紫光集團南京再投2600億建半導體生產線

新春佳節來臨之際，從南京傳來喜訊，紫光南京半導體產業基地項目簽約。

據披露，此次投資達到2600億元，目前雙方已經敲定了產線動工日期。

聯繫到此前在武漢，由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設的國家存儲器基地項目，國內半導體產線正在形成集團化的優勢。

與武漢由長江存儲牽頭的國家存儲器基地項目明確以3D NAND製造為核心的項目相比，此次紫光南京半導體產業基地項目建設並沒有披露產品的目標和策略，但據專業人士分析，該項目極有能以DRAM產品為主。

根據長江存儲CEO楊士寧披露：在全球的半導體存儲產品中，NAND 和 DRAM的產值占全球存儲總額的95%。

有數據統計顯示：中國存儲器的消耗量占全球總消耗量的50%以上，但是當中能由國產廠商供應的存儲產品則是屈指可數，基本為美光、三星、東芝等少數幾個廠商壟斷，這個對發展自主可控的中國信息技術產業是一個很大的挑戰。

存儲產業供應的高度集中，尤其是三星在DRAM、NAND上的全球壟斷，讓很多終端廠商有了顧慮，不少的同行競爭者也是有了其他想法，這就促使具有龐大存儲消耗量的中國去發展存儲產業。

加上3D NAND發展所帶來的前所未有的機會，國內存儲產業有機會和國外一較高下。

根據披露，長江存儲的32層 3D NAND產品目前進展順利，生產的產品指標都非常良好，並將會在2019年實現滿載產能。

摘自：中華液晶網