格芯推出面向下一代移動和5G應用的8SW RF-SOI技術

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業內首個基於300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。

8SW SOI技術是格芯最先進的RF SOI技術，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動和無線通信應用的前端模塊(FEM)帶來顯著的性能、集成和面積優勢。

格芯全新的低成本、低功耗、高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產線上製造具有出色開關性能、低噪聲放大器(LNA)和邏輯處理能力的產品。

與上一代產品相比，該技術可以將功耗降低至70%，實現更高的電壓處理能力，並實現同類最佳的開啟電阻(Ron)和關閉電容(Coff)，從而通過高隔離減少插入損耗，同時藉助全銅互連提升功耗處理能力。

「Skyworks繼續藉助我們全面的專業系統知識，為全球客戶提供高度定製的解決方案。

」 Skyworks先進移動解決方案副總裁兼總經理Joel King 表示，「通過與格芯合作，Skyworks能夠儘早使用同類最佳的開關和低噪聲放大器技術，從而進一步為下一代移動設備和不斷發展的物聯網應用推動射頻前端技術的發展。

」

「我們現在生活在一個智能互聯的時代，人們希望並且需要通過無縫、可靠的方式實現隨時隨地的數據連通。

」 格芯射頻業務部門高級副總裁Bami Bastani表示，「不過要實現這個目標的難度越來越大，因為前端設備必須能夠處理越來越多的頻段和射頻信號類型，並具備集成數字處理和控制功能。

作為射頻行業的領軍者，我們專門開發了新型8SW工藝，以滿足客戶最迫切的需求。

」

基於300毫米RF-SOI的技術可以為設計人員提供一個成本優化的平台， 實現性能、集成和功耗的最佳組合方案，並擁有強大的數字集成能力。

格芯的8SW技術採用了專門的襯底優化方案，能夠最大限度增加無源器件的品質因數，減少有源電路的寄生電容，並最小化在千兆頻段以下運行的器件相位差異和電壓擺幅。

該技術可以使優化後的低噪聲放大器達到一流的噪聲屬性以及高特徵頻率與最高振蕩頻率，從而幫助目前採用4G頻率以及未來採用6GHz以下頻率的5G前端模塊實現多樣的接收和主天線路徑低噪聲放大器應用。

先進的8SW技術產品在位於紐約州東菲什基爾的300毫米晶圓廠生產線生產，其產能可以較低的成本滿足業界預期的市場需求。

工藝設計工具包現已發布。

如果希望進一步了解格芯RF SOI技術解決方案，請聯繫您的格芯銷售代表，或訪問www.globalfoundries.com/cn。