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英特爾的首批功能強大的ARM晶片預計今年年底前發布！

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去年，英特爾宣布與ARM公司達成合作夥伴關係，充分利用對方在處理器製造方面的專長，加快開發ARM晶片組的進程。

今天在2017年ARM技術大會上，英特爾宣布：這項合作計劃的首批成果有望最快在今年年底進入市場。

採用10納米工藝的新型3.5 GHz處理器將擁有多達1億個電晶體（比三星同類處理器的密度高一倍），而功耗仍然只有0.25 mW/Mhz。

英特爾還在製造一款採用22納米工藝的鰭式場效應電晶體（FinFET）ARM晶片，它聲稱其電池功耗要比同類的28納米設備低30%。

英特爾自己不會銷售這些晶片，而是為其他原始設備製造商（OEM）廠商生產這些晶片。

尤其值得一提的是，英特爾一直在追求蘋果，希望從競爭對手高通手裡搶過這筆晶片生意。

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