獨家2016上海FD-SOI論壇圖文報導

2021-01-29

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今天，關注FD-SOI工藝的2016上海FD-SOI論壇開幕，來自業界的近300位技術高管齊聚，探討這一工藝技術的發展，從2014年舉辦第一屆FD-SOI論壇以來，FD-SOI工藝技術蓬勃發展，目前三星、ST和格羅方德都推出了FD-SOI代工服務業務，其中，格羅方德今天還在全球宣布推出12nm工藝的12FDX平台，它能以低於16nm FinFET的功耗和成本提供等同於10nm FinFET的性能。

該平台支持全節點縮放，性能比現有FinFET工藝提升了15%，功耗降低了50%。

以下是論壇圖文報導。

論壇主持人，芯原股份有限公司創始人董事長兼總裁戴偉明致辭，

中國科學院上海微系統與信息技術研究所所長王曦致辭

他談到目前這個論壇已經舉辦了三年，今年有208人參會，2016年是對IC行業非常好的一年，FD-SOI是個非常高性價比的方案，可以生產各類晶片，三星已經提供28.22nm FD-SOI晶片，已經有量產的晶片應用到物聯網，中國小米的晶片已經獲得採用，中國在FD-SOI應用發揮了巨大的作用，2013年我們舉辦論壇就是相信中國有FD-SOI應用的基礎，今天，華芯投資路軍也來到現場發表致辭。

華芯投資總裁路軍致辭，路軍說「我們剛剛慶祝華芯投資兩歲生日，在市場化運作方面我們進行了有益的探索，運行穩健，涉及28家企業，638億人民幣，實際投資超過400億，對外已經完成了一期規模的一半」

他認為FD-SOI的高性能和低功耗成為FinFET工藝的有力補充

中科院微電子所所長葉甜春致辭，他說見證了FD-SOI不斷壯大，未來物聯網大數據日益走熱，他提出一個問題，如果FD-SOI如果有大規模商用，是不是要考慮一個商業模式問題？FD-SO有天然的優勢，不是不是要考慮終端廠家從產品定義角度來發揮這個工藝的優勢？芯原一直在推動FD-SOI發展，下一次會議是否可以把華為中興請來一起來定義FD-SOI晶片？

三星LSI 執行副總裁Jong-shik Yoon致辭

去年年底我們解決了28nm FD-SOI良率問題

在低壓下，電晶體更快30% ，後更多增益，還可以縮小面積

2016年有16個產品流片，主要是MCU ，物聯網晶片

「未來應用前景很好，下一代FD-SOI要考慮穩定性，三星已經做好了代工準備，歡迎使用三星的技術，我認為28nm有前景，壽命更長」

傳送陣：

2016上海FD-SOI論壇——芯原股份有限公司創始人、董事長兼總裁戴偉民《打造中國的FD-SOI生態系統》圖文報導

2016上海FD-SOI論壇——格羅方德產品管理高級副總裁Alain Mutricy致辭圖文報導

2016上海FD-SOI論壇——索尼物聯網事業部總經理 Nobuyasu Matsuoka《FD-SOI的物聯網應用》圖文報導

2016上海FD-SOI論壇——ARM公司物聯網IP總經理 Will Abbey演講圖文報導

2016上海FD-SOI論壇——格羅方德CTO 兼全求研發高級副總裁Gary Patton發言圖文報導

2016上海FD-SOI論壇——IBS CEO Handel Jones 演講《FD-SOI 成本胡市場分析》