半導體國產替代進行時，光刻膠將迎來爆發期

1月20日，近期市場陰風再起，傳聞美國政府考慮限制中國從美國獲取半導體方面的技術，並企圖阻撓荷蘭阿斯麥公司向中國出售產品。

雖說此消息空穴來風，且光刻機供應商ASML的極紫外光（EUV）光刻機，主要用於7nm及以下的工藝開發，短期對國內主流先進工藝28nm以及中芯國際目前研發14nm的影響不大，但光刻機作為半導體製造業中最核心的設備，是我國發展國產晶片的關鍵，未來高端晶片製造的發展絕不能受制於人，現階段逐步實現光刻機設備及相關材料的突破已然至關重要。

近年來，隨著全球半導體製造重心向我國轉移的趨勢愈加明朗，面對著國內半導體產業國產化率低，落後於全球半導體產業發展步伐，且相關布局處處受人制肘的局面，國家層面對發展半導體產業鏈的自主化愈發重視。

自2014年伊始，工信部、財政部等多個部門聯合相繼推出了大基金一期和二期戰略投資，以加速國內半導體產業的發展，特別是重資產的半導體製造環節。

從目前一期的完成來看，以側重於IC製造等領域為主，而二期更大的資金槓桿，將更側重於完成在國產裝備、材料等上游產業鏈環節，重點向上游設備和材料領域加大投資傾斜，以打破國外壟斷為戰略目標。

從國家戰略角度看，我國半導體產業未來的目標，除實現國產替代自主化外，做大做強並逐步承擔起全球主要市場將是長遠的規劃。

就光刻機領域來看，掌握光刻機製造技術將是未來發展國產晶片的關鍵，好在當前上海微電子被寄予希望，承擔起多項國家重大科技專項和 02 專項光刻機科研任務，公司的前道製造光刻機最高已能實現 90nm 製程，下一步將有望快速產品延伸至65nm、45nm 製程，而光刻工藝中，光刻膠作為與光刻機、掩模版及半導體製程中的許多工藝步驟相配合的核心產品，目前國內已有多家企業逐步研發最新的KrF和ArF光刻膠的核心技術，避免在晶片的關鍵材料受制於人。

我們認為，光刻膠是光刻工藝的核心，目前世界晶片工藝水平已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先進的EUV線（<13.5nm）水平，同時國內對光刻膠的選擇和光刻膠工藝的自主研發已逐步進行，上海、北京等也均出台政策以重點推動光刻機等關鍵技術裝備研製和產業化，提升晶片製造產業鏈的自主可控，加快突破光刻機領域「卡脖子」的難題，而隨著國內晶圓廠量產逐步進入國產化替代，預計相關光刻膠合格供應商將有望率先受益，具體可關註：

晶瑞股份（300655）：國家大基金戰略持有公司近5%股份，公司在光刻膠方面承擔了02國家重大專項，已向02項目專項辦公室提交驗收申請，i線光刻膠已通過中芯國際上線測試，近期擬在湖北省潛江市投資建設晶瑞（湖北）微電子材料項目，生產光刻膠及其相關配套的功能性材料、電子級雙氧水、電子級氨水等半導體及面板顯示用電子材料等；

南大光電（300346）：公司參股公司北京科華開發的248nm光刻膠目前已通過包括中芯國際在內的部分客戶的認證，「193nm 光刻膠及配套材料關鍵技術研究項目」的研發工作已經完成，子公司寧波南大光電擬以增資擴股的方式融資2.6億元，進一步推動光刻膠項目的順利實施。

產品包括光刻膠及配套材料；

廣信材料（300537）：公司主營高科技領域適用的感光材料等材料的研究、生產和銷售，目前光刻膠技術開發項目第一批次產品已取得研發成果。