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平安證券——電子行業周報：高通領跑基帶晶片市場，三星64層NAND FLASH量產

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高通2016年領跑基帶晶片市場:近日,Strategy Analytics發布研究報告《2016年基帶晶片市場份額追蹤:英特爾、聯發科和展訊贏取高通份額》指出,2016年全球蜂窩基帶處理器市場規模同比增長5%達到223億美元。

其中高通、聯發科、三星LSI、展訊和海思占據基帶收益份額前五的席位,而且高通以50%的收益份額位居榜首,聯發科和三星LSI分別以24%和10%的收益份額分列二、三名。

高通不能在蘋果iPhone 7和7Plus中保持100%的基帶份額,喪失了部分LTE基帶晶片份額給英特爾,使得高通的LTE出貨量份額從2015年的65%下降到2016年的52%。

但高通在LTE出貨量上仍同比增長8%,得益於其大受歡迎的驍龍應用處理器產品線。

基帶晶片就是手機中的通信模塊,核心部分最主要分為兩個部分:射頻部分和基帶部分。

目前移動基帶的趨向於集成於SoC上,以高通驍龍835為例,在整個SoC晶片上,集成了CPU、GPU、DSP、ISP、安全模塊以及X16LTE Modem,也就是移動基帶。

三星64層NAND FLASH量產,國產化任重而道遠:三星電子15日宣布,最新64層256GB V-NAND快閃記憶體已進入量產。

64層V-NAND快閃記憶體用稱為第四代V-NAND晶片,三星64層V-NAND快閃記憶體傳輸速度達每秒1Gb,市面上同類型記憶體產品中無人能出其右。

若與48層產品相比,64層快閃記憶體的省電效能約高出三成,可靠性則增加約兩成。

根據SIA的數據顯示,2016年,全球半導體的總銷售額為3400億美元,其中Logic器件的收入占最大頭,高達915億美元;存儲則緊跟其後,總營收為768億美元。

而在這個全球第二大的半導體組件里,中國幾乎是一窮二白。

在主流的存儲產品市場,三星、東芝、西部數據、美光、SK海力士和Intel幾乎壟斷了全球所有的NAND Flash市場。

國內的長江存儲,在幾個月前宣布將會在今年年底把32層3D nand flash送樣,整體對比三星來看,中國半導體的道路還任重而道遠。

上周電子板塊表現回顧:滬深300指數下跌1.61%。

其中,申萬電子指數下跌0.06%,跑贏滬深300指數1.55個百分點:中信電子元器件指數下跌0.58%,跑贏滬深300指數1.03個百分點。

一周行業重點回顧:行業深度*電感升級進行時,Molding Choke前景大好。

投資組合表現:17年年初以來投資組合累計投資虧損2.51%,跑輸滬深300指數8.82個百分點,跑輸申萬電子元器件指數4.15個百分點,跑輸中信電子元器件指數8.17個百分點。

風險提示:技術風險,行業競爭加劇風險,企業新業務開拓風險。

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