訴三星/高通/格羅方德FinFET技術侵權，這家公司有多牛？

除了智慧型手機知名之外，三星還是全球重要的半導體公司，在2016年TOP20半導體公司中營收排名第二，僅次於英特爾（Intel），領先於台積電（TSMC）。

在FinFET代工上，三星也比TSMC公司搶先量產14nm FinFET工藝，不僅為高通（Qualcomm）代工驍龍820/821處理器，還把14nm工藝工藝授權給了AMD好基友格羅方德（GlobalFoundries）公司。

三星為何在FinFET工藝上領先？TSMC早前指責三星挖走了TSMC前研發部門高管Liang Mong-song，後者帶著技術資料跳槽，他們認為三星在14nm FinFET工藝上進展迅速就是靠著TSMC的技術，不過TSMC跟三星之間只是打了嘴仗，TSMC並沒有起訴三星。

這次不同了，這家公司直接向法院起訴了，顯然是有備而來。

韓國科學技術院（KAIST）專利管理子公司 KAIST IP，日前向德州聯邦地方法院提起專利侵權訴訟，控告三星電子、Qualcomm和GlobalFoundries擅自盜用其所擁有的「FinFET」技術專利，要求支付專利使用費。

KAIST IP 指出，「長期以來持續和三星就支付使用費一事進行協商，不過三星全面拒絕，導致協商破裂。

且除了三星、Qualcomm和GlobalFoundries之外，今後也計劃對台灣台積電、蘋果（Apple）提告」。

KAIST IP 表示，三星、GlobalFoundries、台積電使用 FinFET 技術生產、銷售手機晶片，但卻不支付使用費。

三星、GlobalFoundries供應晶片給高通，台積電則幫蘋果生產 iPhone 用晶片。

雖然普通人沒聽過KAIST（韓國科學與技術學院）的名頭，不過他們去年是非美國院校在美國申請專利第二多的高校，申請了105項專利，排名第一的則是中國清華大學，申請了185項專利，因此KAIST在科研實力上還是很有底氣的，他們這次通過管理專利的子公司KAIST IP在美國德州聯邦法院提起了法律訴訟，指控三星、GlobalFoundries及Qualcomm侵犯了他們編號為6885055的美國專利——一種雙柵極FinFET設備及其製造方法。

根據KAIST所述，2001年還在韓國圓光大學任職的教授Lee Jong-ho提出了這種技術，三星當時對FinFET工藝並沒有任何興趣。

不過在Intel率先推出類似FinFET工藝的3D電晶體技術之後，三星邀請了Lee教授給自家工程師演講，獲得了這種專利技術。

KASIT IP指出，三星盜用Lee教授的技術可以節省大量開發時間和成本，但卻沒有支付任何專利費。

他們指責三星還在持續侵犯該技術，絲毫不考慮Lee教授的權益或者適當的補償。

由於三星的14nm FinFET工藝不僅自己用，還授權給了GlobalFoundries公司，並為Qualcomm代工處理器，因此後面兩家也一起被告上了法庭。

據報導，三星關係人士已表示，「目前正在掌握訴狀內容。

三星從 2000 年代初期就研發 3D 半導體技術，並擁有 FinFET 技術相關的自家專利」。

另外，FinFET技術的發明人是胡正明教授，不知道他申請了多少專利。

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