半導體浪潮中的華虹宏力

晶片製造的技術水平和發展規模現已成為衡量一個國家產業競爭力和綜合國力的重要標誌之一。

我國的集成電路產業經過多年發展，已經形成設計、製造、封測三業並舉的產業架構，並初具規模。

但整體與國外領先水平相比，製造業仍有較大差距，先進工藝約落後兩代，生產規模不足國外領先企業的10%，關鍵產品如存儲器、CPU等尚未具備大規模生產能力，特色製造工藝的積累也不足。

雖有不足，但是在5G、智能終端和物聯網等新興應用帶來多重市場空間，在很多企業看來，這些劃時代的技術和應用在給全球帶來產業革命的同時，也會給他們帶來新的成長機遇，尤其是作為基礎支撐的半導體產業，在政策大力支持下，將面臨巨大的發展機遇。

半導體浪潮中的華虹宏力

華虹宏力便是此次機遇浪潮中的受益者，對華虹宏力來說，新興市場與熱點應用里蘊含著他們的無限機遇。

華虹宏力目前作為國內最大，全球第二大的8英寸晶圓代工廠，自建設中國大陸第一條8英寸集成電路生產線起步，目前在上海金橋和張江共有三條8英寸生產線（華虹一、二、三廠），截至2018年7月合計月產能超17萬片，在台灣、日本、北美和歐洲等地均提供銷售與技術支持。

華虹宏力作為全球領先的200mm純晶圓代工廠，主要專注於研發及製造特種應用的200mm晶圓半導體，工藝技術覆蓋1微米至90納米各節點, 其嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等差異化工藝平台在全球業界極具競爭力。

嵌入式存儲器技術：華虹宏力在嵌入式快閃記憶體市場上居技術領先地位，可以提供從0.5微米到90納米等工藝製程，涵蓋eFlash、eEEPROM、MTP、OTP等，應用包括智慧卡晶片和高中低端MCU等。

功率器件：華虹宏力是業內首個擁有深溝槽超級結(Deep Trench Super Junction，DT-SJ)及場截止型IGBT(Field Stop，FS IGBT)工藝平台的8英寸代工廠。

公司現已推出第三代DT-SJ工藝平台，技術參數達業界一流水平。

作為國內唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工廠，與多家合作單位陸續推出了650V、1200V、1700V等IGBT器件工藝，成功解決了IGBT的關鍵工藝問題。

射頻技術：隨著移動網際網路和無線通訊技術（4G/5G）的蓬勃發展，射頻晶片在智能終端和消費類電子產品中的應用也愈發廣泛。

射頻SOI技術非常適合用於智慧型手機以及智能家居、可穿戴設備等智能硬體所需的射頻前端晶片。

為此，華虹宏力推出了0.2微米射頻SOI工藝設計套件（PDK），有助於客戶提高設計流程的效率及輸出優質的射頻組件，從而減少設計改版及縮短產品推出市場的時間；0.13微米射頻SOI的研發正在穩步推進中，有望今年面市，以應對智慧型手機出貨量的持續增長及未來5G蜂窩通信的發展及應用。

同時，公司還提供一系列高性能且具備成本效益的射頻解決方案，包括射頻CMOS、高阻矽IPD（集成無源器件）以及配備射頻 PDK的嵌入式快閃記憶體工藝平台。

電源管理：隨著人們對綠色、節能需求的日益提升，高能效的PMIC技術越來越受重視。

華虹宏力作為完整的電源管理IC代工技術供應商，可提供久經驗證的CMOS模擬和更高集成度的BCD/CDMOS工藝平台。

其技術涵蓋1.0微米到0.13微米，電壓範圍覆蓋1.8V到700V，性能卓越、質量可靠，可廣泛應用於PMIC、快速充電（Fast Charge）、手機/平板電腦PMU以及智能電錶等產品領域。

在以上這些先進的差異化製造技術之外，華虹宏力還擁有多年成功量產汽車電子晶片的經驗，生產的晶片廣泛應用於電子消費品、通訊、計算機及工業及汽車領域。

2017年八月初，華虹宏力與無錫市政府及國家集成電路產業投資基金（簡稱大基金）簽訂了一份投資協議，三方將在無錫投資建設一座12英寸晶圓廠，項目總投資新的代工廠產能規劃為每月4萬片，主要為65-90納米產品做代工，這也將是華虹宏力的產品線的重要補充。

據華虹方面介紹，12寸廠的建設，不但可以獲得所需的產能，又能將工藝技術提升到65nm。

他們在90nm的的量產，會為之後在12寸晶圓上65nm的引入奠定基礎。

嵌入式非易失性存儲、射頻、電源管理晶片及相關IP，將會是首批轉移到12寸晶圓上的產品線。

這次也是華虹2廠自2007年量產以來，華虹新建的第一個工廠，這將會是他們卡位未來的一個重要棋子。

華虹無錫集成電路研發和製造基地項目得到國家大基金的強力金援，大基金向華虹半導體注資9.22億美元，其中4億美元投給華虹半導體，持股18.94%；5.22億美元投給華虹無錫，持股29%。

華虹無錫項目占地約700畝，總投資100億美元，一期投資25億美元，新建一條12英寸「超越摩爾」特色工藝集成電路生產線，採用先進工藝90～65/55納米、月產能約4萬片，支持5G、汽車電子和物聯網等新興領域的應用。

計劃將於今年下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝、通線並逐步實現達產，預計年產值將達50億元。

華虹宏力能否成為市場大潮中的弄潮兒？

如今，回頭看華虹宏力這一路走來，在很大程度上推動了我國先進半導體產業環境和上下游產業鏈生態系統的建立，同時也實現了很多從無到有的突破，包括第一顆手機SIM卡晶片、第一顆二代身份證晶片等，打破了海外廠商的壟斷，實現了國產化替代，產生了巨大的經濟社會效益。

華虹宏力在「中國芯」工程中的作用明顯。

在華虹半導體（華虹宏力母公司）發布的截至2018年6月30日的財報中，我們看到，公司來自國內的營收占比進一步提升，高達58.6%，特別是公司擁有先進的功率器件和電源管理晶片生產線，對於國內功率器件和電源管理IC設計公司自主研發的晶片實現量產銷售，起到了非常重要的作用，有效地提升了IC設計公司的產品市場競爭力。

隨著未來物聯網、5G、人工智慧的發展，華虹宏力對此做了相應的布局和規劃。

MCU領域，是華虹宏力的戰略重點，其包括嵌入式Flash/EEPROM/OTP/MTP等在內的全球領先的嵌入式非易失性存儲器技術，覆蓋了高、中、低端MCU晶片，為MCU設計公司提供了多種方案和選擇。

尤其是0.11微米超低漏電（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式快閃記憶體（eFlash）工藝平台，專為物聯網打造，為華虹宏力和客戶帶來了明顯的創新增長。

面向5G射頻前端，華虹宏力也會持續研發0.13微米的RF SOI工藝，這種絕緣體上矽（SOI）技術的RF版本工藝，擁有隔離襯底的高電阻特性，還有設計周期短、簡單易用、低功耗的特點，華虹宏力將積極推進其在5G射頻中的應用。

同時華虹宏力還在密切關注寬禁帶半導體工藝，其擁有高效、高頻、高功率、高穩定性、高線性度等優勢，在市場終端有需求的時候，華虹宏力將及時作出反應。

針對新能源領域，華虹宏力將持續擴展其在IGBT、MOSFET等功率器件方面的領先優勢。

應用上，1200V主要用於工業領域及太陽能發電，而1700V和3300V則主要對應風能，華虹宏力可根據客戶要求定製各種功率器件，滿足了市場多樣化需求。

在配套的充電樁領域，華虹宏力也有超級結MOSFET等產品。

可見，功率器件同樣是華虹宏力助力中國半導體產業發展、挖掘未來半導體機會的著力點。

在華虹宏力看來，未來雲計算、物聯網、大數據、智慧城市和5G的快速應用，將會推動12英寸晶圓的需求，再加上中國政府對集成電路發展的支持以及華虹宏力獲得國家的背書，形成了資本、技術、產業的疊加優勢，意味著在未來產品推進和合作商方面會獲得更多的機會，依賴於固有優勢的華虹宏力在這波大潮中抓住先機，力圖成為市場的弄潮兒。