7納米EUV正式量產!能耗比再提升,海思、高通已躍躍欲試
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對半導體行業來說,製程工藝可謂是關鍵中的關鍵。
對晶片來說,密度更大、更先進的製程工藝有助於提升發熱控制,換言之甚至能做到提升性能但功耗卻減少。
目前字面上最先進的製程工藝是台積電和三星的7納米工藝,但這還不是終點。
日前,台積電宣布,7納米EUV(極紫外光刻技術)工藝正式達到量產要求,目前的良率已經達到了和7納米技術初代相當的水準,年內還將不斷優化。
台積電預計,今年會有100萬塊300毫米晶圓被生產出來,對比去年猛增150%。
EUV技術不是什麼神奇「BUFF」,而是另一種光刻方式。
未來想要繼續往前推進位程工藝升級,傳統的光刻技術已經難堪大任,EUV技術成為了唯一的出路。
雖然三星也已經宣布7納米EUV技術將會在今年下半年量產,但在時間上還是讓台積電搶先了一步。
這意味著台積電在半導體代工中再次占得了先機,在和三星的比較中占得上風。
目前來看,即將推出的海思麒麟985處理器很可能是首款採用7納米EUV工藝的晶片,正如去年麒麟980首發7納米工藝那樣。
不過,蘋果A13處理器應該也會採用台積電7納米EUV技術,接下來是年底推出的高通驍龍新旗艦晶片等。
按照台積電的計劃,下一代5納米工藝也在積極準備之中,最早於2020年將進行量產。
除此之外台積電還推出了過渡性工藝6納米,將成為7納米和5納米之間的折中方案。
不過隨著密度不斷加大,現有的製程工藝已經逼近物理極限,到最後逼近1納米的時候,想繼續往上突破便變得非常艱難,可能只有更換矽基材質才能解決。
可想而知,屆時半導體行業將面臨重大危機,但如何突破困境,也是看點之一。
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