穩居全球OSAT榜首，江陰長電先進WLCSP月出貨量突破6億隻

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近日，受惠於智慧型手機市場的持續強勁，江陰長電先進2016年12月份WLCSP產出突破6億隻大關，穩居全球OSAT榜首位置。

其實據Yole和TechSearch兩家知名國際調研公司的數據，早在2015年長電先進的年出貨量已經位居全球OSAT前列。

此次月出貨量突破6億隻大關，是公司強化在WLCSP封裝領域領先地位的具體體現，是規模化戰略方向具有程碑意義的一步。

與傳統封裝技術理念不同，WLCSP封裝技術是一種以晶圓為加工單位的中道封裝技術，所有封裝工藝過程均在晶圓上進行，而且需要利用到與晶圓製造工藝相似的先進光刻工藝，完成封裝工藝的晶圓最終通過測試之後才被切割成單個封裝體，其封裝面積與晶片面積大小完全一樣。

這種封裝技術具有封裝尺寸小、功耗低、成本低的優勢，是電子產品小型化方向發展的理想封裝方式。

長電先進於2005年開始提供WLCSP封裝產品，準確把握住了手機市場的脈搏，不斷需求技術上創新和突破，隨手機通訊市場的快速發展不斷壯大。

無論是在摩托羅拉、諾基亞為主流的功能機時代，還是今天群雄爭霸的智慧型手機時代，長電先進始終是全球主流集成電路設計公司和知名手機品牌WLCSP封裝產品的主要供應商。

有理由相信，隨著物聯網、無人駕駛、VR及雲計算等領域的興起， WLCSP封裝技術以其特有的技術優勢，必然會在這些新興領域大展拳腳，而長電先進亦將發揮其技術和規模優勢，創造企業發展的新高度。

深入了解晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)

晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)是一種先進的封裝技術，完成凸塊後，不需要使用封裝基板便可直接焊接在印刷電路板上。

它是受限於晶片尺寸的單一封裝。

更詳細描述的話，它是涵蓋了再分布層（RDL），晶圓凸塊(Bump）,晶圓級測試(Test)，研磨切割(Sawing)和卷帶形式的包裝(Tape and Reel)，支援一條龍外包服務的解決方案。

從現行量產數量來看，WLCSP是五大先進封裝技術的主力之一，由於WLCSP封裝時不需封裝基板，在性能/成本上有非常高性價比的優勢。

在封裝選型時，如果尺寸大小、工藝要求、布線可行性，和I/O數量都能滿足需求時，最終客戶有很大機會會選擇WLCSP，因為它可能是成本最低的封裝形式。

應用和市場

眾所周知，在晶圓級封裝行業，Amkor的WLCSP適用於廣泛的市場，如類比/混合信號、無線連接、汽車電子，也涵蓋整合無源器件（IPD）、轉碼器(Codec)、功率放大器( Power Amplifier)、驅動IC(Driver)，射頻收發器(RF Transceivers)，無線區域網網路晶片(Wireless LAN)、導航系統(GPS),和汽車雷達(Automotive Radar)。

WLCSP能提供最低的成本，最小的尺寸，是性價比最高，最可靠的半導體封裝類型之一。

從市場的角度看，非常適合但不限於手機、平板電腦、筆記型電腦、硬碟、數位攝影機、導航設備、遊戲控制器、其他可?式/遠端產品和汽車的應用。

從歷史上看，WLCSP已經引領在智慧手機、平板和電腦市場，以及最近的汽車和可穿戴市場。

今天，在高端智慧手機中30%的封裝是WLCSP。

根據Yole 資料，WLCSP市場規模預計將從2014年的$3B美元增長到2020年的$4.5B美元，圖中顯示年複合增長率為8%（圖1）。

該市場估算已包括晶圓級，晶片級和測試等項目。

此外，WLCSP製造，還是以外包封裝測試服務供應商（OSAT）為主。

根據Yole資料顯示，排名前十的廠商中有八家來自於OSAT；其餘一家是IDM（TI）；另一家是晶圓製造廠商（TSMC）。

圖1 : WLCSP services, including wafer level, die level and test services accounted for almost $3B in 2014 and are estimated to reach ~$4.5B by 2020 with a CAGR of 8% (Source: Yole)

不斷創新

不斷創新，是驅使封裝成功和降低成本的重要關鍵。

即便WLCSP已經占有相當市場並持續成長，在許多方面仍有進步的空間，其中一個很好的例子是晶片側邊保護的優化。

一般WLCSP沒有塑封，對晶片側邊保護較弱，對此，Amkor已經開發出一種強化的保護方法。

使用這種方法，Amkor在晶片表面和切割道邊緣注入塑封膠成型，然後將晶片切割，從而創造出五邊，或六邊有塑封的加強型WLCSP（圖2a和2b）。

Amkor具備這種強化保護的製程能力，已獲得重要客戶採用這種加強型的WLCSP封裝。

圖2a : 5-sided molded WLP (CSPnl)

圖2b : Top-down view of 5S molded WLP (CSPnl)

這種保護變得更加關鍵，因為晶片製程節點在越過16/14納米至10納米甚至5納米，由於介電材質(ELK)易碎性和較小的凸點間距等，將加劇側壁損傷的潛在風險。

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