「推仔說新聞」三星明年完成3nm GAA工藝開發 性能提升35%
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大家應該都知道在前段時間日本和韓國開始進入了「撕逼」模式,雙方在貿易上面互相制裁,扯後腿、下絆子,就像我們熟知的,日本在前段時間正式對半導體行業所必要的高純氟化氫、光刻膠等重要原材料的對韓出口實施管制。
其實這個管控已經得到了部分放寬,畢竟按照日本官方所稱經過審批後還是可以得到出口的。
不過這似乎並沒有影響到三星在日本舉行的名為「三星晶圓代工論壇」的會議舉辦,在此次的會議上面,三星向外界公布了旗下新一代工藝的進展,其中3nm工藝明年就完成開發了。
相較於隔壁的台積電,三星在先進工藝領域,不管是10nm、7nm還是5nm節點,其進度都比台積電晚一些,這也是側面導致了目前台積電幾乎包攬了所有7nm晶片訂單,而三星自己只拿到了IBM、NVIDIA及部分高通的訂單。
但是作為代工大廠的三星,也不會像GF那樣放棄自己的工藝研發,他們將節點直接瞄準到了3nm工藝上,並宣稱將於2021年量產。
值得一提的是,在3nm節點之後,三星的工藝將得到根本性的轉變,從FinFET電晶體轉向GAA環繞柵極電晶體,而本文中著重提及的3nm工藝所使用的將是第一代GAA電晶體,三星稱其為3GAE工藝。
三星稱,在採用了這種GAA電晶體結構之後,他們製造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),它可以顯著增強電晶體性能。
不僅如此,MBCFET還兼容現有的FinFET的技術及設備,從而加速工藝研發和量產。
而最讓用戶們所關心的性能方面,三星同樣也給出了自己的答案,採用3nm工藝的核心相較於先的7nm工藝,其核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。
在推仔看來先不說三星這麼搞是不是打算化身成為PPT大廠,但是按照三星此前的研發路線圖,在這次會議上面公布有關3nm工藝的更多細節從時間來看也到時候了,考慮到目前韓日之間的貿易戰也著實讓三星如坐針氈,放出一些利好也不足為奇。
更何況就像文中所說,三星依然在之前的工藝上面落後了,如果3nm再不加快腳步,怕還是要在台積電屁股後面吃灰好久了。
三星公布3nm GAA架構:性能達提升35%
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