欲與intel試比高 三星將於16年造10nm芯

中關村在線消息：根據業內人士消息，三星半導體於近日公布了10nm FinFET工藝生產計劃，預計將在2016年末開始將晶片產品轉向該工藝，目前三星掌握的最新晶片製造工藝為14nm，已經和強大的競爭對手intel的最新工藝處在同一技術規格上。

處理器工藝對功耗以及性能都有影響

據了解，今年二月intel中東和北非地區總經理透露其10nm工藝的發布日期為2017年初，如果消息屬實，那麼三星或許會趕在intel前面推出10nm工藝。

想必已經在CPU製造領域稱霸多年的intel一定會看不過去的。

採用14nm工藝製造的Exynos 7420搭載在S6以及S6edge手機上

目前，三星最先進的14nm工藝僅應用於自家的獵戶座Exynos 7420處理器上，為的是通過增加賣點，提振搭載這一處理器的新款手機的銷量。

隨著製造成本降低以及生產效率升高，三星有可能會在今年晚些時候開放14nm工藝生產線來代工其它品牌晶片，據了解蘋果可能會在下一代A9晶片使用三星的14nm製造工藝。

和三星比起來，intel的晶片生產線的產能則只會滿足自己設計製造的晶片，不過由於具備業界領先的技術使其擁有龐大的PC市場以及不斷壯大的移動端市場，令intel並不發愁自家的晶片沒地方賣，但如果自家的技術落後了那麼後果將不堪設想。

1intel放慢腳步三星欲追趕

2兩家14nm工藝技術對比

intel14nm處理器技術：

intel作為處理器市場的絕對王者從四十多年前便開始了處理器設計與製造。

近年來隨著移動終端領域的發展，很多生產ARM處理器的廠商異軍突起，令Intel感受到不小壓力。

不過目前intel仍然是首屈一指的技術王者，不僅在去年率先發布了14nm工藝技術，而且還帶來了其它的處理器技術革新。

採用22nm工藝的Haswell處理器是採用14nm工藝Boardwell處理器的二倍

相比22nm，intel的14nm製程可以令晶片內部電路做的更小從而擁有更低功耗，據了解，相比上一代intel處理器，採用14nm製程的處理器將會降低一半的TDP功耗。

由於發熱量降低，所以22nm製程的處理器可以在更高的主頻下運行，使得性能顯著提升。

第二代Tri-gate技術又稱為3D電晶體技術是Intel在14nm製程處理器上應用的新技術，它可以令處理器的電晶體承載數量有顯著提升，從而進一步提升處理器性能。

三星14nm處理器技術：

在今天初，三星推出14nm製程晶片，並應用與自家手機產品上，博得業界極大地關注以及肯定。

更小的製程同樣也為三星的處理器帶來了更低功耗以及更強性能。

更值得人們關注的是三星目前的處理器架構也從planar進化到了3D FinFET架構上。

該架構與intel的Tri-gate技術所達到的目的是一樣的，都是為了提升處理器電晶體數量，從而帶來更高的處理性能。

310nm未來的發展

相比14nm工藝，10nm工藝可以令晶片尺寸繼續降低，並且更多的電晶體可以幫助處理器的性能提升，但除了工藝的提升之外未來的10nm工藝處理器還是有其它看點值得我們關注的。

intel黑科技：量子阱電晶體

intel可能會在下

儘管intel的10nm晶片的研發上顯得有些緩慢，但據了解intel目前正準備將自家的量子阱電晶體技術應用於10nm製程的晶片上，這種技術可以令電晶體的運行電壓從0.7V降低到0.5V，從而在更低功耗下實現相同的性能。

而三星，台積電等晶片廠商則要等到7nm工藝的時候，才有可能會用的該技術，intel又領先了一步。

在10nm之後；7nm與5nm之爭

以目前晶片的矽工藝來看，未來的10nm工藝將成為矽材料電晶體的物理極限，但晶片廠商並不會裹足不前，目前intel正在為7nm工藝而研發新的材料，三星同樣如此。

更讓人吃驚的是前一段時間，三星甚至表示該公司將會開始推進5nm工藝製程。