紅利結束！2018年開始DRAM價格將下崩

近日，小米、魅族、樂視等多家手機廠商相繼宣布為其手機產品調價，漲幅從幾十元到近千元不等。

此期間，存儲晶片也迎來了一波「漲價潮」。

據統計，第1季DRAM報價較去年第4季上漲26%，更較去年同期成長45%，至於NAND Flash報價首季報價季增8%，年增率也高達4成之多。

而手機內存中，普通的8G DDR4內存從200元直接翻了一倍到目前的400元以上，DDR3內存的價格也跟著水漲船高，將近翻了一番。

為什麼存儲價格瘋漲？

如果要說到漲價的根源，這自然還是因為貨源的問題惹的禍了；在整個2016年市場NANDFlash供貨緊缺，主要受Flash原廠三星、東芝、美光、SK海力士等2DNAND向3DNAND轉移的影響，以目前原廠3D技術投產進程而言，預計3DNAND到2017年Q2產能才能釋放，在原廠沒有大的變動前提下，供應依然比較緊張。

除了NAND Flash顆粒的漲價兇猛以外，其實內存顆粒DRAM漲價也不少。

相比較於其他的硬體，內存更容易受到上游廠商的影響。

內存使用的DRAM主要由幾家大公司比如說三星、海力士和鎂光所掌控，RAM/NAND的增產和減產對於儲存行業來說自然是十分重視的。

尤其是目前PC行業不景氣，廠商必然會減少DRAM的生產量，而DRAM不單單是給內存用，而U盤、手機ROM也都需要，DRAM的供應就更加緊張。

這一波兒「憑本事漲價」也讓快閃記憶體廠商開始扭虧為盈。

美光在12月下旬公布了截止到2016年12月1日的2017財年第一季度財報，受益於DRAM和NAND市場需求強勁及價格上漲的因素，季度營收優於預期，取得了不錯的成績，也是2016年首次盈利。

另外，2016年NAND Flash市場缺貨，2017年上半年市場供應也不會有太多的緩解，而三星是NAND Flash最大的供應商，2017年上半年三星新的Fab17/Fab18工廠都將投入生產，同時Memory和面板價格雙雙走強，都將給三星營收利潤帶來成長動力。

雖然內存漲價讓上游廠商賺到了錢，不過他們對未來的估計反而偏向保守，並不會大規模擴產，更注重強調改善營收。

DRAMXchange預計2017年DRAM內存供應量只會增長19%，遠低於之前20%甚至30%的增幅。

一方面是供應增長只有19%，另一方面是市場需求增長超過22%，內存市場供不應求的情況更加嚴重了，未來漲價趨勢恐怕還會持續。

內存紅利即將結束

雖然近幾年來，由於以上原因，內存的價格出現了大幅度的增長，但是一直以來，存儲圈內都有這樣幾種說法：《快閃記憶體取代傳統機械硬碟將指日可待?》、《SSD走下高端向主流?》、《快閃記憶體將成未來存儲發展趨勢》等等，在眾說紛紜中。

毫無疑問，大家對快閃記憶體都寄予厚望。

在漲價之前的一段時間，快閃記憶體不斷降價的現象似乎讓這種預言更接近現實。

近日，外媒的一篇報導引起了筆者的注意，文章中對於這種預測進行了證實。

根據外媒資料顯示，Gartner半導體研究總監on Erensen預測：2018年，SSD內存和NAND快閃記憶體的價格將開始逐漸下滑。

但是，在2019年，價格將大幅下滑。

同時，PC和移動設備的價格可能會受到影響。

但是，Erensen表示，現在預測NAND和DRAM價格下崩對PC和移動設備的確切影響為時尚早。

如果價格下降，網際網路用戶可以在現成的時間內獲取元件並在家中構建個人電腦。

但是，預製設備的價格最終取決於PC製造商如何利用更便宜的組件定價節省成本。

PC和移動設備的價格有可能回落，這已經是十多年來的大趨勢。

但是一些公司可能選擇利潤而不是將儲蓄轉移給買家，就像蘋果路數一樣。

還有一種可能：移動設備和PC價格也可能保持高位，但是買家應該獲得更多的套餐選擇。

對於相同的價格，伺服器本身將會擁有更多的內存，更多的存儲和更高解析度的螢幕。

根據Gartner的說法，自2016年下半年以來，PC 、DRAM價格翻了一番。

一個4GB的內存從去年中的12.50美元上漲到25美元。

隨著NAND快閃記憶體價格的上漲，SSD的每千兆字節成本以驚人的速度上漲。

Gartner預測，NAND快閃記憶體和DRAM的定價將在本季度達到頂峰。

價格暴跌已成必然？

Gartner的預測與聯想公司的規劃不謀而合，聯想已重新考慮高端個人電腦的定價。

HP已經設法吸收了更高元件的成本，但是該公司正在轉向高價位產品，試圖選擇盈利而不是數量， HP公司個人系統業務總裁Ron Coughlin表示。

據了解，當供應商開始在產品中設置更大的內存和存儲時，DRAM和NAND快閃記憶體的供應量就會上升。

比如蘋果公司為Mac，iPhone和iPad增加了更多的內存和存儲空間。

像三星等其他廠商就是這樣，而一個版本的即將推出的Galaxy S8 +手機將擁有128GB的存儲容量和6GB的內存，這些筆記本電腦與許多薄型筆記本電腦相匹配。

此外，虛擬現實和遊戲等應用正在促使廠商向設備添加更多的存儲和RAM。

一個穩定的PC市場也在推動對DRAM和SSD的需求。

Erensen進一步指出，手機，個人電腦和IoT物聯網設備也在生成更多的數據，從而在存儲雲數據的伺服器中對快閃記憶體的需求增加。

數據分析和機器學習也引發了對數據中心更多內存和存儲的需求。

因此，需求的增長導致RAM和存儲的最終短缺，從而使得製造商和供應商有較高利益所得。

但是，高需求將最終促使製造商提高工廠的產能以產生更多的內存和存儲空間。

Gartner預測，到2019年，市場將充斥著DRAM和NAND快閃記憶體，價格將會下降。

根據以往的經驗而言，DRAM和NAND快閃記憶體供應商每隔幾年的一個周期，這使得市場極度波動。

2011年DRAM價格暴跌，電力供需過剩，PC需求放緩以及全球經濟下滑的影響。

擴充產能已經來臨

從今年來各大廠商的種種措施我們不難看出，內存正在隨著以上所述的價格和市場變動發生變化。

首先是隨著供需不平衡帶來的各大廠商紛紛擴充產能的措施。

早在今年年初，在三星還深陷NOTE 7爆炸醜聞的時候，美光位於台中市的晶圓廠計劃擴大1Xnm DRAM晶片的產能，並在今年Q2前提高到50%以上比例。

放眼其他廠商，三星背負著Note 7召回的損失需要止血、SK海力士跟著同胞帶節奏、西數閃迪剛剛嘗到SSD的甜頭、東芝更是因為核電幾十億美元的虧損要賣身……

此外，隨著三星逐漸走出炸機醜聞，上月底三星公布的最新財報顯示，營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%，其中貢獻最多的就是快閃記憶體晶片部門，也就是DRAM內存和NAND快閃記憶體。

時至今日，DRAM、NAND快閃記憶體缺貨、漲價的情況都沒有緩解，現在還是供不應求，好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產能，其中三星也要斥資26.4億美元擴產Line 17工廠，下半年加速10nm級DRAM內存生產。

三星前不久才宣布了全球最大的半導體工廠平澤工廠竣工，那個是針對NAND快閃記憶體的，主力產品將是64層堆棧的3D NAND快閃記憶體。

而在DRAM領域，三星也有新的投資計劃，韓國ETNews報導稱三星已經通知設備供應商要擴大韓國華城市（Hwasung）的Line 17工廠，預計投資在2.5萬億到3萬億韓元之間，約合22-26.4億美元。

以300mm晶圓計算，擴建之後每月產能將提升3.5萬片晶圓，目前的產能約為4萬片晶圓/月。

三星這次擴展Line 17工廠產能的主力產品是10nm級DRAM內存，預計下半年加速生產。

三星投資擴大DRAM產能是件好事，考慮到他們是全球最大的DRAM供應商，三星此舉有助於推動DRAM市場供應平衡，雖然說DRAM再度降價還是很遙遠的事。

國內廠商也在跟進

另外，隨著紫光公司巨資建設晶圓廠，國內廠商介入NAND、DRAM領域也為期不遠了，儘管他們與三星、SK Hynix等巨頭還有很大差距，不過這對市場來說是個利好，多點競爭總是好事。

從上圖不難看出，從2016年開始，受iPhone 7上市以及國產智慧型手機市場需求暢旺的影響，2016年第四季度，全球智慧型手機產品出貨量持續攀升。

同時，各移動智能終端產品的內存搭載容量不斷提升，使得DRAM市場依然延續此前供不應求的態勢，內存價格全面上漲。

從各大廠商營收排名情況來看，三星、SK海力士和美光三大DRAM廠營收持續飆升，占據市場前三的位置，而台灣廠商南亞科、華邦電和力晶科技則分別排名第四至第六名。

作為中國半導體產業的龍頭廠商，紫光集團戰略布局的腳步似乎比人們想像中的要更快。

今年2月12日，繼武漢長江存儲基地項目開工之後，紫光又一「航母級」項目——南京半導體產業基地項目正式動工。

該基地項目位於南京市江北新區浦口經濟開發區，總投資金額達300億美元，占地面積約1500畝，首期投資約100億美元，預計月產能為10萬片，項目完工後將主要用於生產3D NAND和DRAM等存儲晶片。

按照紫光集團的規劃，該項目未來將以存儲晶片及存儲器尖端製造環節為突破口，集存儲產品設計、技術研發、生產製造、銷售於一體，可帶動設計、製造、封裝、測試等集成電路產業鏈的發展。

另外，與該基地項目同一天開工的，還有同樣由紫光集團主導，投資約300億元人民幣的IC國際城項目，其內容涵蓋科技園、設計封裝產業基地、國際學校、商業設施、國際人才公寓等綜合配套設施。

總結

業內認為，目前產能不足，出貨量跟不及需求增速導致存儲晶片價格上漲。

在存儲器晶片市場中，三星、鎂光、海力士等五家外資企業占據了90%以上市場份額，內存廠商當前產能擴充及出貨量提升幅度都非常保守，存儲晶片供不應求的局面料將延續。

從2014年開始，中國市場將在未來十年內花費1500億美元來擴大其半導體容量。

2016年，紫光集團收購武漢長江晶片公司，以加速存儲器國有化更證實了這一點，未來，中國製造的快閃記憶體和內存晶片可能會在全球泛濫，價格可能會下降。

在中國半導體市場保證供應的同時，並在使得全球規模迅速增長。

據了解，2016年中國存儲市場172億人民幣，預計到2017年達到203億，2016~2020年年複合增長率將為20.1%。

當前半導體產業國內廠商享有國產替代的巨大增長空間，存儲器需求強勁，國內存儲器產業陸續啟動重大項目，如長江存儲投資240億美元、紫光集團投資300億美元建存儲器基地，項目建設將推動國內半導體存儲設備及材料產業發展。

但是也應當明白的是，隨著內存產能的逐漸擴充，內存價格瘋漲的紅利即將結束，價格下跌也是未來必將面對的趨勢。

如果能夠把握好內存市場的發展循環，或許能夠迎來中國製造的快閃記憶體和內存晶片占領市場的大好時機，以及中國企業縮小與世界廠商的大好時機！（文/劉燚）

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1274期內容，歡迎關注。