海茲定律要接摩爾定律的班？

2015年是LED產業很低潮的一年，尤其是中上游，經歷了產能過剩，晶片與燈珠一個月一個價，跌跌不休讓晶片與燈珠的議價幾乎是一個很痛苦的過程，相信很多從事LED技術的人跟我一樣有一種不如歸去的感覺，所以我封筆一年進行無言的抗議!

去年的秋天，當我在日本福岡參加2015年WUPP for wide bandgap Semiconductors論壇與2014年諾貝爾物理獎得主天野浩教授交流之後，我對這個行業又燃起了一線曙光，這也是我今天在封筆一年之後給大家的一個2016新年獻禮。

2015年8月的WUPP會議

大學或研究所的時候，如果是電子或半導體科系的學生一定會修固體物理或半導體物理，我們知道IC有摩爾定律，但是由於課程的編排，在化合物半導體這部分比較少著墨，所以很少人知道在化合物半導體裡面的光電領域有一個LED海茲定律。

先看看IC的摩爾定律：

集成電路晶片上所集成的電路的數目，每隔18個月就翻一倍，微處理器的性能每隔18個月提高一倍，或價格下降一半。

如下圖所示：這個定律在2010年20納米製程之後就有一點欲振乏力了，摩爾定律遭遇了一個嚴酷的考驗，科學家與半導體工程師都絞盡腦汁延長摩爾定律，在半導體技術上尋求突破?

微觀的摩爾定律

巨觀的摩爾定律

效能與速度的摩爾定律

關鍵時刻總是會有一個英雄來拯救，美國加州大學伯克利分校傑出講座教授胡正明教授就是半導體行業的救星，他發明了一種FinFET技術，可以將半導體製程線寬縮小到10納米到12納米的製程(柵極的線寬越窄，處理器的工作速率越快)。

詳細技術細節請看下圖所示，當別人絞盡腦汁利用曝光技術縮小線寬極限的時候，他首先解決晶體做薄後漏電的問題，反其道而行的向上發展，晶片內構從水平變成垂直。

這個技術不但延長了摩爾定律，也讓我們人類在這個電子資訊時代生活更快捷更便利。

FinFET技術示意圖

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