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晶圓工藝製程達到1納米會怎樣

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晶圓工藝是從大的方面來講，晶圓生產包括晶棒製造和晶片製造兩大步驟，它又可細分為以下幾道主要工序，其中晶棒製造只包括下面的第一道工序，其餘的全部屬晶片製造，所以有時又統稱它們為晶柱切片後處理工序。

在現在的材料下，晶圓的工藝製程的極限是5nm。

我們知道，這個工藝越先進，電晶體就越小，相同面積的晶片就可能塞進更多的電晶體了，理論上能晶片的性能和功耗都會得到改善。

光把硬體做出來沒用啊，在晶體晶片領域，功耗、集成密度、時鐘頻率是三個相互依賴又相互矛盾的存在，集成密度低，電壓就要高，性能才上得去，集成密度高，電壓必須得低，否則會燒毀。

計算機的本質就是在介質上鐫刻通道和開關，讓電子沿著設計好的道路流動。

而當工藝進步到個位數納米後，由於原子本身的沙漏效應，已經無法堵住比它自己更小的電子了，自然計算機就算不起來了。

線寬會有限度的，不可能一直小下去，目前出於材料方面的問題，10幾納米已經非常困難，但是目前依然有向7納米以下製程邁進的趨勢。

目前的以矽作為介質的電晶體直徑最小只能達到6納米，小於六納米就會受到量子隧道效應的影響了。

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