中微交付韓國領先存儲器製造商用於3D VNAND快閃記憶體工藝的先進刻蝕機
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-Primo SSC AD-RIETM將在客戶最先進的試生產線上投入運行
上海和舊金山2015年7月9日電 /美通社/ -- 中微半導體設備有限公司（簡稱「中微」）宣布 Primo SSC AD-RIE™（中微單反應台等離子體刻蝕設備）已交付韓國領先的存儲器製造商。
Primo SSC AD-RIE™是中微公司目前最先進的介質刻蝕設備，可用於1X納米關鍵刻蝕工藝晶片加工。
在此之前，中微的 Primo SSC
AD-RIE™已在南韓的16納米最關鍵的刻蝕步驟上實現大批量生產。
這台交付的設備將在客戶最先進工藝的 3D VNAND試生產線上投入運行。
移動電子產品的飛速發展、以及大數據、社交傳媒的廣泛應用，使得人們對存儲器的存儲容量和讀取速度提出了更高的要求。
當前一代的 2D NAND 工藝很快將無法滿足不斷升級的需求。
3D VNAND 代表了下一代前沿工藝，中微的客戶正是技術進步的領跑者。
像存儲故障、光刻圖案技術的局限性等問題使在 2D NAND 工藝層面很難繼續向下一代工藝節點過渡，3D VNAND 則能解決這一難題。
3D
VNAND 帶來的好處還包括提高存儲容量和讀取速度，提升功率效能和可靠性，並降低生產成本。
「認識到 3D VNAND 快閃記憶體技術是存儲工藝的未來，我們在研發上投入了大量的人力和物力，與客戶緊密合作，開發用於這種高端製程工藝所必需的刻蝕技術。
」中微副總裁兼存儲及邏輯產品關鍵客戶大區總經理KI Yoon說道，「能夠在這家領先客戶的 3D VNAND
試生產線上占有一席之地是對我們長期努力的肯定。
另外，在這個只有少數一線刻蝕設備供應商高度競爭的領域，我們相信，我們的工藝質量和面對嚴峻技術挑戰的快速反應能力使我們贏得了訂單。
我們很高興也很自豪，能夠為這一重要客戶開發這項工藝。
」
Primo SSC AD-RIE 是採用高抽速，低壓，高能脈衝等離子體的手段為高深寬比刻蝕而開發的產品。
這是中微 Primo 刻蝕產品家族中的最新一代產品。
像中微其他所有刻蝕設備一樣，Primo SSC AD-RIE 具備先進的技術水平、超高的生產效率和較低的生產成本。
中微高管將參加下周（7月14日至16日）在美國舊金山舉辦的美國半導體設備和材料展覽會 SEMICON West。
一年一度的 SEMICON West 展會是全球半導體設備行業精英的重要盛會。
如需了解更多關於 SSC AD-RIE 和中微其他設備的信息，請訪問：http://www.amec-inc.com。
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