BCD技術與成本評估

BCD Technology and Cost Review

——拆解與逆向分析報告

針對來自英飛凌、意法半導體、飛思卡爾/恩智浦、瑞薩等廠商的23款BCD集成電路產品進行深入對比研究

本報告深入分析了Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）器件的最新創新技術，展現了23款來自英飛凌（Infineon）、意法半導體（STMicroelectronics）、Elmos、博世（Bosch）、恩智浦（NXP）、飛思卡爾（Freescale）、德州儀器（Texas Instruments）、凌特半導體（Linear Technology）、亞德諾（Analog Devices）、電裝（Denso）、瑞薩（Renesas）和豐田（Toyota）。

可以說，本報告涵蓋了市場上主要的廠商及其最新技術。

23款BCD產品的技術情況

BCD是目前重要的一種單晶片功率集成電路技術，結合了雙極型、CMOS和DMOS的單片IC製造工藝。

相對於傳統的雙極功率工藝，BCD工藝具有明顯的優勢。

由於DMOS和矽柵CMOS兼容，並且具有高效率（低損耗）、高強度（無二次擊穿）、高耐壓和高速開關特性。

BCD工藝向小尺寸發展，並採用多層金屬結構。

這使得功率器件的導通電阻大幅度降低，從而提高了電流密度和效率，同時增加了CMOS電路的集成度。

如今，利用BCD技術可以將微控制器與邏輯、存儲、模擬和功率功能集成。

BCD器件分析

對於BCD技術，光刻技術的工藝節點並不是最主要的創新驅動力。

絕緣體上矽（SOI）襯底、厚金屬層、無源器件的增加等其它因素對於產品性能和價值的提升比光刻更為重要。

本報告對每款BCD器件都進行了詳細的技術分析、製造工藝和材料分析，同時也提供每款BCD器件的成本剖析，並突出技術創新對成本的重要影響。

這是一次非常好的機遇來幫您了解主要BCD廠商的技術演進和製造成本，為器件設計廠或系統集成廠帶來獨特的價值。

在本報告中，我們突出了BCD的技術演進及創新對產品成本的影響。

垂直DMOS電晶體

英飛凌SPT9電晶體

報告目錄：

BCD TECHNOLOGY REVIEW

Overview / Introduction

Executive Summary

Technology Evolution • Transistors, Insulation, Metal Layers and Passives

Size Reduction

Foundry Technologies

• Infineon

- Roadmap, SPT9 process and SMART6 process

• STMicroelectronics: BCD6s, SOI-BCD6s, BCD8, VIPower M0-3, VIPower M0-5, VIPower M0-7

• Elmos: BCD 0.8µm

• Bosch: BCD6, BCD8

• NXP: A-BCD3, A-BCD9

• Freescale: SMARTMOS8, SMARTMOS10

• ON Semicondcutor

• Texas Instruments: LBC5, LBC8

• Linear Technology: BCD 0.7µm

• Analog Devices: BCD0.5µm

• Denso: SOI-BCD 0.8µm, SOI-BCD 0.5µm

• Renesas: BCD0.15µm

• Toyota: SOI-BCD 0.5µm

Company Services

BCD COST REVIEW

Overview / Introduction

Executive Summary

Technology Evolution

• Transistors, Insulation, Metal Layer Process and Passives

BCD Evolution Cost Summary

Foundry Wafer Costs

• Infineon

- Roadmap, SPT9 process and SMART6 process

• STMicroelectronics: BCD6s, SOI-BCD6s, BCD8, VIPower M0-3, VIPower M0-5, VIPower M0-7

• Elmos: BCD 0.8µm

• Bosch: BCD6, BCD8

• NXP: A-BCD3, A-BCD9

• Freescale: SMARTMOS8, SMARTMOS10

• ON Semicondcutor

• Texas Instruments: LBC5, LBC8

• Linear Technology: BCD 0.7µm

• Analog Devices: BCD0.5µm

• Denso: SOI-BCD 0.8µm, SOI-BCD 0.5µm

• Renesas: BCD0.15µm

• Toyota: SOI-BCD 0.5µm

Company Services

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