傳三星開始導入EUV設備，提升DRAM生產效率

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傳三星電子(Samsung Electronics)啟動採用極紫外光(EUV)微影設備的DRAM生產研發，雖然三星目標2020年前量產16納米DRAM，不過也有可能先推出17納米製程產品。

韓媒News 1引述業界消息指出，三星正在進行EUV製程DRAM量產效率提升計劃，三星高層表示，導入EUV設備的新一代DRAM研發進展順利，但尚無確切量產時間。

三星過去利用四重曝光(QPT)技術生產DRAM，然隨著製程持續微縮，QPT技術面臨極限，因此業界開始轉向EUV設備，EUV光波長僅13.5納米，遠小於目前ArF製程的193納米。

由於這是三星第一次導入EUV設備生產DRAM，良率如何引發各界關注。

半導體相關人士指出，EUV設備在過去3年間已有相當程度進化，大部分半導體業者也都決定使用此設備，三星晶圓代工事業已導入EUV，英特爾(Intel)與台積電7納米製程也計劃採用EUV，SK海力士(SK Hynix)則預計2019年後，先從部分1z(10~15納米)製程導入EUV。

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