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智原攜手聯電 發表55奈米eFlash製程解決方案

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聯電（2303）與ASIC設計服務領導廠商智原（3035）今共同發表，在聯電55奈米低功耗嵌入式快閃記憶體(embedded flash, eFlash)製程的基礎矽智財元件庫（cell library）、記憶體編譯器（memory compiler），以及關鍵介面IP等。

這套完整的55奈米eFlash解決方案可同時滿足市場對低功耗與高密度的設計需求，尤其適用於各種物聯網（IoT, Internet of Things）與穿戴裝置（wearable devices）等應用。

對於需要長時間待機的電子裝置，為了延長電池續航力，低功耗的設計是首要門檻。

為了滿足這樣的需求，智原透過低漏電記憶體周邊的優化設計，將記憶體編譯器的功耗大幅降低，甚至在待機模式（stand-by mode）時，降低幅度達70%以上。

功能強大的I/O元件庫在數位與類比介面都有提供，並有一套與5.0伏特介面相容的高壓I/O元件庫可供選擇。

這些IO元件庫都是採用聯電高臨界電壓HVT(high threshold voltage)的核心元件所設計完成， 以達到降低漏電的功能。

除了基礎IP之外，智原也開發完成了一些關鍵介面IP，包含採HVT設計的低功耗USB 2.0 OTG PHY，在閒置狀態（idle mode）下，相較於傳統方法所設計出的OTG PHY，大幅降低了65%的功耗。

智原科技市場處處長暨發言人顏昌盛說：「針對低功耗的應用產品，智原從0.18微米、0.11微米、到現在的55奈米eFlash製程，與聯電始終保持非常密切的合作關係，以建構強大的解決方案平台，提供客戶採用。

智原奠基於長期以來所累積的IP開發實力以及對聯電製程的熟悉度，所以這次得以推出大幅降低功耗的矽智財。

而隨著這項重大里程碑的達成，以及智原與聯電的持續合作，相信雙方的客戶都將能在最短的時間內，攫取物聯網市場的新興商機。

」

聯電矽智財研發暨設計支援資深處長林世欽表示：「聯華電子持續致力於擴大我們在IP資料庫上的建構，以帶給物聯網晶片設計人員更滿意的低功耗效益。

我們的55奈米低功耗SST eFlash技術是一個已經被廣泛採用、有強大IP與設計資源投入、可供量產的製程。

很高興能有智原加入聯電55奈米製程平台的解決方案，協助客戶進一步擴展功耗導向的應用市場商機。

聯華電子期待能和智原有更進一步的合作，以滿足未來需求。

」

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