傳京東方將進軍存儲晶片 中國企業具大量發展機會

近日，有韓國媒體「中央日報日文版」報導，我國液晶面板廠京東方 (BOE)有意進軍存儲器晶片行業，引發市場關注。

受到《國家集成電路產業發展推進綱要》發布以及國家集成電路產業投資基金成立等利好政策的助推，今年以來包括存儲晶片在內的集成電路產業，熱度不斷升高，據悉積極爭取設立DRAM廠的地方政府已達6家。

由於全球存儲產業正處於轉型期，加之市場廣闊，即使行業已趨於高度壟斷，如果政策到位、措施得當，未來中國切入存儲產業，依然存在機會。

中國積極介入存儲產業

「作為四大通用晶片之一，發展存儲晶片產業的意義不言而喻。

對電子產品來說，它就像糧食一樣不可或缺。

它與數據相伴而生，哪裡有數據，哪裡就會需要存儲晶片。

」華芯半導體總裁高傳貴強調存儲產業重要性時向記者指出。

而且隨著大數據、物聯網等新興產業的發展，存儲產業與信息安全等息息相關。

通信基帶晶片固然十分重要，也是目前中國IC行業取得重要進步的領域，但是其整個市場加起來也才300億美元左右，而全球存儲器市場卻高達800億美元，中國每年進口的存儲晶片就達600億美元。

發展存儲器，可以說是戰略性產業中的重要一環。

因此，2014年《國家集成電路產業發展推進綱要》發布之後，集成電路行業引發了一輪高速成長，發展存儲產業受到格外重視。

今年3月武岳峰資本宣布以6.4億美元併購在美國上市的芯成半導體，便是中國向存儲產業進軍的重要一步。

此外，2014年武漢新芯與美國飛索半導(Spansion)簽約，聯合研發生產3D NAND;中芯國際自主研發的38納米 NAND快閃記憶體工藝準備就緒，開始為客戶提供代工服務。

這些都是中國在發展儲存產業時取得的進展。

京東方進軍存儲產業則是這一背景下最新的一條消息。

不過記者致電京東方，該公司給予了否定性的答覆。

儘管如此，中國發展存儲產業的動力和信心已十分明顯。

據悉，目前已有6家地方政府正在積極爭取設立DRAM廠，整合上游廠商發展出具中國自有技術並聯合中、下游的產業，構成一條龍的供應鏈，形成群聚效應，進而推進中國半導體產業的進一步成長。

韓國產業研究院(KIET)研究員Ju Dae-Yeon認為，液晶面板和半導體的工藝製程上有很多相似點。

京東方進入存儲產業存在機會。

DRAMeXchange統計顯示，2014年中國市場的DRAM消化量金額為102億美金，占全球營業額約20%，龐大內需就足以撐起中國DRAM產業的發展。

從低容量存儲切入存機會

當然，中國發展存儲產業並不容易。

目前全球存儲業已經進入高度壟斷時代。

根據美光公司提供的一組數據，2008年全球前五大存儲晶片公司，包括三星、海力士、美光、閃迪、爾必達，總營收為整個市場的75%。

而過去12個月(美光2013年第三財季至2014年第二財季)，全球前五大存儲晶片公司，包括三星、美光、SK海力士、東芝、閃迪，總營收已占整個市場的95%。

在DRAM產業方面，三星、SK海力士、美光紛紛搶進20納米製程世代，業界原本預期20納米製程是DRAM產業最後一個製程世代，目前各家DRAM大廠又在積極投入研發1x納米製程，希望能夠突破瓶頸。

在這樣的背景之下，包括京東方在內的中國企業進入這個競爭激烈的存儲產業並不容易。

對此，高傳貴指出，從產業機會上看，存儲產業的生產工藝進入20nm時代，雖然前進的腳步開始放慢，它仍在不斷發展進步，新技術、新工藝、新的產品形態不斷湧現，工藝縮減，性能提高，功耗降低，仍然具有極大的市場活力，仍然擁有大量可以深入挖掘的發展空間。

既然整體產業仍然還有如此之大的縱深，中國企業當然具有大量的發展機會。

從市場機會上看，中國企業也完全有能力把DRAM做好。

中國作為全球最大的電子產品生產基地，DRAM又是最接近用戶的電子零部件產品，而且技術工藝成熟，商業模式穩定。

雖然目前三星、現代、美光三大企業占據著主導地位，但是依然存在很大的市場空間，特別是在那些新興行業與細分市場裡。

另據市場人士指出，目前三星、東芝、海力士、美光全力搶攻高容量NAND Flash，退出低容量NAND Flash行列，但在物聯網快速崛起下，低容量NAND Flash需求暴增，開始呈現供不應求的景況。

這個市場空間可以成為中國企業進軍存儲市場的灘頭陣地。

低容量NAND Flash晶片主要是指8Gb容量以下產品，主要應用在電視、機上盒、功能型手機、車用電子等市場，國際大廠近年來把重心放在產值更大的高容量市場，陸續退出低容量晶片。

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