SK海力士：2017年帶來72層3D NAND Flash

2020-10-23

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SK Hynix 從2015 年底開始使用21nm 製程生產DRAM，而目前這個製程已經在主流產品、行動裝置用產品以及特規的DRAM 上導入。

日前，這家韓系品牌介紹了其2017年規劃，他們表示將會在2017 年量產10nm class 製程的DRAM。

一般相信，SK Hynix 的10nm class 泛指18nm 製程。

據韓媒ET News報導，14日業界消息指出，SK海力士以Alius作為計畫名稱的1x納米DRAM即將正式量產。

其目前已完成客戶樣品生產，正進行最後的可靠度檢測，預定2017年第2季由M14新廠正式量產。

業界表示，SK海力士與三星在2z納米DRAM的技術差距約有1年半;三星已在2016年第1季啟動1x納米DRAM量產，若SK海力士能依照進度在2017年第2季量產1x納米DRAM，技術差距可縮小為1年3個月。

SK海力士以Davinci及Rigel分別作為1y與1z納米DRAM的研發代號，加速追趕三星，並擴大與美光(Micron)的差距。

據聞美光目前尚未進入2z產品量產。

SK海力士對開發10納米等級DRAM技術的期望反映在研發代號上，首先是1x納米研發代號Alius。

Alius在拉丁文中代表新世界，如同DRAM技術由20納米跨入10納米級，必須在存儲結構上有所創新，突破技術瓶頸，才能解決漏電、增加電荷儲存容量等問題。

至於1y納米代號Davinci則是文藝復興時代的代表性人物達文西，SK海力士期許自身能像達文西一般，能成為主導技術的先河;1z納米代號Rigel則是獵戶座中最亮的恆星， SK海力士期盼將來研發出的1z納米技術可成為最受注目的焦點。

業界表示，SK海力士成功建立1x納米DRAM的量產體系之後，兩大韓廠可望與美國的技術差距拉開到1~2年。

目前存儲價格持續攀升，對於存儲顆粒廠來說，是一件相當好的事情。

面對這樣的情況，SK Hynix 並沒有增產計劃，並對2017 年存儲相關支出採取保守的態度。

其他品牌或許也如此，這也意味著在2017 年的存儲價格將持續攀高，然而這產業就如同期貨般，沒人說得准。

NAND Flash 也是另一個需求持續提升的產品。

SK Hynix 目前已經生產48 層的3D NAND Flash（3D-V3），而進入2017 年，我們可以見到SK Hynix 進入72 層的3D TLC NAND Flash（3D-V4）。

同時，也可以確認SK Hynix 將會在2017 第二季度量產256Gb 的3D TLC NAND Flash。

另外，SK Hynix 也計劃在2017 年底推進至512Gb（64GB）的3D TLC NAND Flash。

相較於存儲的保守，SK Hynix 在NAND Flash 則是投入不少資源。

SK Hynix 在M14 廠房的第二層將開始量產NAND Flash，但什麼產品會在這裡進行，官方並沒有給予明確答案。

不過，一切順利的話，SK Hynix 整體產能將會伴隨著M14 廠商而獲得顯著改善。

此外，SK Hynix 預計耗資7.9 億美元以及2 年時間來擴充無錫C2 廠房的無塵室（無錫C2 產房主要生產DRAM）。

雖然這有助於提升SK Hynix 存儲顆粒產能，但整體工程需要到2019 年才會完成，因此… 可別期待價格會有任何降幅。

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