延期多年,EUV光刻機終於準備好了

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在日前舉辦的2017年Q4法說會上,台積電透露,其極紫外光光刻機(extreme ultraviolet lithography: ,簡稱EUV光刻機)產能已經取得了較大的進步,目前已經將其電源功率提高到160W,助力7nm和5nm製造,而250瓦EUV也已經安裝到位。

EUV光刻機的唯一供應商ASML在2017年度Semicon West半導體設備展上也表示,250瓦的EUV光源也萬事俱備。

公司2017年財報中也強調,其EUV光刻機滿足了125WPH(每小時生產125片晶圓)的性能規格。

那就意味著最初計劃在2004年推出的EUV光刻機,在延誤了十三年之後,終於準備好了。

EUV光刻機被譽為救世主,關鍵問題已解決

過去幾十年,半導體產業在摩爾定律的指導下獲得了高速的發展,為了滿足摩爾定律「同等面積晶片集成的電晶體數每18個月翻一番」的要求,晶圓廠一直在推動工藝製程的更新。

但隨著節點的演進,產業界普遍認為傳統的光刻將會在65nm或者45nm的時候遭受到障礙,為此他們尋找新的解決辦法,EUV就是他們的主要選擇。

所謂EUV,是指波長為13.5nm的光。

相比於現在主流光刻機用的193nm光源,新的EUV光源能給矽片刻下更小的溝道,從而能實現在晶片上集成更多的電晶體,進而提高晶片性能,繼續延續摩爾定律。

不過在之前推進EUV光刻機的過程中,碰到各種各種各樣的問題,EUV光刻機商用的時間也一拖再拖,業界在EUV的研發投入保守估計也超過了200億美金,發光源功率是造成EUV光刻機遲遲不能商用的最主要原因。

在EUV光刻機工作過程中,需要電源將等離子體轉換成13.5nm波長的光線,之後再經過鏡子的幾重反射,再打落到晶圓上。

但是之前的電源並不能給EUV提供足夠的功率,進而滿足經濟可行性。

這就首先要了解對EUV光刻機的要求:

簡單來說,引入EUV光刻機的工作目標,就是把原來傳統光刻的雙層pattering簡化成一層EUV完成,進而降低光罩的層數,降低生產複雜度。

而為了達到現有的傳統光刻機250到270WPH的生產效率,那麼來到EUV光刻機,那麼至少需要125WPH的效率,才能達到COO(cost of ownership)和OEE(overall equipment efficiency),這就對光源提出250瓦的要求。

但知道2012年,EUV光刻機的唯一供應商ASML只是實現了25瓦的光源。

為了加速光源的發展,他們在2012年斥資25億美元收購了世界領先的準分子雷射源提供商Cymer。

從全球領先的專利查詢平台智慧芽上了解到, Cymer是一家專注於雷射、X射線及深紫外光源的企業。

收購Cymer,讓ASML直接從源頭上獲得了其發展中至關重要的光刻機光源技術。

進而加速了EUV光刻機的發展。

據介紹,Cymer 使用了一種叫做「雷射等離子體」的方法,這種方法是在一個真空腔體中,用源自金屬切割技術的放大器,產生強大的二氧化碳雷射,通過腔體,照射一束每秒被發射出5萬滴的超純錫液滴。

當雷射脈衝照射到錫液滴時,液滴會被加熱成等離子體並產生EUV射線。

接著,一個反射鏡收集器將該過程產生的光線反射到光刻機中。

在這個方法的基礎上,ASML和Cymer持續改進,並在2016年達到200瓦的功率,到2017年下半年,終於實現了250瓦的光源和125WPH的效率,那就意味著EUV光刻機的商用指日可待。

三星、台積電、英特爾和格芯的爭奪戰打響

隨著HPC和智慧型手機的發展,對晶片性能的要求越來越高,設計廠商對先進工藝的需求也隨之高漲,在台積電Q4法說會,台積電錶示已經有了50個7nm客戶,就是最好的證明。

面對這個市場,正如文章開頭所說,晶圓代工廠們需要將目光投向EUV光刻機尋求幫助。

2017年5月剛從三星集團獨立出來的三星晶圓廠就是當中最為激進的一個。

三星方面表示,他們是業內最早宣布將會使用EUV光刻機進行7nm晶片生產的廠商。

按照三星的說法,他們將會在2018年下半年提供相關服務;至於TSMC,根據供應鏈相關人士透露,台積電將會在二季度末開始上馬7nm生產,但是第一代7nm將會使用傳統光刻。

台積電方面表示,要到2019年的7nm plus才會引入EUV;格芯也同樣打算在2018年推出7nm工藝,但是和台積電一樣,這時還是用傳統光刻,他們計劃到2019年才引入EUV。

至於IDM巨頭Intel,他們對其先進工藝和EUV的進展秘而不談,但是據公開消息顯示,他們所購買的EUV光刻機比任何其他公司都多。

EUV光刻機無疑是未來的大勢所趨。

格芯首席技術官Gary Patton表示,如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機,那麼光刻的步驟將會超過100步,這會讓人瘋狂。

所以所EUV光刻機無疑是未來5nm和3nm晶片的最重要生產工具,未來圍繞EUV光刻機的爭奪戰將會變得異常激烈。

因為這是決定這些廠商未來在先進工藝市場競爭的關鍵。

媒體報導,台積電在2017年初一口氣訂購了五台EUV光刻機;韓媒BusinessKorea在十月也表示,三星有意購買10台EUV光刻機。

關於格芯和Intel光刻機的具體購買數目沒有看到報導。

但從S和T兩家看來,他們正在大手筆囤貨。

但是ASML在EUV光刻機上面的產能不大,這可能會加劇了爭奪。

據ASML的年報得知,2016年,他們總共才出貨了四台EUV光刻機,2017年則交付了10套EUV系統。

而從媒體報導中我們得知,2018年,ASML的EUV光刻機產量可以達到24台,但這些訂單都已經被搶購一空。

但到2019年,ASML會將其產能提高到40台,這會大大緩解EUV光刻機的供應壓力。

更大的挑戰扔在後頭

在基本克服了250W光源這個難題之後,ASML對晶圓廠客戶有了一個基本的交代,但是對於EUV光刻機系統來說,仍然有一些問題需要被解決的。

首先就是光罩問題;

據介紹,EUV所用的光罩和193nm浸沒式光刻的光罩完全不同,它們由使用了數十種不同材料的納米層組成。

根據數據調查顯示,過去12個月來,光罩製造商已經製作了1041個EUV光罩,光罩良率目前僅為64.3%。

但同期間曝光的主流的光罩數達到46萬2792個,平均良率高達94.8%。

因此如何提升光罩良率和成本問題,就成為他們考慮的首要問題。

其次EUV薄膜問題也不能忽略;

雖然現在EUV設備都是處於超潔凈環境中,但是在製造過程中,灰塵是無可避免地產生的。

如果有一點回城掉到光罩上,則會造成很大的損失。

現在主流光罩的薄膜是透明的,能夠經受得起考驗,但是目前的EUV薄膜是不透明的,那就需要超薄型的薄膜去製造透明的EUV薄膜,能夠抵擋EUV光刻機的震盪和相關干擾對光罩造成的影響。

還有一個重要的問題是目前沒有很好的方法去檢測光罩的缺陷;

理想情況下,你可以用EUV光去掃描那些需要修補的點。

但這個被稱為actinic patterned-mask inspection的技術依然還在研究當中,所以所有的晶片製造商目前在光罩檢測上也只能用權宜之計:有些廠商使用193nm光刻的那些工具。

但是來到7nm,用193nm的方法無異於緣木求魚。

因為方法雖然相同,但是你總會錯過一些東西。

晶片製造商也使用一個叫做「print check」的技術去檢查晶圓,但這個方法在時間和金錢成本都很高,並不能讓人接受。

對ASML來說,未來還需要解決一個光源問題。

目前的250W光源應用在7nm甚至5nm都是沒問題的,但到了3nm,對光源的功率需求將會達到500W,到了1nm的時候,光源功率要求甚至達到了1KW,這也不會是一個容易的問題。

讓我期待一些聰明的工程師幫我們解決這些問題。

文/半導體行業觀察 李壽鵬

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1476期內容,歡迎關注。


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