3nm爭奪戰正式開打
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昨天,台灣主管部門宣布,台積電3nm工廠環評正式通過,這個總投資規模約200億美元的項目進入了一個新階段。
對於3nm晶圓廠來說,除了技術研發之外,它對水電的消耗也不容忽視,特別是在大量使用EUV工藝之後,我們之前在介紹EUV光刻機時就提到過這個問題,由於EUV極其耗電,因為13.5nm的紫外光容易被吸收,導致轉換效率非常低,據說只有0.02%,目前ASML的EUV光刻機輸出功率是250W,工作一天就要耗電3萬度,所以晶圓廠耗電量極其驚人,台積電公布的2016社會責任報告中提到耗電量總計88.5億度。
除了耗電之外,晶圓廠在製造晶片的過程中還需要大量水源,大型晶圓廠每日用水量高達5萬噸,儘管現在已經做到了80%以上的循環用水,但是總量依然驚人,所以建設半導體晶圓廠對環境方面的壓力還是很大的,工藝越先進,問題就越明顯。
台積電公司總裁魏哲家在月初曾表示,3納米的技術也都已經到位,一切就等環評通過。
聯想到三星在早前宣布3nm提速,可以肯定地說,3nm競爭正式開打。
首先看台積電,他們的3nm晶圓廠坐落在台灣南科園區,占地28公頃,位置緊鄰台積電的5nm工廠。
今年8月中旬台灣環保部門已經通過了「台南科學園區二期基地開發暨原一期基地變更計畫環差案」初審,昨天環差案通過審查,台積電將於2020年9月自南科管理局取得用地後,隨即動土展開3納米新廠興建作業。
根據台積電的資料,他們的3nm項目投資超過6000億新台幣,約為194億美元或者1347億人民幣,2020年開始建廠,2021年完成設備安裝,預計2022年底到2023年初量產。
再看三星,他們在晶圓代工方面的野心昭然若揭。
該公司晶圓代工業務負責人Eun Seung Jung 日前在國際電子元件會議(IEDM)表示,三星已完成3 納米製程技術的性能驗證,正在進一步完善製程技術,目標是預計2020 年大規模量產,這時程也將超前台積電2022 年正式量產3 納米製程技術。
全球晶圓代工市場,目前台積電一家獨大,占全球晶圓代工市場約60% 市占率。
不僅營收遠超其他廠商,且最先進的7 納米製程節點,幾乎壟斷所有晶片代工訂單。
據台積電錶示,2018 年製造了50 多個7 納米晶片,2019 年還有100 多個7 納米及加強版7 納米+ 製程訂單。
競爭對手三星要在7 納米製程節點追趕台積電難度很高,所以將目光放在更先進的3 納米製程節點。
根據三星的規劃,他們將在3nm上用上GAA技術,而他們研發的產品叫做MBCFET(多橋通道場效應管),按照九月份的時候的報導,這個技術正在使用納米層設備開發之中。
所謂GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)Gate-All-Around就是環繞柵極,相比於現在的FinFET Tri-Gate三柵極設計,將重新設計電晶體底層結構,克服當前技術的物理、性能極限,增強柵極控制,性能大大提升。
對本土的晶圓廠來說,要追逐先進位程,那就需要花費更多的精力和時間了。
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