自主晶片最新進展:中國最接近世界一流晶片量產在即

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中美貿易戰讓外界看到中國在晶片領域的致命弱點,不過,這種情況正慢慢地改變。

綜合媒體北京時間8月7日報導,8月4日,中國工信部電子司前司長、紫光集團聯席總裁刁石京稱,該國首批擁有自主智慧財產權的32層三維NAND快閃記憶體晶片將在第四季度量產。

中國不斷加大對晶片的投資,未來將收穫回報

據悉,長江存儲於2017年成功研發中國首顆32層三維NAND快閃記憶體晶片,並獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。

中新社稱,上述晶片耗資10億美元,由千人團隊耗時2年研發,是中國主流晶片中研發製造水平最接近世界一流的高端存儲晶片。

刁石京,目前,晶片生產設備正在進行安裝調試,32層三維NAND快閃記憶體晶片將在一號晶片生產廠房量產。

他還透露,64層三維快閃記憶體晶片研發也在進行中,計劃2019年實現量產。

刁石京表示,中國晶片技術落後於世界,但自主研發的腳步始終沒有停止,兩代晶片實現量產後將縮短與美國、日本、韓國等國家在存儲晶片上的差距。

據悉,長江存儲由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北省科技投資集團共同投資建設,負責國家存儲器基地項目。

根據規劃,至2023年,基地產能將達到每月30萬片,並形成設計、測試、封裝、製造、應用等上下游集群。

另據報導,在今年5月21日,長江存儲從荷蘭阿斯麥(ASML)訂購的光刻機已抵達武漢。

該光刻機價值高達7,200萬美元,摺合人民幣高達4.6億元。

光刻機是生產大規模集成電路的核心設備,對晶片工藝有著決定性影響。

據報導,長江存儲訂購的上述光刻機採用193nm沉浸式設計,可生產20nm至14nm工藝的三維NAND快閃記憶體晶圓。

自美國封殺中興通訊以來,中國多個機構已推出多款晶片。

4月23日,中國電科38所推出實際運算性能業界同類產品最強的數位訊號處理器,即「魂芯二號A」。

該處理器被指單核性能超過當前國際市場上同類晶片性能4倍。

5月14日,中國兩家科研機構相繼宣布成功研發3,500萬門級FPGA、7,000萬門級FPGA。

FPGA是現場可編程門陣列,可滿足軍用裝備、通信設備需求。


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