中國需要更多這樣的脊樑回國，其創辦的公司已瞄準3.5納米工藝

2016年中國前10強半導體設備商銷售收入48.34億元，同比增長28.5%，但其中最大的中電科電子裝備集團有限公司的銷售收入只有9.08億元，遠低於國際巨頭，我國前10強企業占全球半導體設備的份額只有2%左右。

2017年1月至6月，國內半導體設備行業完成銷售收入36.77億元，同比增長27.6%。

當前，隨著新一代信息技術的快速發展，集成電路需求量快速上升，我國半導體設備行業正迎來前所未有的發展機遇。

目前，我國已經實現了12英寸國產裝備從無到有的突破，總體水平達到28納米，刻蝕機、離子注入機、PVD、CMP等16種關鍵裝備產品通過大生產線驗證考核並實現銷售。

光刻機樣機研發成功並實現90納米曝光解析度，國產曝光系統與雙工件台實現研發目標；65-45納米工藝完成研發進入量產，28納米工藝完成研發即將進入生產，20-14納米工藝取得關鍵技術成果；集成電路封裝多項技術接近國際先進水平；拋光劑、濺射靶材等關鍵材料被國內外生產線批量應用。

部分應用於14nm的國產設備已經開始進入生產線，步入驗證。

目前國內已有9項裝備步入14nm驗證中，其中主要的廠商有北方華創（6項）、中微半導體（1項）、睿勵科儀（1項）和上海盛美（1項）。

今天我們就來重點談談中微半導體。

中微半導體:"在頭髮絲里建大廈"

中微目前在台積電已經順利進駐超過200台反應機台，並與台積電展開7納米工藝製程合作，未來將跨入下一世代5納米合作。

中微在全球已經建置582台反應機台。

目前中微半導體產品已經進入第三代10納米、7納米工藝，並進入晶圓廠驗證生產階段，即將進入下一世代5納米、甚至3.5納米工藝。

其中Primo AD-RIE™是中微公司用於流程前端（FEOL）及後端（BEOL）關鍵刻蝕應用的第二代電介質刻蝕設備，主要用於22納米及以下的晶片刻蝕加工。

基於前一代產品Primo D-RIE刻蝕設備已被業界認可的性能和良好的運行記錄，Primo AD-RIE做了進一步的改進：採用了具有自主智慧財產權的可切換低頻的射頻設計，優化了上電極氣流分布及下電極溫度調控的設計。

Primo AD-RIE已經成功通過了3000片晶片馬拉松測試。

除已證實其具備更優越的重複性及穩定性以外，該產品還可將晶片上關鍵尺寸均勻度控制在2納米內。

目前國際知名企業如意法半導體、博世半導體在MEMS領域TSV矽刻蝕也都採用中微機台。

中微半導體在北京已創下一個世界紀錄，其機台設備從導入到進入大生產階段僅需要42小時，而之前美國企業的保持紀錄則是44.5小時。

中微之所以取得如此巨大的成就離不開其創始人尹志堯。

尹志堯

尹志堯，出生於北京。

1968年，尹志堯從中國科學技術大學化學物理系畢業。

1980年，前往加利福尼亞大學洛杉磯分校留學，並獲得物理化學博士學位。

2004年，尹志堯在上海創辦中微半導體設備公司（AMEC）擔任公司董事長兼總裁。

尹志堯在美國矽谷從事半導體行業20多年，曾任應用材料公司副總裁。

1991年，尹志堯來到應用材料公司，負責研發工作，擁有60多項技術專利。

尹志堯開發或參與開發的產品，現在在這個領域大概占了全世界的50％。

另外，還幫助成立了矽谷中國工程師協會，並擔任了頭兩任的主席，被譽為矽谷最有成就的華人之一。

2004年，60歲的尹志堯帶領著三十多人的團隊回到中國。

中微半導體

「在米粒上刻字的微雕技藝上，一般能刻200個字已經是極限，而我們的等離子刻蝕機在晶片上的加工工藝，相當於可以在米粒上刻10億個字的水平。

」尹志堯說：「設備的研發比晶片新技術的研發至少要提前5年。

5納米估計5年以後用戶才能夠用的到，蘋果8是10納米技術。

而且5納米晶片技術需要50個學科才能把它集成起來，它的複雜度要做到人的頭髮絲萬分之一這麼小的結構。

」目前中微半導體能研發生產10nm到7nm的設備，已經與世界最前沿技術比肩。

其團隊中，上百人都曾是美國和世界一流的晶片和設備企業的技術骨幹，大都有著20到30多年半導體設備研發製造的經驗，而且這些工程師們有著物理、化學、機械、工程技術等50多種專業知識背景。

可以預期，隨著越來越多海外頂尖技術人才陸續回國，我國一舉突破海外半導體相關技術封鎖只是個時間問題。