半導體行業點評報告-一周觀點:再聊3DNAND技術及市場
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投資要點
何謂3DNAND
3DNAND是相對於平面型NAND而言的。
存儲器是典型的遵守「MoreMoore」的產品,永遠追求存儲密度的提升以及成本的下降。
這一點在摩爾定律時代,可以不斷由最先進的工藝製程來實現。
但是到了隨著製程節點到了1Xnm級別,電晶體的尺寸縮小會使得電子容易溢出,從而會帶來快閃記憶體的出錯率增高,以及耐久性下降的問題。
因此3DNAND應運而生。
3DNAND驅動半導體市場增長
SEMI公布2016年全球半導體增長的三大動能是代工,3DNAND及10nm製程。
並預測2016年包括新設備、二手或者in-house設備在內的前段晶圓廠設備支出預期將增加3.7%達372億美元,而2017年將再成長13%,達421億美元。
其中,最大的增長動力來自於3DNAND,2014年支出為18億美元,2015年倍增至36億美元,成長幅度高達101%。
而2016年支出將再度增加50%,至56億美元以上。
一周行情
本周上證綜指上漲0.82%,深圳成指上漲2.1%,創業板指上漲1.75%,集成電路(申萬)指數上漲7.01%,費城半導體指數上漲1.64%,2月北美半導體設備BB值1.05。
3D NAND，10nm製程與DRAM將成晶圓廠設備支出成長主要動力
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