日本加強對韓國半導體材料出口管控,是否會影響三星的5G布局?
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7月30日,華為發布的2019年上半年經營業績顯示,上半年實現銷售收入4013億元,同比增長23.2%利潤率8.7%。
其中,華為消費者業務收入為2208億元。
智慧型手機發貨量(含榮耀)達到1.18億台,同比增長24%,平板、PC、可穿戴設備發貨量也實現了健康、快速增長。
全場景智慧生態能力建設初具規模,華為終端雲服務生態全球註冊開發者已超過80萬,匯聚了全球5億用戶。
終端領域,華為財報顯示,該公司上半年平板電腦業務同比增長10%;PC增長3倍;可穿戴設備增長2倍;雲服務生態用戶超過5億;智慧型手機出貨(含榮耀)達到1.18億部,同比增漲24%。
值得一提,就中國市場而言,就當日諮詢公司Canalys的數據顯示,華為手機出貨量在二季度猛增31%,以38%的市占率登頂中國市場。
這在一眾友商市占率雙位數下滑的前提下,屬實罕見。
今年5月,華為被美國商務部列入實體清單。
此後,華為的一舉一動都牽動人心。
極限施壓」時刻,華為亮出上半年業績。
對比華為一季度財報,華為本季營收環比暴漲123.3%。
此前,華為首款5G手機Mate 20X于于7月26日正式亮相。
據悉,該手機是世界唯一商用搭載雙7nm 5G終端晶片模組、唯一商用支持SA/ NSA 5G雙模、首個中國5G進網許可證、首個泰爾5G通信能力五星證書、首個GCF 5G能力認證證書的手機。
華為Mate 20 X
5G版本將於8月份正式開售。
此外,蘋果為打造自己的5G晶片,於近日宣布收購英特爾手機調製調解器業務。
然而作為全球最大的智慧型手機廠商的三星電子(下稱「三星」),在5G方面的布局消息,除了2月發布的Galaxy S10
5G版手機以及該機4月率先在韓國開售外,並無其他更多消息。
但本月日本宣布對出口至韓國的三種半導體材料加以管控,此舉不僅將對韓國半導體產業造成衝擊,並且可能會對三星的5G布局造成不利影響......
日本限制向韓國出口用於半導體製造過程中「清洗」所需的高純度氟化氫、塗覆在半導體基板上的感光劑「光刻膠」、用於製造電視和智慧型手機顯示面板的氟化聚醯亞胺,這3種材料是顯示面板及半導體晶片製造過程當中所需的關鍵材料。
該限制令已於7月4日開始執行。
日本對韓國實施出口管制後,韓國半導體企業和面板企業短期內很難找到替代廠家,三星和LG等公司將受到衝擊。
光刻膠材料是集成電路製造的核心材料 其質量和性能尤為關鍵
光刻膠是電子領域微細圖形加工關鍵材料之一,是由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。
在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下,其溶解度發生變化,經適當溶劑處理,溶去可溶性部分,最終得到所需圖像。
光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率以及可靠性的關鍵性因素。
光刻工藝的成本約占整個晶片製造工藝的 35%,耗時占整個晶片工藝的 40%~60%,是半導體製造中的核心工藝。
光刻膠材料約占 IC 製造材料總成本的 4%,是半導體集成電路製造的核心材料。
IC 光刻工藝經歷數道過程
集成電路光刻工藝是指利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構,然後通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底(矽晶圓)上。
基本原理是利用光刻膠感光後因光化學反應而形成耐蝕性的特點,將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。
光刻工藝之前先要進行矽片清洗,目的是去除污染物,去除顆粒,減少針孔和其他缺陷,提高光刻膠粘附性。
基本步驟為化學清洗、漂洗、烘乾。
接下來是預烘和底膠塗覆工藝,光刻膠中含有溶劑,矽片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性,這是與底膠塗覆合併進行的,底膠塗覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。
廣泛使用 (HMDS)六甲基二矽胺、在 PR 旋轉塗覆前 HMDS 蒸氣塗覆、PR 塗覆前用冷卻板冷卻圓片。
第三步就是進行光刻膠塗覆,在塗光刻膠之前,先在 900-1100 度濕氧化,濕氧化後從容器中取出光刻膠滴布到樣品表面,將樣品置於塗膠機上高速旋轉,膠在離心力的作用下向邊緣流動。
塗膠的質量直接影響到所加工器件的缺陷密度。
為了保證線寬的重複性和接下去的顯影時間,同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應超過±5nm。
第四步進行進行光刻曝光前的烘乾,通過在較高溫度下進行烘培,使溶劑從光刻膠中揮發出來(前烘後溶劑含量降至 5%左右),從而降低灰塵的沾污。
同時,這一步驟還可以減輕因高速旋轉形成的薄膜應力,提高光刻膠襯底上的附著性。
烘乾後進行對準和曝光工藝,光刻對準技術是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大核心技術之一,一般要求對準精度為最細線寬尺寸的 1/7---1/10。
曝光即使用特定波長的光對覆蓋襯底的光刻膠進行選擇性地照射,從而使正光刻膠感光區域、負光刻膠非感光區的化學成分發生變化,利用感光與未感光光刻膠對鹼性溶劑的不同溶解度,就可以進行掩膜圖形的轉移。
曝光方法分為 a、接觸式曝光(Contact
Printing)掩膜板直接與光刻膠層接觸。
b、接近式曝光(Proximity Printing)掩膜板與光刻膠層的略微分開,大約為 10~50μm。
c、投影式曝光(Projection Printing)。
在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現曝光。
d、步進式曝光(Stepper)。
曝光完成後為顯影和堅膜,顯影即將在曝光過程中形成的隱性圖形顯示為光刻膠在與不在的顯性圖形,光刻膠層中的圖形就可以作為下一步加工的膜版。
堅膜即通過高溫除去光刻膠中剩餘的溶劑,增強光刻膠對矽片表面的附著力,同時提高光刻膠在隨後刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性能力。
最後工序為刻蝕及離子注入和光刻膠的去除,刻蝕是半導體器件製造中利用化學途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。
一般分為電子束刻蝕和光刻:光刻對材料的平整度要求很高,需要很高的清潔度;電子束刻蝕對平整度的要求不高,但是速度很慢且設備昂貴。
離子注入是將特定離子在電場裡加速,然後注入到晶圓材料中用於形成載流子。
所有步驟結束後將光刻膠去除,一般分為濕法去膠、干法去膠、有機溶劑去膠和無機溶劑去膠。
2017 年半導體光刻膠需求量達 216 萬加侖,較 2016 年增長 8%,銷售金額超過12 億美元。
未來一段時間內半導體光刻膠領域仍將實現增長:2016-2018 年全球半導體集成電路銷售額複合增長率達到 19%,5G 技術的發展仍將催動半導體晶片更新換代,刺激 I 線光刻膠市場發展;精細化需求趨勢將促進解析度更高的光刻膠的應用,進而推動 KrF
光刻膠市場的增長。
另外根據摩爾定律,每隔兩年電子設備的性能就會翻一番,極紫外光刻膠的出現突破了 10nm 解析度的瓶頸,但目前極紫外光刻膠實現產業化還需一定時間,這段時間內 ArF 光刻膠仍將為最先進位程節點的主流,保持快速增長趨勢。
預計 2018-2022 年全球半導體光刻膠需求量增速為 6%-8%,至 2022 年需求量將達到 310 萬加侖,市場規模將達到 18.5 億美元。
光刻膠處於產業鏈上游 技術壁壘高 日本企業優勢明顯
光刻膠所在產業鏈覆蓋範圍十分廣泛,從上游基礎化工材料行業、精細化學品行業到中游光刻膠製備,再到下游電子加工商、電子產品應用終端。
光刻膠作為微電子領域微細圖形加工核心上游材料,占據電子材料至高點。
電子材料是推動摩爾定律不斷前行的核心材料。
電子材料是指為電子工業配套的精細化工產品,是電子工業的重要支撐材料之一。
電子材料的升級換代對電子製造技術的持續進步有著重大的影響,在一定程度上決定或影響下游及終端產業的發展與進步。
因此電子工業的發展要求優先發展電子材料。
按照用途,電子材料主要分為晶片製造用化學品、半導體封裝用化學品、印製線路板(PCB)用化學品、液晶顯示(LCD)用化學品和 LED 用化學品五大類,包括光致抗蝕劑(國內稱為光刻膠)、超凈高純試劑、超凈高純氣體、電鍍液、拋光液、封裝材料、基板材料、液晶材料、光學膜、導電膜、電子專用黏結劑、輔助材料等。
無論是涉及集成電路材料的光刻膠還是光刻膠輔助化學品,韓國相應的市場規模都十分龐大,甚至超過美國、日本。
根據不同電子材料的市場規模以及毛利率的情況,同時綜合考慮產品的進入壁壘和國內對進口依賴程度的高低。
根據相關研究機構分析認為,處於第一象限的電子材料市場規模和毛利率均處於領先水平。
包括晶片製造化學品(特種氣體、光刻膠及其輔助化學品、高純試劑、拋光墊及拋光液),LCD 化學品(液晶化學品、光刻膠、偏光片、ITO 導電膜),PCB化學品(光刻膠),半導體封裝化學品(灌封膠)。
電子材料中的光刻膠及其輔助化學品,全球主要供應商中多為日本、美國企業。
光刻膠用於微小圖形的加工,包括解析度、對比度、敏感度述形成的關鍵尺寸;對比度描刻膠上產生一個良好的圖形所成了光刻膠的技術壁壘。
由於光刻膠技術含量高且處於產業鏈上游,其質量直接影響下游產品的質量,因此下游企業對光刻膠供貨企業的質量及供貨能力非常重視,通常採取認證採購的商業模式。
伴隨著高的採購成本與認證成本,光刻膠生產廠家與下游企業通常會形成較為穩定的合作,這對新供應商涉足光刻膠行業設置了准入壁壘。
光刻膠研發需要有配套的光刻機、掩膜板及其他工藝,資金壁壘較高。
光刻機是用於晶片製造的核心設備,目前核心技術處於壟斷狀態。
國際上只有荷蘭 ASML 公司可製造 EUV(極紫外)光刻機,售價超過 1 億歐元;而技術水平稍低的 DUV(深紫外)光刻機,售價為 2000 萬-5000 萬美元。
半導體光刻膠技術壁壘高,市場高度集中。
全球半導體行業中涉及光刻膠的核心技術主要被日本和美國企業所壟斷,包括日本 JSR、信越化學、TOK、住友化學,美國 SEMATECH、IBM,韓國東進化學等,合占市場份額達到 95%。
據中 國半導體行業協會統計,2014 年日本合成橡膠、東京日化、羅門哈斯、信越化學、富士電子材料五家企業占據全球87%的市場份額。
自20世紀80年代開始,光刻技術根據所使用的光源不同,經歷了從紫外(UV,G 線 436nm 和 I 線 365nm)到深紫外(DUV,248nm 和 193nm)再到下一代的極紫外(EUV,13.5nm)的發展過程。
根據 Rayleigh
方程,光刻解析度與曝光光源的波長成正比,與鏡頭的數值孔徑成反比。
故欲獲得高解析度的圖形,需使用更短波長的曝光光源或增加經統計的數值孔徑。
隨著曝光波長的縮短,光刻膠所能達到的極限解析度不斷提高,光刻得到的線路圖案精密度更佳,而對應的光刻膠的價格也更高。
目前,工業上大規模生產所使用的解析度最高的光刻技術為 193nm 光刻,即 ArF
光刻。
極紫外光刻技術目前進入小規模量產階段,已有機構研製成功極紫外光刻膠。
半導體光刻膠中,G 線和 I 線光刻膠是目前市場上使用量最大的光刻膠,但二者對應的半導體製程節點均為早期,所占市場份額較低;KrF、ArF 光刻膠對應的製程節點先進,共計占有約 63%市場份額。
據悉,日本限制出口韓國的三種材料分別是用於電視和智慧型手機面板上使用的氟聚醯亞胺、半導體製作過程中的核心材料光刻膠和高純度半導體用氟化氫。
日本占全球氟聚醯亞胺和光刻膠總產量的90%,全球半導體企業70%的氟化氫需從日本進口。
因此,一旦韓國半導體企業和面板企業相關材料存貨耗盡,短期內又無法找到替代品,將對三星、LG等公司將造成不小衝擊。
日對韓實施出口管制 或影響三星手機出貨量
光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。
利用光化學反應,經曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移介質,其中曝光是通過紫外光、電子束、準分子雷射束、X射線、離子束等曝光源的照射或輻射,從而使光刻膠的溶解度發生變化。
光刻膠被發明後,首先被運用於軍事、國防設備中高性能集成電路、光學、傳感、通訊器材等的加工製作。
目前,按照應用領域分類,光刻膠主要包括印製電路板(PCB)光刻膠專用化學品(光引發劑和樹脂)、液晶顯示器(LCD)光刻膠光引發劑、半導體光刻膠光引發劑和其他用途光刻膠四大類。
由此可見,如手機通信晶片中光刻膠材料的應用不可或缺。
半導體行業有觀點分析認為,受日本政府對韓國啟動半導體材料出口管制影響,韓國三星電子的「非存儲器」戰略將受到影響。
其原因在於,日本限制出口的3類材料之一的「光刻膠(Resist)」可能對三星投產最尖端設備產生影響。
這關乎三星能否在今後的開發競爭中處於優勢地位。
使用日本限制出口韓國的氟化氫、感光劑等製造半導體的過程圖源:《韓民族日報》。
當前圍繞大規模集成電路(LSI)製造,三星在智慧型手機處理器等半導體代工生產領域與台積電競爭,在圖像傳感器領域與索尼競爭。
在這兩個市場,三星均位居第2位。
相較於在三星的主營業務及利潤來源中占據重要地位的存儲器業務而言,雖然大規模集成電路(LSI)製造在半導體業務營業利潤中所占比例還不到5%,但這部分業務同樣占據極具重要的戰略地位。
因為這一部分業務不僅生產三星自己的存儲器晶片、手機晶片外,還為蘋果、高通、英偉達等(華為海思麒麟晶片)提供晶片代工生產。
數據顯示, 2018年Q1,三星 LSI在全球應用處理器(AP) 市場的占有率達到14%,位居世界第三,僅次於高通(45%)、蘋果(17%)。
同期在手機基帶處理器(BP)這一高度壟斷的市場, 三星 LSI占有率達14%,僅次於高通 52%位居第二。
目前,蘋果、三星、華為三大手機品牌廠商均有自身的處理器晶片,但不同是的三星也有少量對外供貨(魅族等)。
在2018年全球14億400萬部智慧型手機的出貨量中,三星出貨量雖有下降,但仍然以2億9200萬部位居全球第一。
如此龐大的手機銷量,與之相配套的晶片規模也不容小覷。
因此,一旦三星被限制的材料光刻膠庫存告急,其大規模集成電路(LSI)業務將遭到不小衝擊,手機晶片生產將無法獲得充足的供應,不僅將一步影響三星手機的出貨量,同時也將打亂全球半導體供應鏈體系,尤其是影響晶片代工企業間的市場格局。
2018年,三星手機出貨量2億9200萬部,市場份額下跌0.9%,降至20.8%。
三星5G晶片出貨或受一定影響
韓國半導體代工遭創傷 台積電將受益
早在2011年,三星開始對5G技術進行相關研發。
2013年三星對外宣布,已經初步掌握全球領先的5G技術核心。
2016年,三星的相關技術正式對外亮相,涵蓋端到端的多場景5G應用受到業內廣泛關注。
2018年,三星更是推出全球首個端到端5GFWA 商用解決方案及業界首款符合3GPP標準的5G基帶晶片。
到2019年,三星Galaxy S10 5G版其實早在2月底就隨Galaxy S10系列機型共同發布,並在4月率先在韓國開售,並在全球多個具備5G落地能力的國家和地區發售。
韓版Galaxy S10 5G版搭載的並非高通驍龍855處理器,而是採用三星自家的獵戶座Exy9820處理器,搭配三星自家的5G基帶Exynos Modem 5100。
Exyno 9820於2018年11月發布,基於三星8nm LPP FinFET工藝打造。
三星稱,Exynos Modem 5100完全符合3GPP指定的5G標準。
它採用了三星自家的10nm工藝,除了5G網絡外,還支持GSM、CDMA、WCDMA、TD-SCDMA、LTE制式。
也就是說,Exynos Modem 5100是一款全能型的全網通基帶。
據悉,三星於2018年10月宣布生產7nm工藝,該工藝是三星首個採用EUV技術的工藝節點,基於7nm工藝的晶片已於今年年初實現了量產。
此前,三星預計於今年6月推出的Exynos 9825處理器就是採用了7nm EUV工藝製造。
眾所周知,晶片是電子產品所必不可少的組件,晶片製造商要想成功地製造出晶片來,必須用到光刻機。
對晶片製造商來說,光刻機就是核心的生產設備。
光刻工藝約占整個晶片製造成本的35%,耗時占整個晶片工藝的40%~60%,是半導體製造中最核心的工藝。
以半導體光刻膠為例,在光刻工藝中,光刻膠被均勻塗布在襯底上,經過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性後光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝,將掩膜版上的圖形轉移到襯底上,形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。
目前,全球僅有極少數的光刻機設備廠商能夠研製出高端光刻機,而荷蘭的 ASML則擁有全球晶圓廠光刻機設備高達8成的市場份額,在乾式曝光機、浸潤式光刻機, EUV (極紫外線光刻機)的市場幾乎處於獨霸地位。
簡單來說,EUV使用13.5nm波長的極紫外光曝光矽片,而傳統的氟化氬(ArF)浸沒式光刻則是依靠193nm波長,並且需要昂貴的多模掩模裝置。
EUV技術使得使用單個光罩來創建矽晶圓層成為可能,而ArF可能需要多達4倍的光罩才能創建相同的晶片。
也就是說,與非EUV工藝相比,三星的7 LPP工藝可使光罩總數減少約20%,為客戶能夠節省時間和成本。
近兩年為三星半導體業務立功最大的是存儲晶片部門,貢獻的營收、利潤達到七八成,而三星的晶圓代工業務雖然有高通這樣的VIP客戶,但在7nm節點上高通會轉投回台積電,三星要想拉攏到更多的客戶,只能從工藝技術、成本價格上著手。
這也是三星為什麼跳過非EUV工藝的7nm工藝,直接上7nm LPP EUV工藝的原因,如今他們的7nm LPP工藝已經完成了Synopsys的物理認證,意味著7nm
EUV工藝全球首發了。
三星在EUV工藝上市最激進的,直接跳過了第一代非EUV光刻的7nm工藝,根據之前的路線圖,三星第一個使用EUV工藝的就是7nm LPP工藝,預定今年下半年量產。
日前Synopsys與三星聯合宣布已經使用後者的7nm LPP工藝完成了IC驗證器的認證工作。
此次認證完成之後,三星的7nm
LPP工藝可以立即提供認證的運行庫,包括DRC設計規則檢查、LVS布局與原理圖、金屬填充技術文件等等,這也意味著三星的7nm LPP工藝走入了正軌。
據高通公司稱,三星的7納米EUV比台積電的7納米工藝更具競爭力和先進性,韓國媒體的一份新報導聲稱,三星已經將其高通下一代旗艦處理器(稱為驍龍 865)的訂單生產給承包了,值得一提的是,台積電代工廠於2018年為高通公司驍龍855和2017年的驍龍845生產.預計驍龍865量產將於今年晚些時候在三星的 Hwaseong 17系列上開始。
該晶片組將基於
7nm紫外(EUV)工藝,具有高吞吐量。
這也是三星首次使用其7-nm EUV工藝為高通製造應用處理器。
現在再將焦點轉移到日對韓出口材料管制上來。
前不久,行業團體「韓國半導體產業協會」常務安基鉉就日本加強出口管制的感光材料指出,「從光的波長來看,被稱為EUV的最尖端曝光裝置用光刻膠成為限制出口的對象」。
在此基礎上表示「可能對生產大規模集成電路(LSI)的三星使用EUV的生產線產生影響」。
所以日本的出口限制措施將對韓國三星的大規模集成電路(LSI)製造業務產生影響,同時將打亂全球半導體供應鏈體系,一旦三星遭遇重大波折,台積電等廠商將由此受益。
眾所周知,在晶片的整個流程之中,設計、製造、封測是三塊分得較開的業務,很多企業只從事於其中某一項,很少有企業能夠全程參與。
就算是強有實力的晶片廠商諸如高通、華為、聯發科均只參與設計,由台積電、三星等參與製造,而像日月光等參與封測,可見整個晶片生產是多麼複雜的系統工程。
據相關產業研究數據顯示,在2019年2季度全球10大晶片代工企業排名中,韓國2家企業入圍,分別為排名第2的三星和第10的東部高科,兩家占比分別為18%、0.9%,而台積電仍以49.2%的占有率位居第一。
因此可以說,三星仍有很大的市場機遇,或者說仍可從其他廠商那裡奪得不小的市場。
當然全球晶片製造是很多廠商可參與的,並且市場規模也是在不斷增長的,各個晶片製造廠商的市場占有率是此消彼長的。
逆水行舟不進則退,三星如果錯失訂單,那其他廠商就會分食其市場。
據悉,當前三星的5G晶片和高通部分5G晶片以及其他企業分布的5G晶片由三星旗下的代工部門生產。
以5G基帶晶片生產為例,目前全球90%以上的5G基帶晶片均有台積電代工生產,比如市場主流的巴龍5000、高通X50(X55)、聯發科M70以及展訊的春藤510等,唯有三星Exynos Modem
5100這款5G基帶晶片是由自家工廠生產,生產市場占比僅為10%。
但隨著5G商用不斷走向深入,移動終端(手機)5G應用處理器(AP)、應用處理器(AP)的市場需求將進一步得以釋放。
三星也將憑藉優秀的工藝和低廉的成本,不排除會從其他企業那裡奪得5G晶片生產訂單。
目前,在幾大半導體公司中,英特爾的10nm還沒搞定,7nm就更遙遠了,台積電的7nm工藝(N7工藝)量產比較順利,會有蘋果、海思、高通、NVIDIA、AMD等客戶陸續流片、量產,不過台積電的第一代7nm工藝還是傳統的多重曝光工藝,2019年的N7 Plus工藝才會使用EUV光刻工藝。
GlobalFoundries也是類似的路線,今年量產的7nm DUV還是傳統的深紫外光刻工藝,此前號稱頻率可達5GHz,AMD的7nm Zen 2處理器會使用Globalfoundries的7nm工藝將在明年初問世,而再下一代才是7nm EUV工藝,時間可能會更晚。
為了實現7nm、5nm製程,傳統光刻技術遇到瓶頸,EUV(13.5nm)光刻技術呼之欲出,台積電、三星也在相關領域進行布局。
EUV光刻光路基於反射設計,不同於上一代的折射,其所需光刻膠主要以無機光刻膠為主,如金屬氧化物光刻膠。
因此,一旦三星此類光刻膠因日本管控而無法獲得供應,不僅無法生產自己所用的5G晶片,還將對客戶代工的5G晶片生產造成影響。
與此同時,從另一方面來講,三星如果不能為客戶代工5G晶片,客戶可以尋找台積電或者英特爾等協助生產,但究竟這兩家廠商能否提供充足的產能,還需要看5G晶片的市場需求量以及這兩家廠商是否能提供滿足5G晶片生產工藝的代工產能。
三星通信設備影響幾何?
5G時代是萬物互聯時代,而網絡的背後少不了網絡通信設備的支持。
通信網絡設備是移動通信系統的核心環節,主要包括無線、傳輸、核心網及業務承載支撐等系統設備。
通信網絡設備作為5G投資的核心環節,投資周期較長,預計 5G建設前 4 年期間均會有較大規模的投資,2021 年隨著宏站和小站雙雙放量提升預計會達到峰值。
目前,主設備市場行業集中度較高,全球主流廠商主要為華為(未上市)、中興、諾基亞、愛立信,以及三星、中國信科(烽火和大唐合併)、NEC、普天等一些規模較小的廠商。
在通信領域華為目前已經取代愛立信成為了全球最大的通信設備提供商,不過在2018年由於以美國為首的西方國家對於華為的圍追堵截導致其市場份額被愛立信反超(不過得益於國內的巨大市場支持,未來華為還會重返第一),同時華為作為全球少有的全產品線的通信設備廠商,可以給客戶提供全面定製化服務,這也是愛立信比不了的。
與華為類似,三星除生產移動通信終端(手機)、通信晶片之外,還涉足通信設備市場。
由於三星手機在全球市場正遭遇中國同行的圍追堵截,其海外市場多有失利,因此三星正憑藉華為在部分地區無法銷售的局面,積極進軍5G通訊設備市場,利用不對稱競爭,搶占華為的5G通訊設備市場份額,並且已在韓國本土招標中取得成功。
三星通信基站市場份額提升明顯
按銷售額計算,2017年全球基站3.2%的銷售額由三星電子占據。
而隨著5G競爭正式拉開序幕,在成為前哨戰的基站建設方面,自2018年10月起在美國部分地區啟動的5G商用服務,韓國三星電子作為主要參與企業崛起,正在競爭中領跑。
此前由歐洲和中國企業主導的市場結構正在因5G而發生明顯改變。
近日,英國IHS Markit發布的全球移動通信基站份額調研顯示,2018年移動通信基站出貨份額,其中,華為以30.9%保持全球第一,愛立信、諾基亞、中興通訊分列第二、三、四位。
而三星電子則以4.7%的占有率位居第五,增長率達到1.5%。
此前,在今年4月據IHSMarkit統計2018年通信的基站等營業收入的份額排行榜顯示,愛立信份額為29.0%,相比2017年提高了2.4個百分點,而華為則下滑了1.9個百分點,份額降至了26.0%,被愛立信反超。
另外,諾基亞的市場份額也增長了0.1個百分點,達到了23.4%。
韓國三星電子的市場份額也提升了1.8個百分點,達到了5%。
而中興通訊的份額進一步下滑到了11.7%。
2019年Q1三星首奪全球5G通信設備市場份額第一
統計數據顯示,在2018年全球蜂窩通信設備市場,華為以31.8%的市場份額排在第一,愛立信、諾基亞、中興通訊分別以29.9%、23.9%、7.7%的占有率,位居第二至第四,三星以6.8%的占有率位列第五。
而另據Dell'Oro最新研究報告顯示,截止今年年第一季度,三星5G設備全球市場份額已經達到了37%,遠超華為的28%,位居世界第一。
而愛立信和諾基亞分別以27%、8%的市場份額占比分列第三、四位。
為推進5G設備市場增速擴張 三星電子副會長奔走東瀛
2018年8月,三星集團計劃未來三年內,在人工智慧(AI)、5G、未來汽車的電子元件和生物製藥等新的增長領域投資約220億美元。
該計劃主要由三星電子主導。
三星將5G和人工智慧、系統半導體視為新的增長動力,其認為第四次工業革命的核心是「數據」和「數據運用」,這無疑表明其中蘊藏的巨大的市場機遇。
因此為積極推進上述新型戰略投資,作為三星電子副會長,同時又是肩負公司推動人工智慧(AI)、邏輯晶片、5G等領域發展的主要負責人,李在鎔於今年5月奔赴東瀛,與日本兩大通信商NTT Docomo和KDDI商議5G合作方案。
而這也是繼去年到訪歐洲,同年10月前往北美調研人工智慧行業發展,並在美國、英國、加拿大、俄羅斯等地設立了「國際人工智慧研究基地」之後,又被視作極具戰略地位的舉動之一。
奧運會不僅是運動競技的最大舞台,同時也是新技術最佳的練兵之地,為此日本政府計劃將5G技術應用於2020年的東京奧運會。
據悉,李在鎔日本之行,是為三星在5G設備市場的擴張而謀劃,且三星為此還設立了2020年計劃目標。
藉此希望在日本實現5G商用後,三星等韓國廠商提供的5G產品與服務能夠快速暢通的打入日本市場。
三星電子相關人士表示:「希望李副董事長這次訪問能夠擴大公司在日本的5G網絡份額,並帶動Galaxy智慧型手機的份額出現回升。
」
而此次日本政府加強對出口至韓國的高純度氟化氫、光刻膠(Resist)和氟化聚醯亞胺實施管制,必將對韓國三星的人工智慧(AI)、邏輯晶片、5G等極具戰略性布局的策略造成一定衝擊。
為解決上游材料供應危機,前不久,三星電子副會長李在鎔再次出訪日本長達6天之久。
據悉,此次李在鎔的主要目的,是實現從日本製造商的境外工廠進口,或通過第三方迂迴進口的方式獲得氟化氫等材料。
然而在目前日韓貿易爭端不斷發酵下,日本企業或很難鋌而走險。
據悉,由於氟化氫的腐蝕性極強,無法長期保存,韓國企業一直是小批量進口。
氟化氫主要用來切割半導體基板,在半導體產品製造的600多道工序中,使用氟化氫的次數有時多達十多次。
據業內推測,目前三星電子的氟化氫存庫可能僅僅還能維持幾周時間,其他韓國半導體企業也不容樂觀。
此外,專家還指出,半導體原材料在投入量產前需經過1-6個月左右的測試,特別是氟化氫的純度對半導體產品的品質影響極大,短期內其他產品很難立即填補日產氟化氫空缺。
毫不誇張的說,現有的日產氟化氫庫存耗盡之時,或將成為韓國半導體企業的停工之日。
韓國5G專利龐大 5G商用積極 日本管制影響又如何?
韓國5G實力強 專利數量龐大
據2018年4月發布的報告顯示,全球5G競爭格局中,中國、韓國、美國和日本位於第一梯隊;第二梯隊是英、德、法國;加拿大、俄羅斯和新加坡則在第三梯隊。
但是經過一年的發展,美國趕超韓國,與中國並列第一,但韓國依舊領先日本、英國、義大利等西方經濟強國。
另據今年3月某諮詢公司發布的5G國家領導力指數顯示,在詳細分析技術基礎設施和5G商業化趨勢的基礎上,認定韓國處於明顯的領先位置。
同時在全球各國5G專利排名、創新方面,韓國優勢也相當明顯。
根據Iplytics統計數據顯示,截至今年3月,韓國企業申請的5G專利占比已達全球的24%,排在第二,僅次於中國企業申請5G專利34%的占比,更是遠超第3、4位的芬蘭和美國。
此外,據今年5月披露的全球5G標準技術貢獻排名中,三星、LG分別以4063、2909項的貢獻數量排名第6、第9。
由此可見,在5G專利技術方面,三星、LG也是頗具實力的廠商。
英國調查公司IHSMarkit認為,5G將是推動移動技術進入通用技術專屬領域的催化劑。
據其預測,到2035年全球5G產業鏈將創造3.5萬億美元經濟產出,在全球其他行業中將創造12.3萬億美元的經濟產出,同時創造2200萬個工作崗位。
在5G產業鏈中,既包括下游的終端設備及一些應用廠商,上游的通信設備廠商 ,還包括中游的電信運營商。
目前來講,全球5G的發展主要由日、韓、中、美、歐引領,美韓的商用 5G領先一步,中國次之,日歐隨後。
其中,韓國是最早推出 5G商用服務的國家。
早在2014年,韓國政府就制定以5G發展總體規劃為主要內容的「未來移動通信產業發展戰略」,投資1.6萬億韓元(約90.3億元人民幣),在2020年推出全面5G商用服務。
在2018年年初舉行的平昌冬奧會上,韓國展現了其在5G領域的實力,為前來參與的用戶提供沉浸式5G體驗服務,比如同步觀賽、互動時間切片、360度VR直播等。
2018年6月,韓國完成5G頻譜拍賣。
同年12月,在政府主導下,韓國3家運營商SKT、KT以及LG U+在韓國部分地區推出5G服務,成為世界上第一個商用5G國家,當時5G商用主要服務企業用戶,用於工業生產。
按照計劃,韓國在2019年3月左右為手機用戶提供商用服務,有望在5G的部署上繼續領先。
2020年下半年,韓國實現5G全覆蓋。
不過,在今年3月韓國科學技術情報通信部發布消息稱,原預定在3月底推出5G商用的日程可能會推遲。
根據韓國媒體報導,推遲原因跟終端和資費標準有關。
4月3日晚11點,韓國三家運營商正式推出面向商用5G手機的5G網絡服務,比美國提前1個小時,繼續保持全球部署5G的領先地位。
4月5日,韓國的普通用戶也可以使用5G手機服務。
但根據媒體報導,韓國手機用戶對於5G的體驗並不理想,稱在首爾市中心等地接收不到5G信號。
韓國的運營商也是相當拼,在推出 5G服務的2個多月時間裡,韓國的 5G用戶數量就突破了 100 萬。
然而讓人驚訝的是,韓國運營商不僅對資費進行了補貼,5G的資費甚至比 4G 的還低。
而且對 5G手機也進行了高達 50% 的補貼,比如LG的 V50 ThinQ 5G手機,售價約 120 萬韓元,而補貼之後只需要60萬韓元,約 500
美元。
相對而言,算是比較平價了,可見韓國推行5G的決心之大。
結語:
7月4日,韓國電子新聞獲得了日本經濟產業省公布的「光刻膠出口限制產品清單」,並向專家進行了諮詢。
結果顯示,對韓國半導體產業將會造成打擊的核心光刻膠材料被列入此次管制對象中。
清單上列出的光刻膠共有四種,分別是:15~193納米(㎚)波長的光上使用的正性光刻膠;1~15㎚波長的光下使用的光刻膠;電子書或離子束用光刻膠;壓印光刻設備上使用的光刻膠。
據專家稱,15~193㎚光刻膠意為使用氟化氫(ArF)光源的半導體光刻膠。
1~15㎚以下的是極紫外線(EUV)用光刻膠。
這些都是目前三星電子和SK海力士在生產半導體時所使用的技術,兩公司都從日本廠商獲得氟化氫,EUV所需的光刻膠。
針對該起事件,SK海力士發言人對媒體表示,該公司的半導體材料庫存量「不足3個月」。
如果兩國之間的問題得不到妥善的解決,且不能追加採購,未來或將出現停產的情況。
此外,三星電子、LG顯示等企業也受到了此次日對韓新規的影響。
業內人士分析,材料的庫存一般會有1-2個月的量,但是日本進行出口限制之後,從開始申請到審查結束整個流程需要3個月,這意味著三星電子和LG也將面臨停產的風險。
韓國貿易協會和關稅廳7月6日發布(韓國)進出口統計報告指出,韓日建交50多年以來,由於韓國的半導體、顯示屏等支柱產業對日本的依賴度過高,對日貿易赤字累計超過了6000億美元。
近20多年以來,日本始終是韓國最大的貿易赤字國。
僅2018年,韓國對日本的貿易赤字達到240.8億美元,對沙特的貿易赤字達到223.8億美元,對卡達達到157.7億美元,對科威特達到115.4億美元。
但除了日本之外,其他國家都是韓國需要100%進口的原油出口國。
據韓國貿易協會統計顯示,2018年韓國半導體出口額高達1267億美元,占全體出口總額的21%,而電視及智慧型手機顯示屏是韓國的另一大支柱產業。
據悉,日本將分兩階段加強對韓國的出口管制。
第一階段是7月4日以後對三種材料進行單獨許可和審查。
第二階段是將在8月份把韓國從安全保障上的友好國家「白名單」中剔除。
而一旦日本對韓國實施第二階段的管制,韓國三星、LG、SK海力士等半導體、顯示面板等企業的業績將「雪上加霜」,韓國的高科技產品出口也將銳減。
據韓聯社報導,一旦韓國被排除出這份貿易「白色清單」,日本貿易管制措施對象將從目前的3種半導體材料迅速擴大至電子零部件和工具機等上千種商品,對韓國的石化產業和汽車產業等主要產業都將造成衝擊。
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