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台積電7納米明年下半年大量產出

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台積電推進先進位程馬不停蹄，7納米將接續10納米於明年下半年大量產出，搶得技術領先之優勢。

合作夥伴IP廠商新思科技宣布成功完成台積公司7納米FinFET製程IP組合的投片。

新思科技昨日宣布針對台積電公司7納米製程技術，已成功完成DesignWare基礎及介面PHY IP組合的投片，其中包括邏輯庫、嵌入式存儲器、嵌入式測試及修復、USB 3.1/2.0、USB-C 3.1/DisplayPort 1.4、DDR4/3、MIPI D-PHY、PCI Express 4.0/3.1、乙太網絡及SATA 6G。

其他DesignWare IP，包括LPDDR4x、HBM2 和MIPI M-PHY，預計於2017年完成投片。

與16FF+製程相比，台積電公司7納米製程能讓設計人員降低功耗達60%或提升35%的效能。

藉由提供針對台積公司最新7納米製程的IP組合，新思科技協助設計人員達到行動、車用及高效能運算應用在功耗及效能上的要求。

上市時程方面，用於台積電公司7納米製程的DesignWare基礎及介面IP組合已經上市；STAR存儲器系統解決方案已可用於所有台積公司製程技術。

本月11日，Xilinx(賽靈思)、ARM(安謀國際)、Cadence Design Systems、以及台積電共同宣布，聯手打造全球首款加速器專屬快取互連一致性測試晶片(Cache Coherent Interconnect for Accelerators, CCIX)，採用台積公司的7納米FiNFET製程技術，將於2018年正式量產。

該測試晶片旨在提供概念驗證的矽晶片，展現CCIX的各項功能，證明多核心高效能Arm CPU能透過互連架構和晶片外的FPGA加速器同步運作。

此測試晶片預計於2018年第1季初投片，量產晶片預訂於2018下半年開始出貨。

來源：中時電子報

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