紫光集團南京再投2600億建半導體生產線

摘要：此次投資達到2600億元，該項目極有能以DRAM產品為主。

根據長江存儲CEO楊士寧披露：在全球的半導體存儲產品中，NAND 和 DRAM的產值占全球存儲總額的95%。

1月18日下午，新春佳節來臨之際，從南京傳來喜訊，紫光南京半導體產業基地項目簽約。

據披露，此次投資達到2600億元，目前雙方已經敲定了產線動工日期。

聯繫到此前在武漢，由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設的國家存儲器基地項目，國內半導體產線正在形成集團化的優勢。

與武漢由長江存儲牽頭的國家存儲器基地項目明確以3D NAND製造為核心的項目相比，此次紫光南京半導體產業基地項目建設並沒有披露產品的目標和策略，但據專業人士分析，該項目極有能以DRAM產品為主。

根據長江存儲CEO楊士寧披露：在全球的半導體存儲產品中，NAND 和 DRAM的產值占全球存儲總額的95%。

有數據統計顯示：中國存儲器的消耗量占全球總消耗量的50%以上，但是當中能由國產廠商供應的存儲產品則是屈指可數，基本為美光、三星、東芝等少數幾個廠商壟斷，這個對發展自主可控的中國信息技術產業是一個很大的挑戰。

存儲產業供應的高度集中，尤其是三星在DRAM、NAND上的全球壟斷，讓很多終端廠商有了顧慮，不少的同行競爭者也是有了其他想法，這就促使具有龐大存儲消耗量的中國去發展存儲產業。

加上3D NAND發展所帶來的前所未有的機會，國內存儲產業有機會和國外一較高下。

根據披露，長江存儲的32層 3D NAND產品目前進展順利，生產的產品指標都非常良好，並將會在2019年實現滿載產能。

也許是受到長江存儲進展順利的激勵，紫光投資南京半導體產業基地也是情理之中的事情，就半導體製造核心技術而言，NAND和DRAM還是有很多相同的地方，藉助3D NAND製造的技術積累，完全可以像最先進位程工藝技術發展。

Dostor特約技術專家李炫輝先生表示：國內在3D NAND和DRAM技術上還存在技術上欠缺，並不清楚紫光方面能否很好解決技術的問題，所以風險和機遇並存。

可以看到的是，紫光集團加大了技術人才的引進了力度。

繼有「台灣RAM教父」的南亞科總經理高啟全加盟紫光之後，中華電信前任董事長、台積電前任執行長蔡力行和台聯電前任執行長孫世偉也接受紫光集團的邀請，加盟紫光集團為國內存儲產業發展效力。

其中，高啟全擔任長江存儲COO；蔡力行負責紫光集團的半導體代工業務，並成都建設一座處理12英寸晶圓的晶片製造廠；而孫世偉負責全球業務的執行副總裁。

技術人才的引進，無疑會讓紫光如虎添翼。

改革開放初期所期望的「瞎子背瘸子」方式正在成為現實。

此前，紫光集團和南京市委、市政府有著密切的合作。

紫光與西部數據的合資公司，總部就設在南京。

紫光集團的策略是從「芯」到「雲」，將企業戰略和國家戰略緊密結合，大力推動中國大數據存儲產業的發展。

因此，從長江存儲、到南京半導體產業基地，到紫光西部數據合資公司，我們欣喜地看到這一戰略的貫徹和落地，其規模和氣魄讓人為之嘆服，為之驚喜！中國存儲力量正在不斷積蓄力量！