智原發表PowerSlash(TM)IP於聯電55ULP 支持物聯網應用開發

台灣新竹2016年10月12日電 /美通社/ -- 聯華電子（UMC，TWSE: 2303）與ASIC設計服務暨IP研發銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日共同發表智原科技於聯電55奈米超低功耗工藝（55ULP）的 PowerSlash™ 基礎IP方案。

智原 PowerSlash™ 與聯電工藝技術相互結合設計，為超低功耗的無線應用需求技術進行優化，滿足無線物聯網產品的電池長期壽命需求。

智原科技營銷暨投資副總於德洵表示：「物聯網應用建構過程中，效能往往受制於低功耗技術。

而今透過聯電55奈米超低功耗技術以及智原 PowerSlash™ IP 的加速模式（Turbo Mode）功能，為物聯網應用環境帶來至關重要的解決方案，除了省電更提供絕佳的效能。

再次，聯電和智原共同締造了成功的晶片服務技術。

」

智原 PowerSlash™ IP 包含多重臨界電壓組件庫、內存編譯器和電源管理組件，能夠充分利用聯電 55ULP 的優勢在0.81V至1.32V廣域電壓下運作。

此外，新的加速模式功能可以有效調升性能曲線，幫助 MCU 核心達到2倍效能，在相同額定頻率下減少約40%的動態功耗。

聯電矽智財研發暨設計支持處的莫亞楠資深處長也表示：「物聯網晶片設計師對於有效的節能解決方案有高度的需求。

聯電擁有晶圓代工業界中最健全的物聯網專屬55奈米技術平台，結合完整的矽智財方案，可以支持物聯網產品的不間斷低功耗要求。

藉由智原在我們的 55ULP 平台上發表的 PowerSlash™ IP，能夠讓客戶使用完善的工藝平台，協助提供物聯網產品的獨特需求。

」

PowerSlash™ IP 結合智原的低功耗設計系統、系統晶片超低功耗控制組件與 FIE3200 FPGA 平台，可以使用在低功耗集成電路的前端設計或後端開發階段。

聯電的 55ULP 技術能夠支持較低的操作電壓及 sub-pA 裝置漏電，為含有鈕扣電池的產品提供理想的的晶圓工藝。

智原與聯電合力的超低功耗解決方案，為超低功耗集成電路設計平台帶來新的基準。

關於智原科技

智原科技（Faraday Technology Corporation, TWSE: 3035）為專用晶片（ASIC）設計服務暨智慧財產權（IP）研發銷售領導廠商，總公司位於台灣新竹科學園區，並於美國、日本、歐洲與中國大陸設有研發、營銷據點。

智原科技主要提供智慧財產權及專用晶片設計方案等服務項目。

重要的 IP 產品包括：I/O、Cell Library、Memory Compiler、ARM-compliant CPUs、DDR 2/3/4、低功耗 DDR 1/2/3、MIPI、V-by-One、MPEG4、H.264、USB 3.X、10/100/1000 Ethernet、Serial ATA、PCI Express，以及可編程 SerDes 等數百個外圍數字及混合訊號 IP。

更多信息請瀏覽智原科技網站：www.faraday-tech.com

關於聯華電子

聯華電子身為半導體晶圓專工業界的領導者，提供先進工藝與晶圓製造服務，為 IC 產業各項主要應用產品生產晶片。

聯電完整的解決方案能讓晶片設計公司利用尖端工藝的優勢，包括28奈米 Poly-SiON 技術、High-K/Metal Gate 後閘極技術、混合信號／RFCMOS 技術，以及其他涵蓋廣泛的特殊工藝。

聯電現共有十座晶圓廠，其中包含位於台灣的 Fab 12A與新加坡的 Fab 12i等兩座12吋廠。

Fab 12A廠第一至四期目前生產最先進至28奈米的客戶產品，第五、六期已興建完成，第七、八期則已在規劃當中。

聯電在全球約有超過15,000名員工，在台灣、日本、韓國、中國大陸、新加坡、歐洲及美國均設有服務據點，以滿足全球客戶的需求。

聯華電子官網請見：www.umc.com。