三星計劃2020年推出4nm工藝和第二代FD-SOI

2020-09-07

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根據EETimes美國報導，日前積極宣布準備拆分晶圓製造事業，並期望能在市場上一舉超越台積電的韓國三星，24 日舉辦了記者說明會，現場公布了旗下最新的工藝技術路線圖。

根據規劃，在新的路線圖中，三星希望能夠在 2020 年推出 4 nm工藝技術，與屆時將推出 5 納米工藝的台積電一較高下。

三星半導體部門總裁Kinam Kim在加州聖克拉拉的Foundry Forum上公布了該公司的工藝路線圖。

報導中指出，根據三星的計劃，在未來三年內，也就是 2017 年至 2020 年之間，三星半導體的工藝技術將一步步的向前推進。

計劃在 2017 年底之前試產 8 nm工藝技術，2018 年量產 7 nm工藝技術，2019 年則陸續研發 6 nm以及 5 nm工藝，時程再推進到 2020 年之際，三星希望直接將MBCFET技術投入到其4nm低功耗（LPP）工藝中。

路線圖中還包括第二代FD-SOI平台，4nm與5nm體矽FinFET工藝等

從現在到2020年之間，三星計劃在今年投產8nm LPP工藝，明年則是一個採用EUV 的7nm LPP工藝，並於2019年推出5nm和6nm LPP工藝。

三星市場高級總監 Kelvin Low 表示，三星對於未來的發展路線充滿希望和野心。

因為，三星不單單只是規劃這些新的工藝技術，而是在這些時間點上，三星真的能夠實現預定的計劃如。

目前，三星還指出，自己晶圓廠所使用的光刻機已經可以達到每天 1,000 片晶圓的產量。

而未來，三星還希望能將產量提升 50%，來到 1,500 片的數量。

同時，三星還宣布，將會在 2018 年引進艾司摩爾（ASML）最先進的 EUV 光刻機加入到晶圓的生產過程中，以提高產能及良率。

至此，EUV這個被寄予厚望，在193nm沉浸式光刻技術上獲得成功，卻遲遲無法量產的光刻技術，終於要步入正軌了。

三星，台積電和Globalfoundries都宣布將把EUV技術用在2019年的量產中。

相對於三星在工藝上的規劃，晶圓製造龍頭台積電也逐步推進自己的工藝發展。

在 2017 年 10 nm工藝正式量產之後，2018 年將開始 7 nm工藝的生產，之後更先進的5nm工藝則會在 2020 年量產。

而台積電共同CEO暨總經理劉德音之前也透露，目前台積電已經組成數百人的研發團隊，針對更先進的 3 nm工藝研發中，成為首家透漏已在 3 nm工藝上布局的晶圓製造企業。

所以，面對三星的來勢洶洶，台積電方面似乎也已經做好了準備。

三星還詳細介紹了2019年面向風險生產的18nm FD-SOI工藝技術。

該公司計劃在導入第二代FD-SOI之前，將射頻和嵌入式MRAM集成到一個更廣的平台上，逐步擴展其現有的28nm FD-SOI工藝。

這個平台與前代相比，將節省40％的功率，實現20％的性能提升和面積優勢。

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