半導體業中重要一環，EUV光刻最新的進展

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ASML宣稱它的Q2收到4台EUV訂單，預期明年EUV發貨達10台以上。

EUV光刻設備一再延遲，而最新消息可能在2020年時能進入量產，而非常可能應用在5nm節點。

業界預測未來在1znm的存儲器生產中可能會有2層或者以上層會採用它,及在最先進位程節點(7 or 5nm)的邏輯器件生產中可能會有6-9層會使用它。

ASML計劃2018年時它的EUV設備的產能再擴大一倍達到年產24台,每台售價約1億美元，目前晶片製造商己經安裝了8台,正在作各種測試。

半導體顧問公司的分析師Robert Maire認為EUV真能應用於量產應該是大約在2020年,在5nm時。

近期TSMC公布它的計劃也是在5nm節點。

Maire說英特爾可能會有不同的觀點,它採用EUV設備在7nm,因為今年下半年它有可能進入10nm。

因為現在16/14nm節點時通常採用兩次圖形曝光技術，如果EUV成功量產,可以避免在10nm及以下時要採用三次或者四次圖形曝光技術,成本上可大幅的節省。

從20nm節點開始要採用兩次圖形曝光技術,晶片製造商人為的把工藝節點分成兩類,如20nm及10nm都是過渡節點,相對工藝壽命短，而28nm,16/14nm及7nm可能是長壽命節點。

ASML的市場部總監Micheal Lercel說EUV系統量產需要安裝250瓦光源,保證每小時125片,而現在的光源是125瓦,只能每小時85片,ASML正在實驗室中研發210瓦光源。

目前大於200瓦的EUV光源有兩家供應商，分別是ASML的Cymer及Gigaphoton。

兩家供應商都認為未來500瓦光源有可能性。

目前用於EUV掩膜保護的Pellicle只能承受125瓦的熱負荷,離開250瓦的目標尚有一段距離。

由於EUV光刻膠它的工作模式是採用反射的兩次電子,不同通常的193nm光刻膠,因此尚需要突破。

目前EUV光刻的成本非常接近於三次圖形曝光技術。

ASML希望它的EUV系統能有大於90%的uptime,但是目前在4周工作周期中它的uptine大於80%。

設備從研發到量產有很大的差別。

光源系統的可靠性要求十分高,即便系統工作在真空環境下要求每秒能擊中50,000次融化的錫珠。

因此新的光源體積很大,相比之前的準分子雷射源更為複雜，它的尺寸如同電冰箱一樣大,工作在潔凈廠房中。

截止目前為止，全球EUV光刻機的訂單，英特爾有5台，帶4台訂單，台積電有5台，帶2台訂單，三星有3台，帶3台訂單，GF有1台，帶1台訂單，IMEC有2台，東芝與海力士各有1台及美光有1台訂單。

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