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中國半導體奮起直追 瞄準FD-SOI工藝

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目前，國際領先半導體廠商贏推進到10nm工藝，而且都使用了FinFET立體電晶體技術，但此外其實還有一種FD-SOI技術，GlobalFoundries(格芯)剛剛在成都開建的新晶圓廠就會使用22nm FD-SOI。

上海華力微電子(HLMC)在攻關28nm、14nm工藝的同時，也在評估FD-SOI技術，希望憑藉其低成本優勢和FinFET技術展開競爭。

這一方面有中國半導體廠商競爭乏力的因素，尤其是FinFET技術難度高，另一方面中國代工廠越來越多地瞄準了IoT物聯網領域，在這裡成本更關鍵，FD-SOI技術的優勢就體現出來了。

華力微電子去年底宣布投資387億元建設第二座300mm晶圓廠，工藝路線是28nm、20nm、14nm FinFET，規劃月產能4萬片晶圓，預計2018年試產，2022年量產。

另外，上海新傲科技(Simgui) 2015年已開始生產SOI工藝的200毫米晶圓，引入的是法國Soitec公司獨有的Smart Cut技術。

不過，中國廠商在在這方面還要面對GlobalFoundries這座大山，人家2015年就推出了22nm FD-SOI工藝(22FDX)，專供快速發展的移動、物聯網、射頻、網絡領域，可提供類似FinFET技術的性能、能效(電壓只需0.4V)，而成本大致和28nm工藝在同一檔次。

2016年9月，GlobalFoundries還推出了更新的12nm FD-SOI技術(12FDX)，面向移動計算、5G、人工智慧、自動駕駛等領域。

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