國產晶片崛起!中芯國際7nm工藝即將上線 今年Q4實現小規模生產
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作為我國晶片行業的翹楚,自去年起,中芯國際方面有關晶片工藝的研究進展一直頗受業界關注。
據中芯國際技術界負責人梁孟松表示,中芯國際現階段正在發展全新一代N+1、N+2工藝的研究,據悉,N+1、N+2代工藝與上一代14nm工藝相比,邏輯面積縮小63%、密度提升了一倍,性能提升20%、整體功耗下降了57%,這也就是說,大家心心念念的7nm工藝即將上線。
據悉,7nm工藝預計將於今年Q4季度前後實現小規模生產,現階段N+1 FinFET工藝已經有客戶導入了。
同時,中芯國際計劃將撥款總計31億美元投入到上海和北京兩地的12英寸晶圓廠,主要用於加速晶片工藝的產能。
眾所周知,現階段中國晶片產能仍處於爬坡階段,與世界頂尖水平相比仍有一定差距。
數據顯示,台積電和三星現階段正在進行5nm工藝的相關研究,且台積電5nm工藝良品率已達80%以上,與這些世界大廠相比,中芯國際仍然存在2-3代的差距。
從當前市場現狀來看,中芯的14nm已被廣泛用於我國汽車、物聯、現代醫療等多個領域,該工藝現已能夠滿足國內95%的需求量。
未來一段時間內,中芯國際也將全力加速14nm工藝的生產,預計其產能將在今年12月份突破15K,2020年底的總產能是現在的3-5倍,以極快的增長速度助力中國各企業發展。
數據顯示,中芯國際2019年Q4年總營收值為8.394億美元,同比增長達6.6%。
而在這其中,第一代FinFET 14nm貢獻了總營收的1%。
這是14nm工藝完成商業化的標誌,也是中芯國際在晶片製造領域所取得的標誌性成就。
此外,梁孟松表示,雖然在產品功耗和穩定性方面N+1代工藝與7nm工藝的相似度非常高,但N+1代工藝性能卻遠遠不足。
而N+1和N+2代工藝都不會用都EUV工藝。
未來,中芯國際的N+1產品工藝將主要面向低功耗模式發展,N+2則將更多地面向高性能,生產成本也將持續增加。
此前不久,中芯國際已成功拿下華為海思14nm晶片的代工,這是中芯成功擊敗台積電的標誌,也意味著中芯國際未來將大範圍開闢國內晶片市場,占據更多市場份額,國內晶片市場正在崛起。
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關於中芯國際(00981),這家機構如此提前布局……
本文來自「大公館」微信公眾號,原出處為鼎泰資本報告,報告編纂日期:2016/12/27,報告發布日期:2017/1/3。投資摘要:1、我國每年進口IC元器件大概2000-2200億美元;2、中國...
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