紫光南京半導體基地項目簽約；中芯國際40納米ReRAM晶片出樣

1月18日，紫光集團南京半導體產業基地項目及新IT投資與研發總部項目在南京正式簽約，再次為紫光集團實現「芯—網—雲」的戰略目標划下重要一筆。

此次紫光集團在南京的兩大項目總投資達到2600億元人民幣，其中半導體產業項目涉及金額為300億美元（約合人民幣2060億元），未來將在南京市江北新區浦口經濟開發區集成電路產業園打造總占地面積約1500畝的半導體產業基地。

據悉，該項目由紫光集團投資建設，一期投資約為100億美元（約合人民幣687億元）。

主要攻堅3D-NAND Flash、DRAM存儲晶片產品，以存儲晶片及存儲器尖端製造環節為突破口，集存儲產品設計、技術研發、生產製造、銷售於一體，帶動設計、製造、封裝、測試等集成電路產業鏈的發展。

預計首期項目建成後月產能將達到10萬片。

此外，除了300億美元的工廠建設投資外，紫光集團還將投入300億元人民幣用於建設包括科技園、設計封裝產業基地、國際學校、商業設施、國際人才公寓等在內的綜合配套設施。

該項目的實施也標誌著紫光集團在半導體產業的戰略布局基本成形。

中芯國際40納米ReRAM晶片出樣

近年來，隨著摩爾定律趨向極限，不少存儲器廠商開始尋找下一個技術突破點，主要是基於PCM相變存儲技術的3D XPoint晶片和ReRAM晶片（非易失性阻變式存儲器）。

其中3D XPoint晶片的研發代表為英特爾和美光，而2010年成立的Crossbar則成為了ReRAM晶片研發的代表。

2016年3月，中芯國際與Crossbar公司達成戰略合作，基於中芯國際的40納米CMOS試產ReRAM晶片。

近日，雙方合作後的首款產品終於誕生，中芯國際40nm工藝的ReRAM晶片正式出樣。

與NAND 快閃記憶體相比，ReRAM晶片不僅具有讀寫速度更快，性能更高，耐用性更強等特點，同時還具備結構簡單、易於製造等優點。

而基於中芯國際40納米的ReRAM晶片在寫入速度和耐久性方面更是比NAND晶片提升了1000倍，讀取速度快100倍，密度比DRAM內存晶片提升了40倍，且200mm2左右的單晶片即可實現TB級的存儲。

此外，按照中芯國際的工藝製程規劃，其更先進的20納米ReRAM晶片也將在2017年上半年正式亮相。

台積電5納米製程基地或今年動工

作為全球最大的晶圓代工廠，台積電在工藝製程上的步伐一直都處於領先地位，在先進工藝製程的研發布局上也是「毫不手軟」。

2016年12月，台積電曾宣布投資5000億新台幣用於建設5納米和3納米工藝的全新晶片生產線。

按照台積電此前公布的消息，目前已經抽調了300到400名工程師進行3納米製程工藝的研發，而在5納米製程上，台積電目前也有了重大進展。

最新消息是，台灣環境影響評估審查委員會會議（環評大會）已於1月18日通過台積電南科擴建案環境差異影響評估，這意味著台積電5納米製程基地最快有望在今年動工，待台積電董事會通過後即可啟動。

相比現有的25納米製程，台積電的5納米製程基地可省電90%。

據悉，該製程基地占地面積約為40公頃（約600畝），投資金額達到數千億新台幣，預計在2020年實現量產。

東芝擬拆分半導體業務

近日，有消息報導稱，日本電子大廠東芝（Toshiba）正在考慮拆分包括快閃記憶體（Flash Memory）在內的半導體業務，並以約2000億至3000億日元的作價將20%的股份賣給其合作夥伴西部數據（Western Digital），而東芝也將因此獲得27億美元的進帳。

隨後，東芝針對該消息發表聲明稱：「公司內部的確正在討論拆出存儲器晶片部門，但尚未定案。

」不過東芝對於股權交易部分並未發表任何評論。

作為東芝的核心部門以及東芝利潤的重要收入來源，有業內人士認為，東芝此舉是為了彌補因核能業務巨額虧損對其運營造成的巨大衝擊，同時提升與三星電子的競爭力。

據悉，按照該媒體的報導，東芝拆分半導體部門後，最快將在2017年上半年組建新的半導體公司，其中東芝出資比例將超過50%、以持續和西部數據共同推動快閃記憶體業務，且半導體新公司今後還會考慮IPO上市。