華為P10「快閃記憶體門」有感：發展國產存儲刻不容緩

這兩日在科技圈熱議的除了「小米6」的發布以外，另一個應該就是華為的P10的「快閃記憶體門」了。

因為被網友質疑在最新的旗艦P10上使用了UFS2.0、UFS2.1和emmc5.1三種快閃記憶體，且沒有告知消費者，都按照統一的價格賣，華為被網友黑得體無完膚，以致於華為終端和余承東先後出來發表澄清新聞。

坦白說，看了這兩篇聲明，我沒看到華為的一點誠意。

因為在文中除了把鍋甩給快閃記憶體缺貨以外，還說自己會通過努力提高自己的產品體驗。

余承東先生的原話是「最近關於P10系列手機快閃記憶體同時採用UFS和EMMC兩種方案的問題，核心原因是供應鏈快閃記憶體的嚴重缺貨，至今我們的Flash存儲仍然在缺貨之中。

我們在軟硬體的聯合優化設計上，已經確保了即便使用EMMC存儲的，仍然保持良好的實際使用性能體驗」。

關於缺貨的無奈我們可以理解，畢竟這是全行業的現狀，但是你說你能通過軟硬體的聯合設計差距，就能解決USF2.1和emmc5.1的兩倍多的差距？有這種黑科技，我真的倒想見識一下。

UFS和emmc的速度對比

不過回頭說，有關缺貨這件事，除了快閃記憶體供應商從平面向3D製程轉變，造成產能不足的可觀原因外。

坊間傳聞，Flash的主力供應商三星因為Note 7事件爆發，為了降低損失，在快閃記憶體的供應和價格上做了一些「手腳」。

當然傳聞只是傳聞，具體真相就不得而知了，但是從這件事還有流言看來，為了避免「中芯事件」的再次重演，發展國產存儲產業刻不容緩。

存儲，中國半導體人的心頭最痛

存儲在電子產業的地位很重要，因為幾乎每一個電子產品都必須要存儲。

在從半導體上游的角度看，這是一個舉足輕重的種類。

根據SIA的數據顯示，2016年，全球半導體的總銷售額為3400億美元，其中Logic器件的收入占最大頭，高達915億美元；存儲則緊跟其後，總營收為768億美元。

而在這個全球第二大的半導體組件里，中國幾乎是一窮二白。

在主流的存儲產品市場，三星、東芝、西部數據、美光、SK海力士和Intel幾乎壟斷了全球所有的NAND Flash市場；而在DRAM市場，則是三星、SK海力士、美光、南亞、華邦電子和力晶的天下。

從Dramexchange的數據顯示，這幾家廠商壟斷了存儲市場。

也就是說按照2016年四季度的出貨量統計，在NAND Flash領域，沒有中國廠商的身影；而在DRAM領域，三星、SK海力士和美光更是占據了高達93.6%的市場份額，另外的供應商除了南亞、華邦電子和力晶以外，再沒看到華商的身影。

於是光在存儲這個領域，這些供應商每年都從中國掙走了很多的外匯。

2016年第四季度的的NAND Flash供應商及其份額（source: Dramexchange）

2016年第四季度的DRAM供應商及其份額（source: Dramexchange）

賽迪顧問數據顯示，2014年，中國存儲晶片市場規模為2465.5億美元，占國內集成電路市場份額的23.7%。

更讓人頭疼的是從去年年中到現在，全球的存儲價格陷入了瘋狂增長狀態。

同樣是Dramexchange的數據顯示，2016年Q4季度DRAM內存平均合約價格上漲了30%，今年Q1 DRAM也漲了15%；而NAND Flash也漲價超過20%，且漲價風暴將會持續到2017年底，這對本身毛利就不高的移動設備終端廠商（絕大多數是中國廠商）來說，是非常艱難的。

從全球發展形勢來看，正在興起的智能駕駛、物聯網和大數據等應用，將會產生龐大的數據，進而拉動對存儲晶片的需求。

這對於市場容量巨大的中國來說，存儲這塊產品的缺失無疑是雪上加霜的，這也成為困擾中國電子人的阿喀琉斯之踵。

奮起直追，但困難重重

深受元器件缺失之痛的中國半導體人很早就投入了打破國外壟斷的「戰鬥」中去，存儲產業也不例外。

在2006年，武漢投資100億元啟動了武漢新芯項目；2009年，浪潮集團山東華芯半導體收購了原德國奇夢達有限公司，並將其更名化西安華芯半導體。

有志青年前赴後繼地投入這個產業，想實現中國存儲產業零的突破。

進入最近幾年，由於國家政策和資金對集成電路的大力扶持，消耗量巨大的存儲產業又迎來了一波建設高潮。

2015年，紫光集團記下的紫光國芯股份有限公司收購西安華芯半導體有限公司，將其更名為西安紫光國芯半導體有限公司；2016年7月，紫光集團斥資收購了武漢新芯的絕大多數股權，並成立了長江存儲。

進而形成了國內存儲領域的第一大勢力。

其中紫光國芯聚焦在DRAM產品研發，而長江存儲的發展目標則是目前流行的3D NAND Flash；而在日前，紫光國芯宣布，通過其子公司湖北紫光國器科技股份有限公司控股長江存儲，控股比例為51.04%。

同樣在2016年，聯電與福建晉華集成電路籤署了技術合作協定，共同開發DRAM相關技術。

而中芯國際的前CEO王寧國則聯手兆易創新和合肥市政府，打造了合肥長鑫項目，目標也是DRAM。

從目前已泄露的信息看來，以紫光系發展最為迅速。

在早前CCTV2的「中國芯」系列報導里，長江存儲計劃的操盤手高啟全表示，他們研發的中國自主32層3D NAND將會在2017年底提供樣品。

爾後，還將投入到64層3D NAND Flash的研發，屆時與三星、SK海力士和東芝等的差距，會縮小到一代。

高啟全還指出，長江存儲還會考慮投入到18/20nm DRAM的研發，從這次紫光國芯的動作來看，這幾乎是板上釘釘的事實。

但事情永遠不會那麼一帆風順，中國存儲產業發展首先要面對的是技術和人才的缺失。

很早以前，有日本從業者對於長江存儲的3D NAND Flash技術有所懷疑，認為這個來自武漢新芯與Spansion合作的技術不靠譜，因為Spansion本身也未曾量產過，因此業內對此持有保留的態度。

但在這次高啟全宣布在2017年底提供32層3D NAND Flash樣品的時候，也著實讓世界業者感到驚訝，於是他們提出新的論調。

例如到長江存儲量產的時候，三星等可能已經去到了100層或以上，長江存儲花費巨資研發出來的產品怎麼從價格上去參與競爭？

在DRAM上面臨同樣的問題，台灣力晶創始人兼CEO黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發費用來扶植新廠的策略很難再延續，必須要有技術在手才行，但現在美系存儲器大廠美光(Micron)已經盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產業的腳步會放緩。

他還指出，由於一些客觀因素，大陸幾乎不可能從美光或者日韓廠商手上獲得DRAM技術的授權，聯想到台灣當時發展也要從國外大廠獲取授權，他認為大陸生產DRAM，幾乎是個不可能任務，就算強行上馬，也會面臨侵權風險。

走籠絡人才路線，又是另一個路線，但是早前美光和華亞科的動作表明，這對於中國半導體來說越來越困難，所以對中國存儲來說，乃至中國半導體來說，都需要探索一條更新的發展路線。

例如曾經收購了美光技術的研究機構和專利授權公司Round Rock Research LLC、例如和美光有交差授權服務的Quatela Lynch McCurdy，這會是中國發展存儲產業的光明之路嘛？

後記

在說完了我的觀點以後，我們再回到華為P10這件事上面，你問我的態度如何，我的答案當然是選擇原諒他啦。

（文/李壽鵬）

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