格芯官方正式宣布：放棄7nm FinFET項目！

格芯(GLOBALFOUNDRIES)官方在今天凌晨正式宣布：為支持公司戰略調整，格芯將擱置7納米FinFET項目，並調整相應研發團隊來支持強化的產品組合方案。

在裁減相關人員的同時，一大部分頂尖技術人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產品和其他差異化產品的工作上。

格芯方面表示，他們正在重新部署具備領先優勢的FinFET發展路線圖，以服務未來幾年採用該技術的下一波客戶。

公司將相應優化開發資源，讓14/12納米 FinFET平台更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創新IP及功能。

與此同時，格芯方面宣布，為了更好地施展格芯在ASIC設計和IP方面的強大背景和重大投資，公司正在建立獨立於晶圓代工業務外的ASIC業務全資子公司。

相關的ASIC業務需要持續使用最先進的技術。

該獨立ASIC實體將為客戶提供7納米及以下的晶圓代工替代選項，讓ASIC業務部與更廣泛的客戶展開合作，特別是日益增多的系統公司，他們需要ASIC服務同時生產規模需求無法僅由格芯提供。

這是湯姆·嘉菲爾德（Tom Caulfield）在今年年初接任執行長後做出的一個重大決定。

「客戶對半導體的需求從未如此高漲，並要求我們在實現未來技術創新方面發揮越來越大的作用」。

嘉菲爾德表示，「今天，絕大多數無晶圓廠客戶都希望從每一代技術中獲得更多價值，以充分利用設計每個技術節點所需的大量投資。

從本質上講，這些節點正在向為多個應用領域提供服務的設計平台過渡，從而為每個節點提供更長的使用壽命。

這一行業動態導致設計範圍到達摩爾定律外部界限的無晶圓廠客戶越來越少。

我們正重組我們的資源來轉變業務重心，加倍投資整個產品組合中的差異化技術，有針對性的服務不斷增長的細分市場中的客戶。

」

格芯正在加強投資具有明顯差異化、為客戶增加真正價值的領域，著重投資能在其產品組合中提供豐富功能的產品。

這包括繼續側重於FDX平台、領先的射頻產品（包括RF SOI和高性能鍺矽）和模擬/混合信號，以及滿足越來越多低功耗、實時連接、車載設計需求的其他技術。

隨著自動駕駛、物聯網和全球過渡至5G等新領域的強勁需求，格芯被賦予與眾不同的定位——服務「智能互聯」這一新興市場。

「減輕前沿技術領域的投資負擔將使格芯能夠對物聯網、IoT、5G行業和汽車等快速增長市場中對大多數晶片設計人員真正重要的技術進行更有針對性的投資，」 Gartner研發副總裁Samuel Wang,先生表示，「雖然最先進技術往往會占據大多數的熱搜頭條位置，但鮮少有客戶能夠承擔為實現7納米及更高精度所需的成本和代價。

14納米及以上技術將在未來許多年繼續成為晶片代工業務的重要需求及驅動因素。

這些領域將有極大的創新空間，可以助力下一輪科技發展狂潮。

」

這一消息來的太過突然，格芯官網上7nm FinFET的介紹都還沒來得及撤下。

2017年6月14日發布的一篇題為「格芯交付性能領先的7納米FinFET技術在即」的新聞稿也赫然在列。

在那篇新聞稿中，格芯這樣寫道：

格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的（7LP）FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、雲伺服器和網絡基礎設施等應用的需求。

設計套件現已就緒，基於7LP技術的第一批客戶產品預計於2018年上半年推出，並將於2018年下半年實現量產。

2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能晶片製造中無可比擬的技術積澱，來研發自己7納米FinFET技術的計劃。

由於電晶體和工藝水平的進一步改進，7LP技術的表現遠優於最初的性能目標。

與先前基於14納米FinFET技術的產品相比，預計面積將縮小一半，同時處理性能提升超過40%。

目前，在格芯位於紐約薩拉托加縣的全球領先的Fab 8晶圓廠內，該技術已經做好了為客戶設計提供服務的準備。

不玩7nm的，不止格芯

就在一周前，聯電(UMC)也宣布「不再投資 12 納米以下的先進工藝！」