NAND快閃記憶體需求熱，三星西安廠啟動擴廠
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有鑒於NAND快閃記憶體需求高燒不退，三星電子周二宣布，將對大陸西安的NAND快閃記憶體廠進行擴廠。
據三星表示，西安廠擴廠工程將在本月稍晚展開，屆時三星半導體部門總裁金奇南（Kim Ki-nam）將出席動土儀式。
知情人士指出，西安廠三年擴廠計劃，投資規模達70億美元。
另外，三星不久前剛通過投資60億美元，將在南韓打造新一代晶圓廠，務求提升晶圓代工實力，拉近與台積電的差距。
南韓媒體ETnews報導指出，三星已奪得恩智浦（NXP），以及南韓無廠半導體公司Telechips的晶圓代工訂單，有助於在明年第二季7奈米LPP極紫外光（EUV）製程量產前，填補一線客戶高通跑單的缺口。
據世界半導體貿易協會（WSTS）最新一期報告預估，今年全球半導體銷售額將來到4,510億美元，年增率達9.5%，顯著高於去年11月預測的7%。
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