2017年旗艦機標配！高通驍龍835規格曝光：功耗暴降40%

高通新一代旗艦級處理器驍龍835即將於CES開幕之初發布，原定於1月6日做主題宣講，但是這次高通的保密工作做得有點差，昨天相關的PPT就已經出現在了網絡上，詳細規格已被曝光，今天網上又出現了驍龍835的官方新聞稿，再次確認了規格信息。

驍龍835基於三星10nm FinFET工藝，採用八核心設計，4顆2.45GHz大核、4顆1.9GHz小核，大小核均為高通自主的Kryo 280架構，GPU為Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝、LPDDR4x四通道內存、Quick Charge 4快速充電技術等。

綜合指標上，驍龍835的性能比驍龍820提升了27%，能耗降低了40%。

基於10nm FinFET工藝，功耗相比驍龍801降低50%

正如之前公開的信息所顯示的那樣，高通驍龍835採用的是三星10nm FinFET工藝，是目前最先進的半導體製程工藝。

值得注意的是，驍龍835所採用的10nm工藝是三星的第二代FinFET工藝。

全新的10nm工藝使得驍龍835的die size更小、封裝更小，能效更高。

官方數據稱，驍龍835的晶片面積相比驍龍820縮小了30%。

這也使得基於驍龍835的晶片手機能夠做得更輕薄，同時在擁有更低的功耗和更長的續航。

得益於三星10nm工藝的加持，驍龍835在CPU功耗上相比之前的驍龍801降低了50%。

全新Kryo 280架構八核

高通驍龍835採用的是八核心，4顆2.45GHz大核、4顆1.9GHz小核（相比之前的驍龍820主頻分別提高了13%和19%），大小核均為高通新一代自主設計的Kryo 280架構。

其中，大核心配備了2M的二級緩存，小核心配備了1MB的二級緩存，相比驍龍820都提升了一倍。

性能方面，得益於更高的主頻以及新的Kryo 280架構和更大的二級緩存，驍龍835的四顆大核心在APP加載時間、網頁瀏覽、VR應用等方面提升了20%。

不過，在80%的使用場景中主要都是更為高效的小核心在工作。

更強的圖形和多媒體性能

在驍龍820中，高通第一次將Adreno分為GPU、VPU（視頻處理單元）和DPU（顯示處理單元）三部分，而以往的處理器中後面二者都以「Display Processing」和「Multimedia Processing」作為代替。

驍龍835與驍龍820一樣，也分成了GPU、VPU和DPU三部分。

驍龍835集成了全新的Adreno 540 GPU，繪圖性能提升25%，同時支持60倍的螢幕色彩顯示，支持DX12，OpenGL ES和Valkan API。

驍龍835的Adreno DPU增加了對10-bit 4K@60fps顯示的支持，同時支持Q-Sync技術和更廣的色域顯示特性等。

驍龍835集成的Adreno VPU則增加了支持 4K HEVC 10-bit視頻回放，同時還支持基於視網膜中央凹成像渲染技術的（VR）遊戲和視頻。

千兆級X16 LTE基帶晶片

驍龍835還整合了高通X16 LTE基帶晶片，作為移動行業首款商用千兆級LTE晶片，驍龍X16通過支持跨FDD和TDD頻譜最高達4×20 MHz的下行鏈路載波聚合（CA）和256-QAM，可以帶來「像光纖一樣」的最高達1Gbps的LTE Category 16下載速度；同時通過支持最高達2x20 MHz的上行鏈路載波聚合以及64-QAM，可以帶來高達150 Mbps的上行速度。

此外，得益於10nm工藝的加持，驍龍835的基帶模塊封裝面積縮小了45%，能效提升了60%。

Quick Charge 4 快速充電技術

在驍龍835正式發布之前，高通基於已經公布了其新一代的Quick Charge 4 快速充電技術。

為了與谷歌的USB PD協議相配合，高通最新的Quick Charge 4技術加入了對USB Type-C和USB-PD的支持。

這可能意味著，未來搭載Quick Charge 4的不同手機之間，混用充電器同樣可以實現快充了。

充電功率方面，進一步提升到了28W，有5V5.6A和9V3A兩種輸出方案可供選擇。

高通表示Quick Charge 4充電速度提升高達20%，僅五分鐘的充電，手機使用時間延長五小時甚至更久。

在大約15分鐘或更短時間內，可充入高達 50%的電池電量。

驍龍835將成為首款支持Quick Charge 4快充技術的晶片。

更強的拍照性能

驍龍835還集成了全新的Hexagon 690 DSP和Spectra 180 ISP，再加上Adreno 540 GPU的配合，拍照更清晰、對焦更迅速。

新的Spectra ISP在原有支持雙攝的基礎上新增了4倍平滑縮放，並且擁有更快的對焦速度，色彩捕捉也更加真實等。

軟體算法方面，高通推出了電子防抖3.0、高級4K視頻防抖、滾動快門校正、雙鏡優化等。

針對VR做了更多的優化

通過上面的一些介紹，我們可以看到，驍龍835針對AR、VR做了很多的優化。

比如新的Adreno 540 GPU使得驍龍835在3D渲染速度比820快了25%，同時多支持60倍的螢幕顯示色。

此外，驍龍835還支持基於視網膜中央凹成像渲染技術的（VR）遊戲和視頻，支持場景和物理音源，支持解碼DSD原片，動作位移延遲減少20%，支持6角度追蹤等。

此前，驍龍820已經成為了首款支持谷歌Daydream的移動處理器，想必驍龍835在VR/AR體驗上將會更進一步提升。

其他

其他方面，高通驍龍835晶片還支持 LPDDR4 四通道內存和 UFS 2.1 高速快閃記憶體。

在安全和深度學習方面，驍龍835還集成了高通Haven安全管理和Zeroth認知技術等。

小結：

在綜合指標上，高通的官方新聞稿顯示，驍龍835的性能比驍龍820/821提升了27%，能耗降低了40%。

此外，在拍照、快充、基帶等各方面都有了全面的提升。

堪稱是目前最強的旗艦級移動處理器。

據了解，目前驍龍835已經開始進行生產，不過它要等到2017年上半年才能正式出貨。

三星Galaxy S8有望成為首款搭載高通驍龍835處理器的智慧型手機設備。

LG、HTC、華碩以及國內的小米似乎都計劃推出搭載驍龍835的智慧型手機。

此外，非常值得一提的它還是首顆支持Win10桌面系統的ARM處理器，相關產品今年晚些時候會亮相。

作者：芯智訊-浪客劍

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