，以支持更大的電池或更輕薄的設計。
製程工藝的提升與更先進的晶片設計相結合，將會顯著提升電池續航。
支持全新的QC 4.0快充
三星執行副總裁及晶圓代工業務主管Jong Shik Yoon表示：作為晶圓代工業務的一項重要里程碑，此次合作顯示了高通對於對三星領先製程工藝的信心。
目前，驍龍835已經投入生產，預計搭載該晶片的商用終端將於2017年上半年出貨。
作為今年各大品牌旗艦機首選的驍龍820/驍龍821處理器的後續產品，驍龍835很有可能將延續輝煌戰績。
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