2017年有望成為高端存儲晶片國產化元年

中國證券網訊（記者 阮曉琴）記者24日從中國半導體協會主辦、賽迪顧問承辦的「2017中國半導體市場年會暨第六屆中國集成電路產業創新大會」獲悉，2017年有望成為國產存儲器大規模主流化發展元年。

3D NAND Flash、DRAM是智慧型手機存儲晶片，中國企業一直缺席這兩個主要市場。

記者從2017中國半導體市場年會獲悉，這一狀況有望改變。

目前國內存儲器晶片主要參與者有三個，分別是湖北武漢的長江存儲、福建泉州的晉華存儲以及紫光集團。

其中，長江存儲初期定位Flash 產品，後期將擴展DRAM產品，晉華存儲項目定位DRAM產品。

紫光集團除直接入股長江存儲外，還將在不同地點布局Flash、DRAM產品。

賽迪顧問人士透露，在兩年的準備期之後，2017年上述項目將進入實質性項目建設階段。

長江存儲目前是進展最快的一方，其本身在Flash領域已經有較豐富的經驗，有望率先量產。

晉華項目已經開工建設，項目運營由經驗豐富的台灣台積電負責，技術則委託聯電進行開發。

紫光集團目前在南京開工新建Flash產線。