為實現未來智能系統，格芯擴展FinFET產品新特性

格芯近日在其年度全球技術大會(GTC)上宣布計劃在其14/12nm FinFET產品中引入全套新技術，這是公司加強差異化投資的全新側重點之一。

新工藝技術旨在為快速增長市場(如超大規模數據中心和自動駕駛汽車)應用提供更好的可擴展性和性能。

在當今數據密集的世界，對高性能晶片的需求永無止境，以處理和分析互連設備產生的信息流。

格芯的FinFET產品是為最嚴苛的計算應用提供高性能、高功效的片上系統(SoC)設計的理想平台。

通過提供針對超高性能和增強型射頻連接進行了優化的電晶體改進以及採用針對新興企業和雲安全需求的新型高速、高密度存儲器，新平台將改善功耗、性能和可擴展性等性能。

格芯業務部高級副總裁Bami Bastani博士表示：「我們致力於增強發展差異化產品，幫助客戶從每一代技術投資中獲得更多價值。

通過在FinFET產品中引入這些新特性，我們將提供強大的技術改進，使客戶能夠為下一代智能系統擴展性能並創造創新產品。

」

格芯的14/12nm FinFET平台提供先進的性能和低功耗，具有顯著的成本優勢。

平台添加了豐富的增強功能包括：

·超高密度：通過持續改進12LP設計庫(7.5T)，並結合SRAM和先進的模擬技術，在更小的晶片區域內提供更高的電晶體密度，以支持客戶的內核計算、連接和存儲應用，以及移動和消費電子終端。

·性能提升：通過將SRAM Vmin降低100mV、待機漏電流降低約50%以提高性能，從而為現有應用和新興應用(如機器學習和人工智慧)提升性能。

·射頻/模擬：提供全套無源器件、超厚金屬和LDMOS選項，可面向含有較高數字內容的6GHz以下的RF SoC實現先進的射頻性能(Ft/Fmax可達340GHz)。

·嵌入式存儲器：為新興企業、雲和通信應用提供超高安全性以及一次性可編程(OTP)和多次可編程(MTP)的嵌入式非易失性(eNVM)內存。

使用物理上無法檢測的電荷捕獲技術(CTT)實現安全解決方案，包括「物理上不可克隆的器件」功能和高效的非易失性存儲器，以實現更高的SoC集成度。

格芯的CTT解決方案無需額外的處理或屏蔽步驟，與基於介電熔絲技術的類似OTP解決方案相比，可提供雙倍密度。

與28nm技術相比，格芯的14LPP技術可將器件性能提高55%，總功耗降低60%;而與當今市場上的16/14nm FinFET解決方案相比，格芯的12LP技術可將電路密度提高15%，性能提升10%以上。

格芯前沿的FinFET平台自2016年初起已投入大規模生產，並符合汽車2級標準。