英飛凌SiC長期規划進入下一階段

微訪談：英飛凌SiC技術部高級總監Peter Friedrichs博士

麥姆斯諮詢 編譯

15年前，全球首款碳化矽（SiC）產品由英飛凌（Infineon）引入了功率器件市場，如今SiC市場正在穩步增長。

Yole Développement （以下簡稱YD）在其最近的《SiC功率半導體：材料、器件、模組及應用-2016版》報告中上調了對2020年SiC功率器件市場規模的預測。

這是自2014年以來，YD第二次上調對該市場的規模預測。

SiC功率器件發展路線圖

在近期宣布了對Wolfspeed公司的收購之後，英飛凌（Infineon）無疑成為了SiC功率器件市場的領導者。

YD有幸採訪了英飛凌SiC技術部高級總監Peter Friedrichs博士，與其共同探討了SiC業務，以及英飛凌在該領域的願景和行動計劃。

YD：請您簡單介紹一下英飛凌的SiC產品及其發展歷史。

Peter Friedrichs（以下簡稱PF）：英飛凌在寬頻隙材料領域具有很長的研發歷史，是SiC技術領域經驗豐富的領導者。

英飛凌從事SiC研發已經超過25年，是全球首家SiC二極體供應商，我們的SiC二極體自2001年上市以來，經過15年的市場考驗，充分證明了其可靠性。

早在2006年，我們便推出了首款SiC混合模組。

2014年，英飛凌發布了一款SiC結型場效應管（JFET）。

我們的SiC系列產品無論在過去、現在還是未來，都保持著英飛凌一貫的高品質標準。

憑藉我們150mm SiC晶圓製造能力，我們即將推出首款基於英飛凌深槽技術的SiC金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）。

YD：英飛凌不同應用的SiC產品的商業化進展如何？

PF：我們提供廣泛的SiC產品，所有這些產品都有其註冊商標——CoolSiC，它們都享有極高的市場認可度。

我們目前為600 V ~1200 V 的分立器件提供三代不同的SiC二極體，這些二極體主要應用於太陽能領域。

由於我們的SiC解決方案具有較低的能量損耗，因此往往被應用於那些非常重視能效的應用。

就目前來看，SiC主要應用於太陽能、不間斷電源、開關電源以及功率因素校正等應用。

英飛凌Easy 1B/2B汽車功率模塊

YD：對於SiC二極體、 MOSFET及JFET，您認為市場增長最快的應用分別是哪些？

PF：在可再生能源領域，目前有較強的趨勢是將SiC應用到電池存儲解決方案的降壓/升壓拓撲結構（buck/boost topologies）中。

所以，非常明確，在中短期，我們認為太陽能及儲能應用將會是增長最快的細分市場。

長期來看，我們確信汽車應用將會後來居上。

YD：SiC功率半導體市場目前最主要的挑戰有哪些？

PF：自首款SiC器件問世以來，其主要市場挑戰就沒有變過。

二極體及混合封裝功率器件是目前的主流。

但是，較新的SiC MOSFET仍需尋找自己的發展之路。

基於SiC的新器件還不能直接取代原來的矽基解決方案。

為了促進基於SiC新器件的應用，我們一直努力去維持原有的應用環境，例如，維持已經廣泛接受的控制操作條件等。

不過，系統開發商們如果想要充分地發揮SiC器件的潛力，還是需要採用新的設計方案。

英飛凌一直通過各種方式在支持他們。

YD：英飛凌今年發布了深槽SiC MOSFET。

請您對比一下深槽MOSFET和平面MOSFET，它們的目標市場是否一致？並預測一下它們未來的市場趨勢。

PF：我們認為深槽MOSFET和平面MOSFET的目標市場是一致的。

但是，我們確信深槽技術將在可靠性和性能方面表現更好。

因此，我們認為未來將屬於深槽技術。

YD：英飛凌宣布將在2017年規模量產深槽MOSFET，具體的計劃是什麼？

PF：一如既往，英飛凌一直遵循集成製造理念。

SiC不會採用單獨的前端解決方案進行加工製造，而將與矽基產品加工線併線製造。

該理念將使我們更加靈活地確保滿足日益增長的市場需求。

YD：英飛凌接下來的SiC產品將是哪些？

PF：首款推出的CoolSiC MOSFET為1200 V單開關TO247封裝，具有3引腳或4引腳輸出，4引腳型因其額外的電源連接，能夠進一步降低開關損耗。

並且，我們還將提供一款成熟的Easy1B PressFIT封裝的半橋和增壓模塊。

TO-247-3 1200V CoolSiC MOSFET 3pin

TO-247-4 1200V CoolSiC MOSFET 4pin

YD：英飛凌對於SiC開發的下一步計劃是什麼？

PF：我們的首款CoolSiC MOSFET將面向太陽能應用。

接下來，我們將針對不同的工業應用擴展我們的產品組合。

顯然，汽車應用對SiC解決方案的需求正不斷增長。

因此，我們也在努力開發汽車產業認可的產品。

YD：英飛凌將如何規劃從Wolfspeed公司收購獲得的SiC產品線？既然你們認為深槽技術將在未來占據主導地位，你們是否計劃停止製造Wolfspeed公司的平面MOSFET？

PF：本次交易受限於不同司法管轄區監管部門的批准，預計將在2016年末完成交易。

我們將利用這段整合過程，理清各自目標市場的相關技術。

目前，沒有任何計劃停止任何產品。

此次併購完成後，我們將加快創新技術的市場推廣，滿足能效、互聯及出行等現代社會需求。

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