台積電擬向3納米線寬半導體投資超200億美元

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【環球網科技綜合報導 記者 王歡】據《日本經濟新聞》12月10日報導,全球最大半導體代工企業台灣積體電路製造(簡稱台積電、TSMC)聯合執行長(CEO)劉德音12月7日表示,將向電路線寬為3納米(納米為10億分之1米)的新一代半導體投資超過200億美元。

通過對尖端領域投入巨資,台積電領先於韓國三星電子等競爭對手。

資料圖

劉德音7日下午在台灣北部新竹發表演講時透露了上述消息。

目前美國蘋果新款iPhone等配備的10納米線寬半導體屬於最尖端產品。

7納米產品將於2018年啟動量產,3納米產品預計2022年量產。

目前已具體落實3納米產品項目的企業只有台積電。

新工廠建在台南。

半導體大體上分為負責存儲的存儲器和負責運算的邏輯半導體。

台積電的產品以邏輯半導體為主,目前多面向智慧型手機。

該公司認為,2018年7納米產品量產以後,在面向人工智慧(AI)和數據中心方面的需求有望激增。

在半導體領域,縮小電路線寬成為降低成本和提高性能的關鍵。

一方面,電路線寬的縮小導致生產難度提高,製造設備的價格正在暴漲。

荷蘭半導體設備廠商阿斯麥(ASML)開發的「極紫外光刻(EUV光刻)」設備每台售價超過1億歐元。


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