在座的都是渣渣!英特爾詳解工藝製程 擁有全球最高電晶體密度
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英特爾精尖製造日在今日如期舉行,在今日的大會上,公布了英特爾製程工藝的重要進展,同時還首次展示了 10nm 的晶圓以及首款面向數據中心應用的64層 NAND 固態硬碟,整個會上可以說是乾貨滿滿,下面就為大家解讀一下大會的幾點關鍵問題。
摩爾定律不會失效!
英特爾公司執行副總裁 Stacy Smith 先生首先談到了關於摩爾定律的問題,在現如今最多的討論就是摩爾定律是否已經不再重要了,甚至有一天會終結。
這個問題我想分為兩個層面為大家做出解釋。
首先是物理層面,提到摩爾定律,大家首先會想到的就是處理器製程中的16nm、14nm和10nm等等,在這個數字越來越小的同時,不禁讓所有人疑惑,是否有一天會到達物理極限,Smith
先生表示至少目前還看不到終點。
在1990年時,電晶體大小達到193nm時,物理學界指出不可能再前進了,但現在的製程比當時要小20倍,這是得益於英特爾不斷地創新和實施多種備選方案的結果,同時英特爾也一直在前瞻後三代製程,因此對未來依舊是充滿信心。
另一層可以說是精神層面的,摩爾定律內容的實質含義同樣適用在其他行業和領域,進行不斷地努力和突破,從而產生經濟效益,使摩爾定律成為全球經濟的根本動力,通過逐年提升能力,可以多快好省地利用計算演進周期來解決全球範圍內的重大問題,從而讓生活更美好。
因此,從這一層面來看,摩爾定律在可預見的未來中不會終結。
全球首次展示 Cannon Lake 10nm晶圓
在會上,Stacy Smith 先生在全球範圍內,首次展示了「Cannon Lake」10nm 晶圓,採用超微縮技術,擁有世界上最密集的電晶體和最小的金屬間距,實現了行業內最高的電晶體密度。
發布首款面向數據中心的64層 TLC 3D NAND 固態硬碟
英特爾公布了業內首款面向數據中心的64層、三級單元(TLC)3D NAND 固態硬碟。
推出優化的3D NAND浮柵架構和製造工藝,是英特爾在存儲領域30年的專業積澱,再加上製程領先性,能夠快速把64層TLC 3D NAND 技術進行組合。
產品將在今年年底大範圍地上市。
全球電晶體密度最高的製程工藝
相信眾多朋友被市場上各個廠商雜亂的14nm和10nm搞得一頭霧水,在今天的會上,英特爾高級院士 Mark Bohr 先生詳細為我們解答了這個問題。
一些廠商對於製程節點名稱的命名不準確,背離了摩爾定律,即使電晶體密度增加很少甚至是沒有增加,仍用新一代節點命名,這也是讓我們迷惑的主要原因。
因此,就需要一個衡量工藝製程水平的準則,那就是電晶體密度。
Mark Bohr 先生展示了一個被廣泛接受的電晶體密度公式,這個公式適用於任何製造商的任何晶片,能夠明確標準地測量電晶體密度,通過這個指標就能改善製程節點命名的亂象。
放上這張圖,相信大家就都明白了,關於晶片的一些重要參數在上面都有所體現,英特爾在製程工藝上可以說是全面壓制,領先對手整整一代,擁有著全球電晶體密度最高的製程工藝。
換句話說,只有英特爾的10nm是最真實的存在。
更全面的晶圓代工業務生態系統
英特爾的晶圓代工業務在不斷發展,時至今日,英特爾可以為客戶帶來協同優化程度最高的平台技術和IP,能夠提供出垂直集成的「一站式商店」,廣泛的封裝產品組合和一套完整的測試服務,讓客戶享受到全面的服務。
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本文編輯:苑靜涵
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