《矽基GaN HEMT和SJ MOSFET技術及成本比較》

GaN on Si HEMT vs SJ MOSFET: Technology and Cost Comparison

——逆向分析報告

和GaN器件相比，超結MOSFET還有吸引力嗎？

這份報告提供了最前沿的600/650V功率器件的深度分析，從技術和經濟角度分析了超結（super junction，SJ）MOSFET和GaN HEMT的不同，包括材料、製造工藝、封裝結構、晶片尺寸、電學性能等方面。

主流功率器件廠商的產品路線圖（樣刊模糊化）

功率器件Rdson的技術變化圖

1998年，英飛凌（Infineon）第一次發布了商業化的超結技術，隨後新的廠商不斷進入這個市場，而傳統廠商則通過儘量降低生產成本或者開發新的技術不斷保持領先。

英飛凌超結MOSFET產品逆向分析（樣刊模糊化）

東芝超結MOSFET產品逆向分析（樣刊模糊化）

另一方面，矽基氮化鎵（GaN）高遷移率電晶體（HEMT）提供了新的能力，包括更高的工作頻率以及越來越具有競爭性的製造成本。

GaN System GaN HEMT產品逆向分析（樣刊模糊化）

Transphorm/On semiconductorGaN HEMT產品逆向分析（樣刊模糊化）

麥姆斯諮詢認為，矽基GaN HEMT是進入600/650V功率器件市場理想的候選者，但同時超結MOSFET性能的不斷改進使得其依然保持著市場競爭力，逐漸成為標準和通用器件。

本報告逆向分析了超過30種不同廠商的器件，展現了超結MOSFET和矽基GaN HEMT技術的革新，同時這份報告還包括了詳細的器件結構以及加工製造成本分析。

不同廠商的功率器件性能分析表格（樣刊模糊化）

不同廠商的功率器件晶片結構以及成本比較（樣刊模糊化）

報告目錄：

Overview / Introduction

Introduction & Market

SJ Mosfets

• Technology Overview

• List of analysed devices

• SJ Mosfets Performances

• Infineon Coolmos

- Infineon Performances

- Infineon Evolution

- SPW47N60C3

- IPB60R280C6

- IPD65R225C7

• Toshiba DTMos

- Toshiba Performances

- Toshiba Evolution

- TK40J60T

- TK10A60W

- TK31E60W

• STMicoelectronicsMDMesh

- STMicro Performances

- STMicro Evolution

- STP16N65M5

- STL17N65M5

- STL18N65M5

- STP30N65M5

GaN HEMT

• Technology Overview

• List of analysed devices

• HEMT Performances

• GaN Systems HEMT

- GaN Systems Performances

- GaN Systems Evolution

- GS66508P

- GS66506T

• Transphorm HEMT

- Transphorm Performances

- Transphorm Evolution

- TPH3002PS

- NTP8G206NG

GAN HEMT vs SJ Mosfets

• Performances comparison:

- Rdson evolution

- QgxRdso FOM

- Current density

• Cost Comparison

- Devices supply chain

- Front end cost

- Back end cost

- Packaging cost

• Future Trends

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