「業內熱點」EUV光刻機對半導體製程的重要性
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集成電路在製作過程中需要經歷材料製備、掩膜、光刻、刻蝕、清洗、摻雜、機械研磨等多個工序,其中以光刻工序最為關鍵,因為它是整個集成電路產業製造工藝先進程度的重要指標。
而光刻工序用到的設備--光刻機則是集成電路製造中最精密複雜、難度最高、價格最昂貴的設備,用於在晶片製造過程中的掩膜圖形到矽襯底圖形之間的轉移。
光刻機的發展經過了一個漫長的過程,1960年代的接觸式光刻機、接近式光刻機,到1970年代的投影式光刻機,1980年代的步進式光刻機,到步進式掃描光刻機,到浸入式光刻機和現在的EUV光刻機,設備性能不斷提高,推動集成電路按照摩爾定律往前發展。
EUV作為下一代技術的代表,不需要多重曝光,一次就能曝出想要的精細圖形,沒有超純水和晶圓接觸,在產品生產周期、OPC的複雜程度、工藝控制、良率等方面的優勢明顯。
但是也需要繼續優化。
特別是EUV的曝光方式,降低EUV掩膜版的缺陷,以及晶圓產率方面還有很大發大空間。
EUV光刻機對7nm及以下的工藝節點非常重要,台積電、三星兩大代工巨頭均已在最新產品中引入7納米EUV技術。
EUV光刻機壟斷者ASML
目前,光刻機領域的龍頭老大是荷蘭ASML,並已經占據了高達80%的市場份額,壟斷了高端光刻機市場。
ASML公司日前發布2018年Q3季度財報,當季營收27.8億歐元,凈利潤6.8億歐元,出貨了5台EUV光刻機,全年預計出貨18台,明年將增長到30台,而且明年下半年會推出新一代的NXE:3400C型光刻機,生產能力從現在的每小時125晶圓提升到155片晶圓以上,意味著產能提升24%。
在現有的EUV之外,ASML與IMEC比利時微電子中心還達成了新的合作協議,雙方將共同研發新一代EUV光刻機,NA數值孔徑從現有的0.33提高到0.5,可以進一步提升光刻工藝的微縮水平,製造出更小的電晶體。
NA數值孔徑對光刻機有什麼意義?,決定光刻機解析度的公式如下:
光刻機解析度=k1*λ/NA
其中k1是常數,不同的光刻機k1不同,λ指的是光源波長,NA是物鏡的數值孔徑,所以光刻機的解析度就取決於光源波長及物鏡的數值孔徑,波長越短越好,NA越大越好,這樣光刻機解析度就越高,製程工藝越先進。
現在的EUV光刻機使用的是波長13.5nm的極紫外光,而普通的DUV光刻機使用的是193nm的深紫外光,所以升級到EUV光刻機可以大幅提升半導體工藝水平,實現7nm及以下工藝。
但是改變波長之後再進一步提升EUV光刻機的解析度就要從NA指標上下手了,目前的光刻機使用的還是NA=0.33的物鏡系統,下一代的目標就是NA=0.5及以上的光學系統了。
如今ASML與IMEC合作的就是高NA的EUV工藝了,雙方將成立一個聯合實驗室,在EXE:5000型光刻機上使用NA=0.55的光學系統,更高的NA有助於將EVU光源投射到更廣闊的晶圓上從而提高半導體工藝解析度,減少電晶體尺寸。
如今這項研究才剛剛開始,所以新一代EUV光刻工藝問世時間還早,此前ASML投資20億美元入股蔡司公司,目標就是合作研發NA=0.5的物鏡系統,之前公布的量產時間是2024年,這個時間點上半導體公司的製程工藝應該可以到3nm節點了。
國內2019年迎首台EUV光刻機
光刻機是中國在半導體設備製造上最大的短板,處於技術領先的上海微電子裝備有限公司已量產的光刻機中,性能最好的是能用來加工90nm晶片的光刻機,與國外的技術差距說是鴻溝都不為過。
正是因此,國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口。
在國內,一直流傳著一種聲音,即受西方《瓦森納協議》的限制,中國只能買到 ASML 的中低端產品,出價再高,也無法購得 ASML 的高端設備。
這一說法受到ASML 中國區總裁金泳璇的否認。
金泳璇在接手媒體採訪時澄清:ASML 對大陸晶圓廠與國際客戶一視同仁,只要客戶下單, EUV 要進口到中國完全沒有任何問題。
在交期方面,所有客戶也都完全一致,從下單到正式交貨,均為21個月。
而這一說法在中芯國際向ASML訂購的一台最新型EUV極紫外線光刻機之後,貌似經過了證實。
這一中國大陸首台 EUV 光刻機,將在2019年交付。
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