工藝漸成熟，英特爾、台積電等爭戰10納米

英特爾10納米產線啟用 2017年上半有望正式量產

英特爾(Intel)旗下10納米生產線已開始啟用，2016年第3季將進入原型樣式試產階段，在此情況下英特爾已將相關成本計入該公司第3季財務預算中，英特爾也重申10納米Cannonlake處理器已在計劃的量產軌道上。

另外，英特爾也證實該公司已開始出貨14納米製程生產的Kaby Lake處理器給客戶。

Canonnonlake處理器應會如期於2017年上半量產

根據Wccftech網站報導指出，如果按照英特爾過去的發展記錄推算，英特爾Canonnonlake處理器應該會在2016年稍晚任何一時間點進入試產階段，且應該會在2017年上半尾聲提升至量產水平。

即使英特爾多年來堅持的摩爾定律(Moore's Law)已宣告棄守，不過英特爾仍非常致力於進行電晶體微縮的努力，雖然英特爾14納米製程投入主流市場的時程晚了約6~9個月，即使這是相對較明顯的時程延遲，英特爾仍設法維持較台積電及三星電子(Samsung Electronics)等其他第三方競爭對手，在節點上的領先水平。

但儘管如此，英特爾在發展10納米製程的競賽中，依然較台積電落後至少兩季的時程。

不過報導指出，英特爾14納米節點顯然是當前全球市場上最具競爭力的同級製程水平，沒有任何競爭對手可比擬，英特爾14納米節點優勢包括具備更佳的閘極(gate)長度等。

英特爾也強調所有該公司14納米節點具備的競爭優勢及改善的水平，在10納米時代仍將見到進一步提升，例如每個電晶體成本將再下降、密度再提升，至於尺寸仍維持相同。

英特爾正投入各項新製程微縮技術研究

雖然目前英特爾已經進入技術上的甜蜜點，但目前依然面臨下一次要繼續微縮製程時，如何成功突破物理極限的主要問題，例如在進入7納米以下製程水平時，量子物理的影響性將開始變成一個嚴重的問題。

因此，為了緩解外界對英特爾製程微縮的憂心，該公司聲稱10納米製程推出時間將較14納米快上多達5成。

英特爾也指出，目前該公司正在研究如何將各類材料及技術，轉化成為可行計算機電晶體的可能，這些技術包括極紫外光(EUV)微影技術、III-V晶圓等現存實用性高的技術，或是石墨烯(graphene)、碳納米管(nanotube)或納米線(nanowire)等目前仍在實驗階段的技術等。

雖然英特爾仍未決定要以何種技術投入7納米以下製程技術開發，不過由英特爾此次公布的技術研發進程來看，顯示英特爾目前已正同時投入相關適合採用技術的研究工作。

Kaby Lake已出貨至客戶端

此外，英特爾也證實Kaby Lake系列處理器已開始出貨給客戶，Kaby Lake系列處理器也是英特爾放棄「Tick-Tock」策略，更換為「製程、架構與優化」(Process ArchitectureOptimization)策略中的「優化」策略一環，由此意謂Kaby Lake系列處理器將呈現出完美的14納米製程節點優勢，提供Kaby Lake系列處理器一個成熟的打造基礎。

在新增優化策略下，目前英特爾製程升級周期也從原先的2年延長至往後的3年。

值得注意的是，不論是行動端或桌面計算機(DT)端的Kaby Lake系列處理器，都將各自包含多個產品線編號(SKU)，例如行動端為Kaby Lake-U、Kaby Lake-Y、Kaby Lake-H系列，以及DT端的Kaby Lake-S與SkyLake-C系列等，各系列發布時間均不一定，但都落在2016~2017年期間，所采核心、繪圖晶片(GPU)及SKU組態等也都不同。

外媒報導預估，英特爾將於2016年8月中旬於美國舊金山舉行的英特爾開發者論壇(Intel Developer Forum；IDF)中，發布包含10納米先進位程在內的最新晶片發展及製程技術規劃細節。

DIGITIMES中文網

台積電拓展先進位程 董事會通過 1,224 億元資本支出預算

晶圓代工廠台積電 2 日公告指出，台積電董事會核准新台幣 1,224 余億元資本支出預算，將用以擴充先進位程產能，以及轉換部分邏輯製程產能為特殊製程產能。

事實上，台積電近來持續積極衝刺先進位程技術發展。

根據日前法說會中，台積電共同執行長劉德音指出，10 納米製程目前已經完成至少 3 個客戶的設計計劃，且 2016 年底前將有更多的客戶，可望於 2017 年第 1 季開始挹注業績。

甚至，更先進的 7 納米製程也將在 2018 年投產的情況下，為了因應當前市場強勁需求，台積電日前宣布將 2016 年的資本支出，總金額自原訂 90 億至 100 億美元，調高到 95 億至 105 億美元。

台積電董事會 2 日核准總金額達 1,224 余億元資本預算，除用以擴充先進位程產能之外，另外還包含轉換部分邏輯製程產能為特殊製程產能的費用。

此外，跟筆預算還包含 2016 年第 4 季研發所需的資本預算，以及經常性資本預算。

而除了通過資本支出的預算之外，台積電為簡化投資架構，董事會還核准以凈值取得 VisEra Holding Company 持有的采鈺 86.9% 股權，並以市價向 VisEra 購買精材 6.9% 股權。

完成交易之後，台積電未來將直接持有采鈺 86.9% 股權，以及精材 41.3% 股權。

至於 VisEra HoldingCompany 將解散，且併入台積電 100% 持股的 TSMC Partners 。

（來源：《科技新報》）

SK海力士10nm級DRAM 研發代號為Alius

據ET News報導，韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)啟動10nm級(1x)DRAM研發，並將研發代號訂為Alius，藉由拉丁文之意，象徵突破10nm製程物理極限，為存儲器市場開創另一個新的世界。

業界表示，SK海力士之前在研發2y(25)nm與2z(21)nm DRAM時，分別用了與星座有關的研發代號，隨著進入需要更高技術的10nm級研發，研發代號的屬性也有了改變，似乎也意味研發的難度更加困難。

SK海力士尚未公開Alius研發計劃的預定量產時程，但表示會擴大研發投資，並且儘量縮短研發所需時間。

目前SK海力士的主力DRAM產品採用2y(25)nm技術，研發代號為北極星(Polaris)。

由於北極星象徵恆久不變，在夜空中可為沙漠中的旅人指引方向，SK海力士選用Polaris作為研發代號，希望2ynm DRAM產品可為後續研髮帶來方向性。

2z(21)nm的研發代號為天津四(Deneb)，即天鵝座α星，也是最明亮的恆星之一。

SK海力士選擇Deneb作為研發代號，象徵以此技術帶領公司邁向最高峰。

最近SK海力士擴產的新一代主力DRAM產品正採用2znm技術。

曾經幫助SK海力士衝上業績顛峰的2x(29)nm DRAM研發代號則是Huma。

Huma是波斯語中可以飛到非常高的鳥，神話中，如果Huma停在某個人頭上，該人就可以成為王。

SK海力士期盼2xnm技術能讓公司稱霸半導體業界，因此以Huma為名。

2014~2015年是以2xnmDRAM為主力產品，這段期間SK海力士確實持續刷新業績紀錄。

至於20nm級的NAND Flash研發代號，SK海力士依序使用國內外山的名字作為命名，如：漢拏、白頭、金剛、馬卡魯(Makalu)、干城章嘉(Kangchenjunga)、K2等。

隨著技術困難度增加，選用的山峰高度也越高，20nm NAND Flash的研發代號是世界第一高峰埃佛勒斯(Everest)。

16nm NAND Flash的研發代號是類星體(Quasar)，是離地球最遠、能量最高的活動星系核；3D NAND Flash則以希臘神話中，太陽神阿波羅(Apollo)的名字作為命名。