本土IC生存實錄 | 未來篇

未來篇—需要進入藍海，解決發展與盈利之間的矛盾

中微副總裁、CCP等離子體刻蝕產品總經理麥仕義博士帶我回顧了中微半導體的產品開發歷程。

在中微半導體創立之初，半導體晶片工藝正從鋁導線向銅導線遷移，以往的金屬刻蝕方法逐漸過時，公司最初計劃投入介質刻蝕和薄膜設備的研發，但後來考慮到後者投資回報率不高，開始集中精力研發等離子介質刻蝕機產品，到2007年將產品推向第一個客戶測試時，基於客戶的需求打造了適用於65nm~28nm工藝的雙反應台多腔介質刻蝕機產品Primo D-RIE（去耦合反應離子刻蝕），這也是迄今為止中微半導體最成功的產品之一，由於設備晶片刻蝕效果好，產出能力比競爭對手的系統高出35%左右，而使用成本低35%，獲得了眾多客戶的青睞。

此後中微半導體又推出了適用於28nm~15nm工藝的雙反應台多腔介質刻蝕機Primo AD-RIE，適用於20nm~10nm工藝的單反應台多腔介質刻蝕機Primo SSC AD-RIE，以及最新推出的適用於28nm~15nm工藝的雙反應台刻蝕除膠一體機產品Primo iDEA，至此，中微半導體的等離子刻蝕機產品已經衍生出4個產品系列。

在國內，中微的介質刻蝕機在12英寸先進生產線，已占有35% 市場，在台灣最領先的晶圓公司的五條生產線上，已有140多個反應台實現大規模量產。

在南韓，中微最先進的刻蝕機已有近30個反應器，在16納米最關鍵的接觸孔刻蝕上達到每月14萬片晶圓的量產，取代了美國先進的刻蝕設備。

除此之外，中微半導體還推出了面向半導體後道封測工序的矽通孔刻蝕機Primo TSV矽通孔刻蝕機，已占國內相關的市場50%以上，並進入台灣和新加坡的生產線。

中微還開發了面向LED晶片前道生產工序的MOCVD設備Prismo D-Blue，其中MOCVD產品2014年推出就有十多台被客戶試用，同時在LED晶片之外還被客戶試用於氮化鎵功率器件的生產，未來應用前景廣闊。

中微半導體在客戶生產線的設備安裝台數

可以說，從2009年45nm等離子刻蝕機進入台積電供應鏈，到2012年，中微半導體實現快速增長，2012年以來每年均保持40%的年增長速度，今年會達到5億人民幣以上的銷售。

2013年的設備產品出口占中國泛半導體出口的64%。

其中國內高端設備出口幾乎全部來自中微的貢獻。

2014年中微設備出口較前一年進一步提高了60%。

2013年中微半導體設備產品出口占比情況

中微半導體產品進入市場的勢頭和高速的發展

如今，中微已將其半導體晶片加工技術推廣到更多應用領域，包括有極大成長空間的以矽為襯底的後端封測產業，以及以MOCVD為關鍵設備的發光二級管節能工業。

公司從單一的半導體前端設備公司逐漸發展成為多元產品的微觀加工設備公司。

了解半導體晶片加工過程的人都知道，光刻、等離子刻蝕和化學薄膜是晶片前端加工過程的三大核心技術。

在移動處理器領域，尤其高端處理器領域，被認為是業界的一條鐵律即未來這一領域將僅存不超過3家供應商。

這一定律在任何一個高端技術領域同樣適用，半導體設備領域亦然，在中微半導體所處的高端等離子刻蝕機領域，如今僅存美國科林、應用材料（2013年應用材料收購了原市占率第三位的東京電子）和中微半導體三家，中微的12英寸CCP介質等離子體刻蝕機已成為和美日設備並列的三個最有競爭力的產品之一；矽通孔刻蝕機領域，有東京電子、美國科林、中微半導體和英國的SPTS幾家供應商，中微的TSV矽通孔刻蝕機是業界唯一的雙台機，是性能好，而且加工成本最低的刻蝕設備，已成為和美國，日本和歐洲TSV刻蝕機競爭的勁敵；在利用其優勢的化學薄膜技術積累推出的MOCVD領域，有美國Veeco、中微半導體和德國Aixtron三家供應商。

中微的MOCVD和美國最新機型都是具有自動傳送的四個反應器系統，可以連續加工上百批LED，是業界僅有可做到這個水平的兩種設備之一。

而中微之所以能夠跟應用材料和科林等這些國際大廠抗衡，源於幾點：1. 團隊的力量，掌握了核心技術和大量專利；2. 政府支持，持續的資金投入，保證公司的資金鍊；3. 電子行業不斷有新的挑戰性，包括矽通孔產品、MOCVD等新的市場機會，不斷需要新的微觀加工產品來滿足新需求，就給了像中微這樣的後來者跟國際大廠站在同一起跑線上的機會；4. 創業前期進行了充分的客戶、市場調研與部署。

雖然尹志堯坦言經歷的幾場專利官司和金融危機在其預期之外，拖慢了公司的發展步伐，但目前投入和回報在正常預估範圍內，預計未來一兩年將達到盈虧點。

我們看到2015年將是晶圓廠12英寸產線擴張的重要一年，包括台積電、聯電、GlobalFoundries、三星等廠商都在加大對新廠、新產線的投入，對中微而言將是關鍵的一年。

談到中微半導體對未來的規劃，「我們會堅持做自己熟悉的東西，也就是微觀加工最關鍵的等離子體刻蝕和化學薄膜設備。

後面做矽通孔和傳感器刻蝕機、MOCVD都沒有脫離這些核心的技術積累，而是結合產業發展趨勢，在原有技術基礎上不斷擴展產品線和市場應用，將從前端到後端，到新能源，再到前端，不斷引入新產品，確保高成功率，不斷擴大市場占有率。

做到市場地域分散，應用領域分散，從而分攤風險，保證營收的穩定持續增長。

」尹志堯如是說。

「我們一定爭取在未來十年，中微半導體業務實現10倍的增長，年複合增長率保持在30%左右。

」

中微半導體的產品發展路徑

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